此外，MAX2120還包含全單片壓控振蕩器（VCO）和完整的頻率合成器，片上晶體振蕩器及其緩沖輸出可用于驅(qū)動(dòng)其他調(diào)諧器和解調(diào)器。

二、產(chǎn)品特性

寬頻率范圍

工作頻率范圍從925MHz到2175MHz，能夠滿足多種衛(wèi)星信號(hào)接收需求。

高性能VCO

采用單片VCO，無需校準(zhǔn)，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程。

高動(dòng)態(tài)范圍

具有 - 75dBm至0dBm的高動(dòng)態(tài)范圍，可適應(yīng)不同強(qiáng)度的信號(hào)輸入。

可變帶寬低通濾波器

集成4MHz至40MHz的可變帶寬低通濾波器，可根據(jù)實(shí)際需求靈活調(diào)整。

單電源供電

僅需單 + 3.3V ± 5% 電源，降低了電源設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。

低功耗模式

具備低功耗待機(jī)模式，在不影響參考振蕩器、數(shù)字接口和緩沖電路的情況下，關(guān)閉信號(hào)路徑，有效降低功耗。

多調(diào)諧器應(yīng)用支持

設(shè)有地址引腳，適用于多調(diào)諧器應(yīng)用，可配置兩種2線接口地址。

差分I/Q接口

提供差分I/Q接口，提高信號(hào)傳輸?shù)目垢蓴_能力。

2線串行接口

采用I2C 2線串行接口，方便進(jìn)行寄存器編程和設(shè)備配置。

小型封裝

采用28引腳薄型QFN封裝，節(jié)省電路板空間。

三、電氣特性

直流電氣特性

在特定測(cè)試條件下，其電源電壓范圍為3.13V至3.47V，接收模式下電源電流為100 - 160mA，待機(jī)模式下僅為3mA。不同引腳的輸入電壓、電流等參數(shù)也有明確的規(guī)定，例如地址選擇輸入（ADDR）的數(shù)字輸入高電平為2.4V，低電平為0.5V。

交流電氣特性

主信號(hào)路徑性能方面，輸入頻率范圍為925 - 2175MHz，RF增益控制范圍（GC1）可達(dá)65 - 73dB，基帶增益控制范圍為13 - 15dB。還具備良好的線性度和噪聲性能，如帶內(nèi)輸入IP3為 + 2dBm，帶外輸入IP3為 + 15dBm，輸入IP2為 + 40dBm，噪聲系數(shù)在不同條件下有所不同。

基帶輸出特性方面，標(biāo)稱輸出電壓擺幅為0.5 - 1V P - P，I/Q幅度不平衡在500kHz測(cè)量時(shí)為 ± 1dB，I/Q正交相位不平衡為3.5°，單端I/Q輸出阻抗為30Ω等。

頻率合成器方面，RF分頻器頻率范圍為925 - 2175MHz，參考分頻器頻率范圍為4 - 30MHz等。

四、引腳說明

MAX2120共有28個(gè)引腳，每個(gè)引腳都有其特定的功能。例如，VCC_RF2和VCC_RF1為L(zhǎng)NA提供直流電源，需連接到 + 3.3V低噪聲電源，并通過1nF電容旁路到地；RFIN為寬帶75Ω射頻輸入，需通過隔直電容連接到射頻源；GC1為RF增益控制輸入，輸入范圍為0.5V至2.7V等。工程師在設(shè)計(jì)時(shí)，需要根據(jù)引腳功能進(jìn)行合理的連接和布局。

五、寄存器配置

MAX2120包含12個(gè)用戶可編程寄存器和2個(gè)只讀寄存器。不同的寄存器用于設(shè)置不同的參數(shù)，如N分頻器寄存器用于設(shè)置PLL整數(shù)分頻系數(shù)，電荷泵寄存器用于控制電荷泵的相關(guān)參數(shù)，低通濾波器寄存器用于設(shè)置基帶低通濾波器的3dB截止頻率等。通過合理配置這些寄存器，可以實(shí)現(xiàn)調(diào)諧器的各種功能。

六、2線串行接口

MAX2120采用I2C兼容的2線串行接口，由串行數(shù)據(jù)線（SDA）和串行時(shí)鐘線（SCL）組成。主設(shè)備通過發(fā)起START條件開始數(shù)據(jù)傳輸，通過STOP條件結(jié)束傳輸。數(shù)據(jù)傳輸過程中，還涉及ACK和NACK信號(hào)，用于確認(rèn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)某晒εc否。在讀寫操作時(shí)，需要按照特定的流程進(jìn)行，例如寫操作時(shí)，先發(fā)送從設(shè)備地址和寫位，再發(fā)送要寫入的寄存器地址和數(shù)據(jù)；讀操作時(shí)，先發(fā)送從設(shè)備地址和寫位以指定要讀取的寄存器地址，然后再次發(fā)送從設(shè)備地址和讀位開始讀取數(shù)據(jù)。

七、應(yīng)用信息

RF輸入

RF輸入內(nèi)部匹配到75Ω，僅需一個(gè)隔直電容即可連接到射頻源。

RF增益控制

可變?cè)鲆娴驮肼暦糯笃魈峁?3dB的RF增益范圍，電壓控制范圍為0.5V（最小衰減）至2.7V（最大衰減）。

基帶可變?cè)鲆娣糯笃?/h3>

接收機(jī)基帶可變?cè)鲆娣糯笃魈峁?5dB的增益控制范圍，可通過SPI接口設(shè)置控制寄存器中的BBG[3:0]位進(jìn)行編程。

基帶低通濾波器

片上可編程7階巴特沃斯濾波器的 - 3dB截止頻率可通過設(shè)置低通寄存器中的LPF[7:0]位進(jìn)行調(diào)整，范圍約為4MHz至40MHz。

DC偏移消除

通過在IDC + 和IDC - 之間、QDC + 和QDC - 之間連接外部電容，形成I通道和Q通道的高通濾波器，以保持I/Q輸出動(dòng)態(tài)范圍。

XTAL振蕩器

內(nèi)部參考振蕩器、參考輸出分頻器和輸出緩沖器，只需通過串聯(lián)1nF電容連接晶體即可。晶體和串聯(lián)電容應(yīng)盡量靠近XTAL引腳，以減少寄生效應(yīng)。

VCO自動(dòng)選擇（VAS）

MAX2120包含24個(gè)VCO，可通過編程VCO寄存器中的VCO[4:0]位手動(dòng)選擇本地振蕩器頻率，也可通過設(shè)置VAS位為邏輯高電平實(shí)現(xiàn)自動(dòng)選擇。

3位ADC

內(nèi)部3位ADC連接到VCO調(diào)諧引腳（VTUNE），可用于檢查VCO的鎖定狀態(tài)。

待機(jī)模式

通過I2C接口可設(shè)置正常工作模式和待機(jī)模式。將控制寄存器中的PWDN位置為邏輯高電平可啟用掉電模式，此時(shí)除2線兼容總線外的所有電路均被禁用，可在掉電狀態(tài)下對(duì)寄存器進(jìn)行編程。

八、布局考慮

在PCB布局時(shí)，應(yīng)參考MAX2120 EV套件。盡量縮短RF信號(hào)線，以減少損耗和輻射；對(duì)所有高頻走線采用受控阻抗；將暴露焊盤均勻焊接到電路板的接地平面，使用大量過孔以實(shí)現(xiàn)最大散熱；在RF走線之間使用大量接地過孔，以減少不必要的耦合；每個(gè)VCC引腳通過1nF電容盡可能靠近引腳旁路到地。

MAX2120以其卓越的性能、豐富的功能和良好的可配置性，為衛(wèi)星調(diào)諧器設(shè)計(jì)提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。工程師在使用時(shí)，需要深入理解其各項(xiàng)特性和參數(shù)，合理進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和布局，以充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)。你在使用類似調(diào)諧器時(shí)遇到過哪些問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。