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高性能ISM頻段OOK/FSK發(fā)射機(jī)IC——ADF7901深度解析

h1654155282.3538 ? 2026-04-30 15:00 ? 次閱讀
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高性能ISM頻段OOK/FSK發(fā)射機(jī)IC——ADF7901深度解析

在如今的無(wú)線通信領(lǐng)域,低功耗、高性能的發(fā)射機(jī)IC是實(shí)現(xiàn)高效無(wú)線連接的關(guān)鍵。ADF7901作為一款出色的單芯片低功耗UHF發(fā)射機(jī),在RF遙控設(shè)備等應(yīng)用中展現(xiàn)出了卓越的性能。下面我們就來(lái)深入了解一下這款芯片。

文件下載:ADF7901.pdf

1. 芯片特性

1.1 頻率與功耗

  • 頻率范圍:采用分?jǐn)?shù)N PLL和完全集成的VCO,可在369.5 MHz至395.9 MHz頻率范圍內(nèi)工作。
  • 功耗表現(xiàn):3.0 V供電電壓下,在384 MHz、12 dBm輸出時(shí),電流消耗低至26 mA,還有功耗極低的掉電模式(<1 μA)。

    1.2 數(shù)據(jù)速率與調(diào)制

  • 數(shù)據(jù)速率:支持高達(dá)50 kbps的數(shù)據(jù)速率。
  • 調(diào)制方式:能夠在八個(gè)不同通道上進(jìn)行頻移鍵控(FSK)調(diào)制,通過三條外部控制線選擇通道;開關(guān)鍵控(OOK)調(diào)制則通過調(diào)制PA控制線實(shí)現(xiàn)。

    1.3 封裝形式

    采用24引腳TSSOP封裝,便于在電路板上進(jìn)行布局和焊接。

2. 工作原理與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

2.1 功能框圖與工作原理

芯片內(nèi)部的VCO工作頻率是輸出頻率的2倍,VCO輸出端的二分頻可減少PA饋通,輕松實(shí)現(xiàn)大于50 dB的OOK調(diào)制深度。通過調(diào)整系統(tǒng)中的FSK_ADJ和ASK_ADJ電阻,可針對(duì)每種調(diào)制方案優(yōu)化輸出功率,還為較低通道組額外提供1.5 dB的輸出功率以調(diào)整天線性能。CE線可使發(fā)射機(jī)完全掉電,此時(shí)漏電流通常為0.1 μA。

2.2 電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)

2.2.1 環(huán)路濾波器

環(huán)路濾波器將電荷泵的電流脈沖積分形成電壓,用于將VCO的輸出調(diào)諧到所需頻率,同時(shí)衰減PLL產(chǎn)生的雜散電平。推薦的環(huán)路濾波器設(shè)計(jì)帶寬為297 kHz,這是在拍頻雜散衰減和最小化PA開啟時(shí)的啁啾之間進(jìn)行權(quán)衡的結(jié)果。在FSK模式下,使用更窄的環(huán)路帶寬可改善雜散性能,例如對(duì)于20 kbps的數(shù)據(jù)速率,約50 kHz的環(huán)路帶寬較為合適。

2.2.2 通道頻率

九個(gè)通道頻率可通過改變分?jǐn)?shù)PLL中的N和F值從單個(gè)9.8304 MHz晶體參考獲得,通道頻率公式為 (F{CHANNEL }=F{REF } times(N+F))。不過VCO通常在344 MHz至401 MHz頻率范圍內(nèi)調(diào)諧,只要使用所需的參考頻率,就可獲得該范圍內(nèi)的任何通道頻率。

3. 規(guī)格參數(shù)

3.1 RF特性

通道 頻率(MHz)
1 369.5
2 371.1
3 375.3
4 376.9
5 384.0
6 388.3
7 391.5
9 395.9

3.2 傳輸參數(shù)

  • 傳輸速率:FSK和OOK模式下均支持高達(dá)50 kbps。
  • 頻率偏移:FSK分離為 -34.8 kHz(數(shù)據(jù) = 1),OOK為 +34.8 kHz(數(shù)據(jù) = 0)。
  • 調(diào)制深度:輸出功率為12 dBm時(shí),調(diào)制深度為83 dB。
  • 輸出功率:不同頻率范圍有不同的輸出功率表現(xiàn),如 (f{OUT} ≤ 384 MHz) 時(shí),輸出功率為10 - 12 dBm;(f{OUT} > 384 MHz) 時(shí),為7 - 10.5 dBm。

3.3 其他參數(shù)

還包括鎖相環(huán)(PLL)的VCO增益、雜散、諧波等參數(shù),以及參考輸入、功率放大器、時(shí)序信息和溫度范圍等方面的規(guī)格。

4. 引腳配置與功能

引腳編號(hào) 引腳名稱 功能描述
1 DV DD 數(shù)字電路電源,需3.0 V,應(yīng)盡可能靠近該引腳放置去耦電容到模擬接地平面。
2 C REG1 應(yīng)添加2.2 μF電容以降低調(diào)節(jié)器噪聲并提高穩(wěn)定性。
3 CP OUT 電荷泵輸出,產(chǎn)生的電流脈沖在環(huán)路濾波器中積分。
4 TxDATA 輸入要傳輸?shù)臄?shù)字FSK數(shù)據(jù)。
5 D GND 數(shù)字部分接地。
6 NC 無(wú)連接。
7 D GND 數(shù)字部分接地。
9 OSC2 與地之間應(yīng)連接電容,參考晶體應(yīng)連接在該引腳和OSC1引腳之間。
10 OOK_SEL 該引腳為高電平時(shí),CE為高時(shí)選擇384 MHz的OOK模式。
11 FSK1 FSK通道選擇引腳,代表通道選擇引腳的最低有效位。
12 FSK2 FSK通道選擇引腳。
13 FSK3 FSK通道選擇引腳。
14 CE 拉低該引腳使ADF7901進(jìn)入掉電模式,電流消耗 <1 μA。
15 RSET_OOK 該電阻值設(shè)置OOK模式下數(shù)據(jù) = 1時(shí)的輸出功率。
16 RSET_FSK 該電阻值設(shè)置FSK模式下的輸出功率。
17 C VCO 應(yīng)在C VCO和C REG2引腳之間連接22 nF電容,以確保VCO穩(wěn)定運(yùn)行。
18 VCO IN 該引腳的調(diào)諧電壓決定VCO的輸出頻率。
19 RF GND 發(fā)射機(jī)輸出級(jí)接地。
20 RF OUT 調(diào)制信號(hào)從此引腳輸出,輸出功率范圍為 -5 dBm至 +12 dBm。
21 DV DD VCO和PA部分的電壓電源,需3.0 V,應(yīng)靠近該引腳放置去耦電容到接地平面。
22 PA_EN 用于啟用功率放大器,OOK模式下用OOK數(shù)據(jù)調(diào)制,F(xiàn)SK模式下PLL鎖定時(shí)啟用。
23 R SET 外部電阻,設(shè)置電荷泵電流和一些內(nèi)部偏置電流,默認(rèn)使用3.6 kΩ。
24 C REG2 應(yīng)添加2.2 μF電容以降低調(diào)節(jié)器噪聲并提高穩(wěn)定性。

5. 布局指南

5.1 去耦

在芯片的電源引腳附近應(yīng)盡可能靠近放置去耦電容(高頻22 pF,低頻100 nF),推薦使用0402和0603尺寸的元件以實(shí)現(xiàn)電源的高頻抑制。

5.2 調(diào)節(jié)器穩(wěn)定性

(C{REG 1}) 和 (C{REG2}) 上至少需要1 μF電容以確保穩(wěn)定性,還可添加22 pF電容以抑制更高頻率的噪聲。

5.3 接地

添加去耦電容后,要重視接地。PA級(jí)在最大功率模式下會(huì)切換15 mA的電流,會(huì)導(dǎo)致接地變化,產(chǎn)生大的回流電流,可能輻射到電路板的其他部分。應(yīng)確保從 (RF_{GND}) 到電池接地的最短且無(wú)障礙的接地路徑,4層電路板和頂層敷銅有助于改善接地,接地路徑不應(yīng)有過孔,且應(yīng)采用寬走線。

5.4 電源

電源走線可通過過孔布線,因?yàn)檫^孔可作為自由電感,便于在2層電路板上進(jìn)行布局,走線應(yīng)盡量寬。

5.5 數(shù)字線

數(shù)字線應(yīng)串聯(lián)一個(gè)大電阻,以阻擋包括諧波和載波頻率在內(nèi)的多種頻率信號(hào)。長(zhǎng)控制線可能會(huì)像天線一樣工作,可添加接地電容,線路本身和數(shù)字引腳輸入處已有一定的接地電容。

6. 總結(jié)

ADF7901憑借其低功耗、高性能和靈活的調(diào)制方式,在RF遙控設(shè)備等應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。在設(shè)計(jì)使用該芯片時(shí),需要充分考慮其各項(xiàng)特性和布局要求,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似芯片的布局挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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