安森美1700V、25A碳化硅肖特基二極管NDC25170A:下一代功率半導(dǎo)體的卓越之選
在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天,我們就來(lái)深入了解一下安森美(onsemi)推出的碳化硅(SiC)肖特基二極管NDC25170A,這款產(chǎn)品代表了下一代功率半導(dǎo)體的發(fā)展方向。
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一、產(chǎn)品概述
NDC25170A是一款25A、1700V的碳化硅肖特基二極管,采用了全新的技術(shù),與傳統(tǒng)的硅基二極管相比,具有卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。碳化硅肖特基二極管沒(méi)有反向恢復(fù)電流,開關(guān)特性不受溫度影響,并且具備出色的熱性能,這些優(yōu)勢(shì)使得它成為了功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的新寵兒。
系統(tǒng)采用這款二極管可以獲得諸多好處,包括更高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的電磁干擾(EMI)以及更小的系統(tǒng)尺寸和成本。
二、產(chǎn)品特性
- 高結(jié)溫承受能力:最大結(jié)溫可達(dá)175°C,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適應(yīng)各種惡劣的工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景。
- 雪崩額定能量:雪崩額定能量為506mJ,這意味著它在承受瞬間高能量沖擊時(shí)具有更好的穩(wěn)定性和可靠性。
- 高浪涌電流容量:能夠承受較大的浪涌電流,確保在電源系統(tǒng)出現(xiàn)瞬間過(guò)載時(shí),二極管不會(huì)損壞。
- 正溫度系數(shù):正溫度系數(shù)使得二極管在并聯(lián)使用時(shí),電流能夠更加均勻地分配,避免因溫度差異導(dǎo)致的電流不均衡問(wèn)題,從而提高了系統(tǒng)的可靠性。
- 易于并聯(lián):產(chǎn)品設(shè)計(jì)使得多個(gè)二極管可以方便地并聯(lián)使用,以滿足更高功率的應(yīng)用需求。
- 無(wú)反向恢復(fù)和正向恢復(fù):消除了反向恢復(fù)電流和正向恢復(fù)過(guò)程,減少了開關(guān)損耗,提高了系統(tǒng)的效率。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
NDC25170A適用于多種工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景,包括:
- 工業(yè)電機(jī)負(fù)載:在工業(yè)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路中,能夠提高電機(jī)的效率和可靠性。
- 風(fēng)力發(fā)電逆變器:適應(yīng)風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的高電壓、高功率需求,提高發(fā)電效率。
- 太陽(yáng)能逆變器:在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中,有助于提高能量轉(zhuǎn)換效率,降低系統(tǒng)成本。
- 不間斷電源(UPS):為UPS系統(tǒng)提供穩(wěn)定的電源保護(hù),確保系統(tǒng)在停電時(shí)能夠正常運(yùn)行。
- 功率開關(guān)電路:在各種功率開關(guān)電路中,發(fā)揮其高效、可靠的開關(guān)性能。
四、芯片信息
- 晶圓直徑:采用6英寸晶圓,提高了生產(chǎn)效率和芯片的一致性。
- 芯片尺寸:芯片尺寸為4000 x 4000μm(包括劃片道),為電路設(shè)計(jì)提供了合適的尺寸。
- 金屬化層:
- 芯片厚度:典型厚度為200μm,有利于散熱和封裝。
- 鍵合焊盤尺寸:陽(yáng)極鍵合焊盤尺寸為3324 x 3324μm,推薦使用20mil x 3的鍵合線(基于TO - 247封裝)。
五、絕對(duì)最大額定值
| 符號(hào) | 參數(shù) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| VRRM | 重復(fù)峰值反向電壓 | 1700 | V |
| EAS | 單脈沖雪崩能量(特定條件) | 506 | mJ |
| IF($T_{C}<153^{circ} C$) | 連續(xù)整流正向電流 | 25 | A |
| IF($T_{C}<135^{circ} C$) | 連續(xù)整流正向電流 | 35 | A |
| IF, Max($T_{C}=25^{circ} C, 10 mu s$) | 非重復(fù)峰值正向浪涌電流 | 1435 | A |
| IF, Max($T_{C}=150^{circ} C, 10 mu s$) | 非重復(fù)峰值正向浪涌電流 | 1428 | A |
| F,SM(半正弦脈沖,$t_{p}=8.3 ~ms$) | 非重復(fù)正向浪涌電流 | 220 | A |
| 功率耗散($T_{C}=25^{circ} C$) | 功率耗散 | 385 | W |
| 功率耗散($T_{C}=150^{circ}C$) | 功率耗散 | 64 | W |
| TJ, TSTG | 工作和存儲(chǔ)溫度范圍 | -55 to +175 | °C |
需要注意的是,超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。
六、熱特性
熱阻($R_{theta JC}$),即結(jié)到外殼的最大熱阻為0.39°C/W,良好的熱特性有助于芯片在工作過(guò)程中及時(shí)散熱,保證其穩(wěn)定性。
七、電氣特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VF($I{F}=25 ~A, ~T{J}=25^{circ} C$) | 正向電壓 | 1.50 | 1.75 | V | ||
| VF($I{F}=25 ~A, ~T{J}=125^{circ} C$) | 正向電壓 | 1.95 | 2.35 | V | ||
| VF($I{F}=25 ~A, ~T{J}=175^{circ} C$) | 正向電壓 | 2.32 | 2.8 | V | ||
| IR($V{R}=1700 V, T{J}=25°C$) | 反向電流 | 0.08 | 40 | μA | ||
| IR($V{R}=1700 ~V, ~T{J}=125^{circ} C$) | 反向電流 | 0.58 | 60 | μA | ||
| IR($V{R}=1700 ~V, ~T{J}=175^{circ} C$) | 反向電流 | 4.24 | 100 | μA | ||
| Qc($V = 800 V$) | 總電容電荷 | 169 | nC | |||
| C($V_{R}=1 V, f = 100 kHz$) | 總電容 | 2025 | pF | |||
| C($V_{R}=400 ~V, f=100 kHz$) | 總電容 | 155 | pF | |||
| C($V_{R}=800 ~V, f=100 kHz$) | 總電容 | 109 | pF |
產(chǎn)品的電氣特性是在特定測(cè)試條件下給出的,如果工作條件不同,實(shí)際性能可能會(huì)有所差異。
八、典型特性曲線
文檔中還給出了一系列典型特性曲線,包括正向特性、反向特性、電流降額、功率降額、電容電荷與反向電壓關(guān)系、電容與反向電壓關(guān)系、電容存儲(chǔ)能量以及結(jié)到外殼的瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解產(chǎn)品在不同工作條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行更合理的電路設(shè)計(jì)。
九、訂購(gòu)信息
NDC25170A的芯片尺寸為4000 x 4000μm(含劃片道),采用晶圓銷售的方式,不提供特定封裝。
安森美NDC25170A碳化硅肖特基二極管憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,為電子工程師在設(shè)計(jì)高效、可靠的功率系統(tǒng)時(shí)提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。你在實(shí)際應(yīng)用中是否使用過(guò)類似的碳化硅二極管呢?它們的表現(xiàn)如何?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
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