ISL62773:AMD Fusion桌面CPU的多相PWM調(diào)節(jié)器解決方案
在電子設計領域,為AMD Fusion?桌面CPU提供穩(wěn)定、高效的電源管理是一項關(guān)鍵任務。ISL62773作為一款專門為此設計的多相PWM調(diào)節(jié)器,展現(xiàn)出了卓越的性能和豐富的功能。下面我們就來詳細了解一下這款產(chǎn)品。
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產(chǎn)品概述
ISL62773完全符合AMD Fusion? SVI 2.0標準,為桌面微處理器和圖形處理器核心電源提供了完整的解決方案。它支持兩個電壓調(diào)節(jié)器(VR),配備三個集成柵極驅(qū)動器和兩個可選的外部驅(qū)動器,提供了極大的靈活性。Core VR可配置為3相、2相或1相操作,而Northbridge VR支持2相或1相配置。兩個VR共享一個串行控制總線與AMD CPU通信,與雙芯片解決方案相比,降低了成本并減小了電路板面積。
關(guān)鍵特性
1. 支持AMD SVI 2.0接口
支持AMD SVI 2.0串行數(shù)據(jù)總線接口,串行VID時鐘頻率范圍為100kHz至25MHz,確保了與AMD CPU的高效通信。
2. 雙輸出控制器與集成驅(qū)動器
具有雙輸出控制器和集成驅(qū)動器,包括兩個專用核心驅(qū)動器和一個可編程驅(qū)動器,可用于核心或北橋。
3. 精確電壓調(diào)節(jié)
能實現(xiàn)精確的電壓調(diào)節(jié),系統(tǒng)在全溫度范圍內(nèi)的精度可達0.5%,輸出電壓范圍為0.5V至1.55V,步長為6.25mV,同時增強了負載線精度。
4. 多種電流傳感方法
支持無損電感DCR電流傳感和精密電阻電流傳感等多種電流傳感方法,滿足不同應用場景的需求。
5. 可編程相數(shù)配置
核心輸出可配置為1相、2相或3相,北橋輸出可配置為1相或2相,適應不同的功率需求。
6. 自適應體二極管導通時間減少
通過自適應體二極管導通時間減少技術(shù),提高了輕載效率。
7. 出色的抗噪和瞬態(tài)響應
具備出色的抗噪能力和瞬態(tài)響應性能,確保在負載變化時能快速穩(wěn)定輸出電壓。
8. 輸出電流和熱監(jiān)測
提供輸出電流監(jiān)測和熱監(jiān)測功能,保障系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運行。
9. 差分遠程電壓傳感
采用差分遠程電壓傳感技術(shù),提高了電壓調(diào)節(jié)的精度。
10. 全負載范圍高效
在整個負載范圍內(nèi)都能保持高效運行,降低了功耗。
11. 可編程參數(shù)
可對兩個輸出的壓擺率、VID偏移、下垂和開關(guān)頻率進行編程,滿足不同的設計需求。
12. 保護功能
具備過流(OCP)、過壓(OVP)、電源良好(PGOOD)和熱監(jiān)測等保護功能,增強了系統(tǒng)的可靠性。
13. 小尺寸封裝
采用48引腳6x6 QFN封裝,無鉛(符合RoHS標準),節(jié)省了電路板空間。
工作原理
多相R3?調(diào)制器
ISL62773采用Intersil專利的R3?(Robust Ripple Regulator)調(diào)制器,結(jié)合了固定頻率PWM和滯環(huán)PWM的優(yōu)點,同時消除了它們的許多缺點。在IC內(nèi)部,調(diào)制器使用主時鐘電路為從電路生成時鐘。通過控制紋波電容器的充放電,實現(xiàn)PWM脈沖的生成和分配。在不同的相數(shù)配置下,主時鐘信號會以不同的相位差分配到各個相,從而實現(xiàn)精確的控制。與傳統(tǒng)的滯環(huán)模式和固定PWM模式控制器相比,R3?調(diào)制器具有更低的相位抖動和更高的輸出電壓精度。在負載插入和釋放時,它能自動調(diào)整開關(guān)頻率,提高控制環(huán)路帶寬,實現(xiàn)快速響應。
二極管仿真和周期拉伸
ISL62773可以在二極管仿真(DE)模式下工作,以提高輕載效率。在DE模式下,低側(cè)MOSFET在電流從源極流向漏極時導通,不允許反向電流,從而模擬二極管的行為。當負載電流較輕時,電感電流可能會在下次相節(jié)點脈沖之前達到并保持為零,此時調(diào)節(jié)器處于不連續(xù)導通模式(DCM);當負載電流較重時,電感電流不會達到0A,調(diào)節(jié)器處于連續(xù)導通模式(CCM)。通過周期拉伸技術(shù),在輕載時減少開關(guān)頻率,進一步提高了輕載效率。
通道配置
可以通過將不需要的通道的ISENx引腳連接到+5V來禁用VR的各個PWM通道。例如,在2 + 1配置中,將Core VR的ISEN3和Northbridge VR的ISEN2連接到+5V,可禁用相應的通道。這種功能允許對單個VR輸出進行調(diào)試。
上電復位
在控制器有足夠的偏置以保證正常運行之前,ISL62773需要將+5V輸入電源連接到VDD和VDDP,使其超過VDD上升上電復位(POR)閾值。達到或超過該閾值后,當ENABLE信號變?yōu)楦唠娖綍r,ISL62773會檢查SVI輸入的狀態(tài)。VDD POR上升和下降閾值之間的遲滯確保了ISL62773不會意外關(guān)閉,除非偏置電壓大幅下降。
啟動時序
當VDD高于POR閾值且ENABLE超過邏輯高閾值時,控制器開始啟動。在典型的8ms延遲期間,控制器會檢查一些編程引腳的狀態(tài),然后開始軟啟動Core和Northbridge輸出。預PWROK Metal VID從SVC和SVD引腳的狀態(tài)讀取,并對DAC進行編程。通過數(shù)字軟啟動,將內(nèi)部參考逐漸提升到目標電壓,降低了啟動時的浪涌電流。軟啟動結(jié)束后,PGOOD信號變?yōu)楦唠娖剑硎据敵鲭妷涸谡{(diào)節(jié)范圍內(nèi)。
電壓調(diào)節(jié)和負載線實現(xiàn)
軟啟動序列完成后,ISL62773將輸出電壓調(diào)節(jié)到預PWROK Metal VID編程值。它通過差分放大器進行電壓傳感,確保在微處理器管芯處實現(xiàn)精確的電壓調(diào)節(jié)。隨著負載電流的增加,輸出電壓會根據(jù)負載電流按比例下降,以實現(xiàn)負載線。可以通過電感的固有直流電阻(DCR)或與電感串聯(lián)的電阻來感測電感電流,通過調(diào)整相關(guān)參數(shù)可以改變負載線斜率。
差分傳感
采用差分電壓傳感方案,通過遠程電壓傳感信號從處理器管芯獲取VCC SENSE和VSS SENSE信號。通過差分放大器將VSS SENSE電壓加到DAC輸出上,誤差放大器調(diào)節(jié)輸入電壓以實現(xiàn)負載線。為了在沒有處理器安裝的情況下提供電壓反饋,建議添加“捕獲”電阻。
相電流平衡
ISL62773通過監(jiān)測ISEN1、ISEN2和ISEN3電壓來監(jiān)測各個相的平均電流。通過低通濾波器對相節(jié)點電壓進行平均,并將其呈現(xiàn)給相應的ISEN引腳。控制器會調(diào)整相脈沖寬度,使各個相的ISEN電壓相等,從而實現(xiàn)相電流平衡。在設計時,建議使用相同的電感元件,并采用對稱的電路板布局,以減少PCB寄生電阻的影響。
工作模式
Core VR工作模式
Core VR可以配置為3相、2相或1相操作。不同的相數(shù)配置和PSL0_L、PSI1_L命令組合決定了Core VR的工作模式,包括3相CCM、2相CCM、1相CCM和1相DE等模式。通過連接ISEN1到+5V可以完全禁用Core VR。
Northbridge VR工作模式
Northbridge VR可以配置為2相或1相操作。其工作模式由ISEN2_NB引腳狀態(tài)和SVI 2命令的PSI0_L和PSI1_L位編程決定,包括2相CCM、1相CCM和1相DE等模式。通過將ISEN1_NB連接到5V可以完全禁用Northbridge VR。
AMD串行VID接口2.0
預PWROK Metal VID
典型的主板啟動時,控制器會解碼SVC和SVD輸入,確定預PWROK Metal VID設置。當ENABLE輸入超過上升閾值時,ISL62773會解碼并鎖定該值到板載保持寄存器。內(nèi)部DAC電路將Core和Northbridge VR逐漸提升到解碼后的預PWROK Metal VID輸出電平,通過數(shù)字軟啟動減少啟動時的浪涌電流。
SVI接口激活
當Core和Northbridge VR成功軟啟動且PGOOD和PGOOD_NB信號變?yōu)楦唠娖胶螅琍WROK可以被外部斷言。此時,控制器開始積極監(jiān)測SVI接口,接收VID更改命令并相應地調(diào)整輸出電壓。如果PWROK輸入被取消斷言,控制器將Core和Northbridge VR恢復到存儲的預PWROK Metal VID水平。
VID動態(tài)轉(zhuǎn)換
當PWROK為高電平時,ISL62773開始監(jiān)測SVC和SVD引腳的SVI指令。對于高于當前VID水平的VID代碼,控制器以編程的壓擺率將輸出電壓調(diào)整到新的VID目標;對于低于當前VID水平的VID代碼,根據(jù)功率狀態(tài)位的狀態(tài),控制器會采取不同的調(diào)整方式,以確保系統(tǒng)的快速恢復和穩(wěn)定運行。
SVI數(shù)據(jù)通信協(xié)議
SVI WIRE協(xié)議基于I2C總線概念,通過串行時鐘(SVC)和串行數(shù)據(jù)(SVD)兩根線在AMD處理器(主設備)和VR控制器(從設備)之間傳輸信息。主設備發(fā)起和終止SVI事務,并驅(qū)動時鐘信號。移動SVI WIRE協(xié)議時序基于高速模式I2C。
保護功能
過流保護
當IMON電阻兩端的電壓達到1.5V時,過流保護被觸發(fā)??刂破鲿跈z測到IMON電壓后的2μs內(nèi)將VR_HOT_L置為低電平,通知AMD CPU降低負載。故障計時器開始計數(shù),持續(xù)7.5μs至11μs后標記OCP故障,控制器將活動通道三態(tài)化并進入關(guān)機狀態(tài)。此外,還有Way-Overcurrent(WOC)保護功能,當IMON電流達到15μA時,立即觸發(fā)保護,將控制器置于關(guān)機狀態(tài)。
電流平衡保護
控制器通過監(jiān)測ISENx引腳電壓來實現(xiàn)電流平衡保護。如果ISENx引腳電壓差在1ms內(nèi)大于9mV,控制器將宣布故障并鎖定關(guān)閉。
欠壓保護
當VSEN電壓低于輸出電壓VID值加上任何編程偏移量325mV時,控制器宣布欠壓故障,取消PGOOD信號并將功率MOSFET三態(tài)化。
過壓保護
當VSEN電壓超過輸出電壓VID值加上任何編程偏移量325mV時,控制器宣布過壓故障,取消PGOOD信號并打開低側(cè)功率MOSFET,直到輸出電壓降至VID設定值以下。
熱監(jiān)測
ISL62773具有兩個熱監(jiān)測器,使用包含NTC熱敏電阻的外部電阻網(wǎng)絡監(jiān)測主板溫度。當NTC引腳電壓降至警告閾值640mV或以下時,控制器將VR_HOT_L置為低電平,通知AMD CPU降低負載電流。當NTC引腳電壓繼續(xù)降至關(guān)機閾值580mV或以下時,控制器進入關(guān)機狀態(tài)并觸發(fā)熱故障。
關(guān)鍵組件選擇
電感DCR電流傳感網(wǎng)絡
在電感DCR電流傳感網(wǎng)絡中,電感電流通過DCR產(chǎn)生電壓降,通過電阻網(wǎng)絡準確感測電感電流。使用NTC熱敏電阻對電感DCR變化進行溫度補償,確保在不同溫度下準確感測電流。通過合理選擇電阻和電容參數(shù),可以使Cn電壓準確代表電感總直流電流,并實現(xiàn)良好的瞬態(tài)響應。同時,為了減少輸出電壓的振鈴問題,可以采用一些可選電路進行優(yōu)化。
電阻電流傳感網(wǎng)絡
電阻電流傳感網(wǎng)絡通過串聯(lián)電流傳感電阻來捕獲電感電流信息。與電感DCR傳感不同,電阻電流傳感不需要NTC網(wǎng)絡,因為電流傳感電阻值在溫度變化時變化較小。推薦的電阻和電容值可以提供良好的噪聲衰減效果。
過流保護
過流保護通過設置IMON電阻兩端的電壓閾值來實現(xiàn)。設計時需要根據(jù)AMD CPU的EDC電流值來選擇合適的電流反饋組件和設置OCP水平,確保系統(tǒng)在正常運行和異常情況下都能得到有效的保護。
負載線斜率
負載線斜率可以通過調(diào)整相關(guān)電阻參數(shù)來實現(xiàn)。對于電感DCR傳感和電阻傳感,都有相應的計算公式來確定負載線斜率。在實際設計中,需要根據(jù)具體的負載需求和系統(tǒng)要求進行參數(shù)調(diào)整和優(yōu)化。
補償器
Intersil提供了基于Microsoft Excel的電子表格來幫助設計補償器和電流傳感網(wǎng)絡,使VR實現(xiàn)恒定輸出阻抗,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。通過分析電壓環(huán)路和下垂環(huán)路的增益?zhèn)鬟f函數(shù)T1(s)和T2(s),可以設計出具有足夠相位裕度和合適輸出阻抗的補償器。
電流平衡
ISL62773通過匹配ISEN引腳電壓來實現(xiàn)電流平衡。使用Risen和Cisen組成的濾波器去除相節(jié)點電壓的開關(guān)紋波,推薦使用較長的Risen Cisen時間常數(shù),以確保ISEN電壓能夠準確代表電感中的直流電流。
熱監(jiān)測組件選擇
熱監(jiān)測組件的選擇需要根據(jù)NTC熱敏電阻在不同溫度下的電阻變化來確定。通過計算在警告閾值和關(guān)機閾值下的等效電阻,可以選擇合適的NTC熱敏電阻和串聯(lián)電阻,確保系統(tǒng)在過熱時能夠及時采取保護措施。
布局指南
PCB布局考慮
在PCB布局方面,功率層應靠近放置,弱模擬或邏輯信號層應位于電路板的另一側(cè),接地層應與信號層相鄰以提供屏蔽。功率組件(如MOSFET、輸入和輸出電容器、電感)應首先放置,并且每個功率列車應采用對稱布局,控制器應與每個功率列車等距放置,以確保熱量均勻分布。同時,要注意保持功率列車與控制IC之間的距離短,以縮短柵極驅(qū)動走線。
組件放置
MOSFET的放置應盡量使上MOSFET的源極和下MOSFET的漏極靠近,輸入高頻電容器應靠近上MOSFET的漏極和下MOSFET的源極放置,輸出電感和輸出電容器應放置在MOSFET和負載之間。高頻輸出去耦電容器應盡可能靠近去耦目標(微處理器)放置。此外,要注意避免在IC下方區(qū)域布置具有高dV/dt和di/dt的噪聲走線。
引腳布局指南
對于每個引腳,都有相應的布局指南。例如,GND引腳應通過低阻抗路徑連接到接地平面;ISEN引腳的電容器應靠近控制器放置,并保持相關(guān)環(huán)路??;NTC熱敏電阻應靠近被監(jiān)測的熱源放置;IMON電阻應靠近相應引腳放置,并保持良好的接地連接等。
ISL62773作為一款高性能的多相PWM調(diào)節(jié)器,為AMD Fusion桌面CPU提供了全面、可靠的電源管理解決方案。通過深入了解其特性、工作原理、保護功能和布局要求,電子工程師可以更好地設計出滿足需求的電源系統(tǒng)。你在使用ISL62773的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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