FDD390N15A N溝道PowerTrench? MOSFET：性能與應(yīng)用解析

飛兆半導(dǎo)體（Fairchild）已成為安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）的一部分。在這一整合過(guò)程中，部分飛兆可訂購(gòu)的產(chǎn)品編號(hào)會(huì)有所改變，以滿足安森美半導(dǎo)體的系統(tǒng)要求，例如飛兆產(chǎn)品編號(hào)中的下劃線“_”將改為破折號(hào)“-”。今天，我們就來(lái)詳細(xì)了解一款飛兆的經(jīng)典產(chǎn)品——FDD390N15A N溝道PowerTrench? MOSFET。

文件下載：FDD390N15ACN-D.pdf

一、產(chǎn)品特性

FDD390N15A具有眾多出色的特性，使其在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)卓越。

1. 低導(dǎo)通電阻：在(V{GS}=10V)，(I{D}=26A)的條件下，典型導(dǎo)通電阻(R_{DS(on)}=33.5mΩ)，這一特性有助于降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度：能夠快速地進(jìn)行導(dǎo)通和關(guān)斷操作，可有效減少開(kāi)關(guān)損耗，適用于對(duì)開(kāi)關(guān)速度要求較高的應(yīng)用。
3. 低柵極電荷：典型柵極電荷(Q_{G}=14.3nC)，低柵極電荷意味著驅(qū)動(dòng)該MOSFET所需的能量較少，可降低驅(qū)動(dòng)電路的功耗。
4. 高性能溝道技術(shù)：采用先進(jìn)的高性能溝道技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了極低的(R_{DS(on)})，同時(shí)具備高功率和高電流處理能力。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)：滿足環(huán)保要求，可放心應(yīng)用于各類(lèi)電子設(shè)備中。

二、產(chǎn)品說(shuō)明

該N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)。這一工藝專(zhuān)為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開(kāi)關(guān)性能而定制，使得FDD390N15A在導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)速度之間取得了良好的平衡。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

FDD390N15A的應(yīng)用范圍廣泛，涵蓋了多個(gè)領(lǐng)域。

1. 消費(fèi)電子設(shè)備：如智能手機(jī)、平板電腦等，可用于電源管理電路，提高設(shè)備的續(xù)航能力。
2. LED TV：在LED TV的電源模塊中，該MOSFET可實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換，降低能耗。
3. 同步整流：在開(kāi)關(guān)電源中，同步整流技術(shù)可以提高電源的效率，F(xiàn)DD390N15A的低導(dǎo)通電阻特性使其非常適合用于同步整流電路。
4. 不間斷電源（UPS）：UPS需要在市電中斷時(shí)迅速提供穩(wěn)定的電源，F(xiàn)DD390N15A的快速開(kāi)關(guān)速度和高功率處理能力能夠滿足UPS的要求。
5. 微型太陽(yáng)能逆變器：在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中，微型太陽(yáng)能逆變器將太陽(yáng)能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，F(xiàn)DD390N15A可用于逆變器的功率轉(zhuǎn)換電路，提高轉(zhuǎn)換效率。

四、電氣參數(shù)

1. 最大絕對(duì)額定值

2. 熱性能

3. 電氣特性

• 關(guān)斷特性：包括漏極 - 源極擊穿電壓(BV{DSS})、擊穿電壓溫度系數(shù)(Delta BV{DSS} / Delta T{J})、零柵極電壓漏極電流(I{DSS})和柵極 - 體漏電流(I_{GSS})等參數(shù)。
• 導(dǎo)通特性：如柵極閾值電壓(V{GS(th)})、漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻(R{DS(on)})和正向跨導(dǎo)(g_{FS})等。
• 動(dòng)態(tài)特性：涉及輸入電容(C{iss})、輸出電容(C{oss})、反向傳輸電容(C{rss})、能量相關(guān)輸出電容(C{oss(er)})、柵極電荷總量(Q_{g(tot)})等。
• 開(kāi)關(guān)特性：包含導(dǎo)通延遲時(shí)間(t{d(on)})、開(kāi)通上升時(shí)間(t{r})、關(guān)斷延遲時(shí)間(t{d(off)})和關(guān)斷下降時(shí)間(t{f})等。
• 漏極 - 源極二極管特性：有漏極 - 源極二極管最大正向連續(xù)電流(I{S})、最大正向脈沖電流(I{SM})、正向電壓(V{SD})、反向恢復(fù)時(shí)間(t{rr})和反向恢復(fù)電荷(Q_{rr})等。

五、典型性能特征

文檔中給出了多個(gè)典型性能特征圖，如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、體二極管正向電壓變化與源極電流和溫度的關(guān)系等。這些圖表直觀地展示了FDD390N15A在不同條件下的性能表現(xiàn)，對(duì)于工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和性能評(píng)估具有重要的參考價(jià)值。

六、封裝與訂購(gòu)信息

FDD390N15A采用D - PAK封裝，頂標(biāo)為FDD390N15A，包裝方法為卷帶，卷尺寸為330mm，帶寬為16mm，每卷數(shù)量為2500個(gè)。

七、注意事項(xiàng)

1. 由于安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品管理系統(tǒng)無(wú)法處理帶有下劃線的產(chǎn)品編號(hào)，飛兆部分產(chǎn)品編號(hào)中的下劃線將改為破折號(hào)，使用時(shí)需在安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站上核實(shí)更新后的設(shè)備編號(hào)。
2. 產(chǎn)品的“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化，實(shí)際性能也可能隨時(shí)間而改變，因此所有操作參數(shù)，包括“典型值”，都必須由客戶的技術(shù)專(zhuān)家針對(duì)每個(gè)客戶應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。
3. 安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或具有相同或類(lèi)似分類(lèi)的外國(guó)醫(yī)療設(shè)備，以及任何用于人體植入的設(shè)備。如果買(mǎi)方將產(chǎn)品用于此類(lèi)非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用，買(mǎi)方應(yīng)承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。

FDD390N15A N溝道PowerTrench? MOSFET憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，為電子工程師提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮其各項(xiàng)參數(shù)和性能特征，以確保電路的可靠性和穩(wěn)定性。大家在使用這款MOSFET的過(guò)程中，有沒(méi)有遇到過(guò)什么問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評(píng)論區(qū)分享。