2026年4月，博世正式推出第三代碳化硅芯片，以“綜合性能提升20%”為核心突破，通過全球產能布局與技術革新，為電動汽車電驅系統(tǒng)注入高效能量控制新動能，標志著碳化硅半導體在電動出行領域的技術與產業(yè)雙重突破。

技術革新：功率密度與效率雙突破
第三代碳化硅芯片采用博世獨創(chuàng)的“博世工藝”（溝槽刻蝕技術），在碳化硅中構建高精度垂直結構，將功率密度大幅提升，成為800V高壓平臺的核心支撐。芯片尺寸較上一代更精巧，單片晶圓產能提升，推動成本效益優(yōu)化；短路耐量能力提升10%，高溫系數(shù)從2.1優(yōu)化至1.8，芯片厚度從180微米降至110微米，支持直接集成電流與溫度傳感器，實現(xiàn)器件級系統(tǒng)保護。該芯片開關速度與運行效率顯著高于傳統(tǒng)硅芯片，可將電驅系統(tǒng)效率提升，能量損耗降低，助力電動汽車續(xù)航里程增加。

產能布局：全球雙中心+本土化協(xié)同
博世已構建“德國羅伊特林根+美國羅斯維爾”雙中心制造網(wǎng)絡：德國工廠在200毫米晶圓上生產第三代芯片，美國工廠投資19億歐元，預計2026年內產出首批測試樣片，目標中期年產能提升至數(shù)億顆級別。在中國，上海研發(fā)團隊與蘇州功率模塊生產基地形成“全球芯片供應+本土模塊制造+本地研發(fā)驗證”組合方案，針對400V向800V高壓平臺跨越的中國市場，實現(xiàn)樣片到量產周期顯著縮短，賦能本土車企全球化出海。

市場影響：電動出行效率革命的關鍵推手
自2021年第一代產品投產以來，博世已全球交付超6000萬顆碳化硅芯片。第三代產品通過“性能提升20%+尺寸精巧化”雙重優(yōu)勢，推動高性能電子器件普及。博世智能出行集團主席馬庫斯·海恩博士強調：“碳化硅是電動出行的核心‘節(jié)拍器’，精準控制能量流至最高效狀態(tài)?！痹谥袊?a target="_blank">新能源汽車市場，該芯片深度契合800V高壓平臺需求，通過全球供應鏈韌性保障，助力本土主流車企規(guī)避供應風險，加速電動化轉型。

未來展望：碳化硅生態(tài)的持續(xù)進化
博世同步推進銅金屬化碳化硅芯片研發(fā)，預計2027-2028年推出，進一步優(yōu)化性能。通過開放“博世工藝”IP核授權，支持芯片廠商定制化開發(fā)，構建從芯片到系統(tǒng)的全產業(yè)鏈生態(tài)。隨著全球電動汽車市場向高壓化、高效化演進，博世第三代碳化硅芯片將成為重構電動出行效率格局的核心基石，為全球能源轉型與碳中和目標提供關鍵技術支撐。

此次發(fā)布不僅是博世在碳化硅領域的技術里程碑，更通過“技術突破+產能布局+生態(tài)構建”三維驅動，重新定義電動汽車能量控制標準，開啟碳化硅半導體普惠應用的新紀元。