安森美FGA40N65SMD場截止IGBT:性能卓越的功率器件
在電子工程師的日常設(shè)計工作中,功率器件的選擇至關(guān)重要,它直接影響到整個電路的性能和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入了解一下安森美(onsemi)的FGA40N65SMD場截止IGBT,看看它有哪些獨特的特性和優(yōu)勢。
文件下載:FGA40N65SMDCN-D.PDF
一、產(chǎn)品概述
安森美的新型場截止第二代IGBT系列產(chǎn)品,采用了創(chuàng)新型場截止IGBT技術(shù)。這一技術(shù)為光伏逆變器、UPS、焊機、感應(yīng)加熱、通信電源、ESS和PFC等應(yīng)用提供了最佳性能,尤其在低導(dǎo)通和開關(guān)損耗方面表現(xiàn)出色。FGA40N65SMD就是該系列中的一款650V、40A的IGBT產(chǎn)品。
二、產(chǎn)品特性
1. 高結(jié)溫與并聯(lián)運行能力
最大結(jié)溫 (T_{J}=175^{circ} C),且具有正溫度系數(shù),這使得它易于并聯(lián)運行。正溫度系數(shù)意味著隨著溫度升高,器件的電阻增大,從而避免了熱失控的問題,保證了并聯(lián)運行時的穩(wěn)定性。
2. 低飽和電壓
在 (I{C}=40 A) 時,典型的飽和電壓 (V{CE(sat)}=1.9 V)。低飽和電壓可以降低導(dǎo)通損耗,提高電路的效率,對于需要長時間運行的設(shè)備來說,能有效降低能耗。
3. 快速開關(guān)特性
關(guān)斷能量 (E_{OFF}=6.5 mu J / A),快速的開關(guān)速度可以減少開關(guān)損耗,提高電路的工作頻率,從而減小電路中濾波器等元件的體積。
4. 緊密的參數(shù)分布
這意味著同一批次的器件參數(shù)一致性好,在實際應(yīng)用中可以減少調(diào)試的工作量,提高產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
符合環(huán)保要求,滿足全球市場對于電子產(chǎn)品環(huán)保的嚴格標(biāo)準(zhǔn)。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
FGA40N65SMD適用于多種領(lǐng)域,包括光伏逆變器、UPS、焊機、PFC、感應(yīng)加熱、通信電源和ESS等。這些領(lǐng)域?qū)β势骷男阅芤筝^高,F(xiàn)GA40N65SMD憑借其出色的特性能夠很好地滿足這些需求。
四、電氣特性
1. 絕對最大額定值
| 符號 | 參數(shù) | 額定值 |
|---|---|---|
| (V_{CES}) | 集電極 - 發(fā)射極間電壓 | 650V |
| (I_{C}) | 集電極電流 | 40A |
| (I_{CM}) | 集電極脈沖電流 | 未提及 |
| (P_{D}) | 最大功耗 | 未提及 |
| (T_{J}) | 最大結(jié)溫 | (175^{circ} C) |
需要注意的是,如果電壓超過最大額定值表中列出的值范圍,器件可能會損壞,影響可靠性。
2. 二極管電氣特性
在 (T_{C}=25^{circ} C) 時,反向恢復(fù)電能在 (IF = 20A) 時典型值為96uJ,反向恢復(fù)時間典型值為42ns。
3. IGBT電氣特性
- 靜態(tài)特性:G - E閾值電壓 (V{GE(th)}) 在 (I{C}= 250 A),(V{CE}=V{GE}) 時,典型值為4.5V;集電極 - 發(fā)射極間飽和電壓 (V{CE(sat)}) 在 (I{C}= 40 A),(V_{GE}= 15V) 時,典型值為1.9V。
- 動態(tài)特性:輸入電容 (C{ies}) 在 (V{CE}= 30 V),(V{GE}= 0V),(f = 1 MHz) 時為1880pF;輸出電容 (C{oes}) 為180pF;反向傳輸電容 (C_{res}) 為50pF。
- 開關(guān)特性:在不同溫度和負載條件下,導(dǎo)通延遲時間、上升時間、關(guān)斷延遲時間、下降時間以及開關(guān)損耗等參數(shù)都有相應(yīng)的典型值。例如,在 (V{CC}= 400 V),(I{C}= 40 A),感性負載,(T{C}=25^{circ}C),(R{G}=6),(V_{GE}= 15V) 時,導(dǎo)通延遲時間典型值為12ns,上升時間典型值為20ns等。
五、典型性能特征
文檔中給出了一系列典型性能特征圖,包括典型輸出特性、飽和電壓特性、柵極電荷特性、開關(guān)損耗與柵極電阻的關(guān)系、開關(guān)損耗與集電極電流的關(guān)系等。這些圖表可以幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn),從而進行更優(yōu)化的設(shè)計。
六、機械封裝
FGA40N65SMD采用TO - 3P - 3LD封裝,這種封裝具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性,方便工程師進行安裝和布局。
在實際設(shè)計中,電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,綜合考慮FGA40N65SMD的各項特性和參數(shù)。你在使用IGBT進行設(shè)計時,有沒有遇到過什么特別的挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。
-
安森美
+關(guān)注
關(guān)注
33文章
2150瀏覽量
95816 -
場截止IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
3瀏覽量
7984
發(fā)布評論請先 登錄
安森美FGA40N65SMD場截止IGBT:性能卓越的功率器件
評論