FGA40N65SMD 650V 40A 場截止IGBT
數(shù)據(jù):
數(shù)據(jù)表:FGA40N65SMDCN-D.pdf
飛兆半導(dǎo)體的場截止第二代IGBT新系列采用新型場截止IGBT技術(shù),為太陽能逆變器,UPS,焊機(jī),感應(yīng)加熱,通訊,ESS和PFC等低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用提供最佳性能。
| 特性 |
| |
- 正溫度系數(shù),易于并聯(lián)運(yùn)行
|
| |
- 低飽和電壓:V CE(sat) = 1.9V(典型值)@ I C = 40A
|
- 快速開關(guān):E OFF = 6.5uJ / A
|
| |
| |
電路圖、引腳圖和封裝圖
![]()