近日，英特爾大連廠(Fab68)非易失性存儲(chǔ)二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動(dòng)儀式在大連舉行。同時(shí)，英特爾宣布新工廠采用世界最先進(jìn)的96層堆疊3D NAND閃存芯片制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并將會(huì)成為英特爾NAND閃存的最核心生產(chǎn)基地，貢獻(xiàn)大約70％的產(chǎn)能。

該廠于2015年10月開建，將原用于處理器的封裝測試改建為用于生產(chǎn)NAND閃存芯片，總投資55億美元（約合人民幣380億元）。

近年來全球DRAM技術(shù)持續(xù)發(fā)展，閃存芯片更已成為移動(dòng)裝置重要零組件，并在物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等日出不窮的新興應(yīng)用中扮演重要角色。而中國的消費(fèi)市場快速崛起正成為新老牌存儲(chǔ)器廠商的“兵家必爭之地”，前有英特爾如此大肆投資、轉(zhuǎn)換新的存儲(chǔ)器工廠，后有國內(nèi)三大陣營逐漸成型，在自主存儲(chǔ)芯片來襲的當(dāng)下，中國市場的布局已儼然存儲(chǔ)器群雄兵家必爭之地。

英特爾的“二戰(zhàn)”之路離不開中國市場

“沒有一個(gè)人的生活道路是筆直的，沒有岔道的。有些岔道口……走錯(cuò)一步，可以影響人生的一個(gè)時(shí)期，也可以影響一生。”這是路遙作品《人生》的開篇題記，同樣，對(duì)于一家企業(yè)來說，在其存在和發(fā)展的過程中，也存在著一些關(guān)鍵岔道，有可能意味著企業(yè)有機(jī)會(huì)上升到一個(gè)新的高度，但它也同樣標(biāo)志著企業(yè)沒落的開端。

回望英特爾的存儲(chǔ)器之路，充滿曲折蜿蜒。早已在1985年，選擇徹底放棄存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)，轉(zhuǎn)為專攻芯片領(lǐng)域，使得其成為PC和服務(wù)器芯片的霸主。然而，如今面對(duì)三星的步步緊逼，更是被后者奪得全球老大位置的巨大壓力下，一直在存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)上“舉棋不定”的英特爾走出了關(guān)鍵一步——增強(qiáng)在中國市場的話語權(quán)。

中國目前已經(jīng)是全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中最為重要的市場。本月19日，在中國閃存市場峰會(huì)上公布的數(shù)據(jù)顯示，2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到1500億美元，其中NAND Flash將超過570億美元，而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%。另據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2017年全球半導(dǎo)體總營收為4197億美元，相較2016年成長23.8％。其中，存儲(chǔ)器占所有半導(dǎo)體市場營收成長逾三分之二，而中國市場則占到了存儲(chǔ)器市場的50%。

顯然，對(duì)于英特爾而言，以存儲(chǔ)器立足中國市場的重要性不言而喻。除了對(duì)抗三星外，從市場角度看，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)更可以將內(nèi)存整合到處理器中，這樣可以大幅度提升整機(jī)的性能，增強(qiáng)Intel的處理器業(yè)務(wù)競爭力。

但是，在群雄逐鹿的國內(nèi)市場里，除了老牌競爭對(duì)手，還有一批國產(chǎn)“生力軍”正悄然壯大。

國產(chǎn)存儲(chǔ)器企業(yè)陣隊(duì)的成形

如果說，中國市場的重要性，和中國政策的戰(zhàn)略扶持在一定程度上決定了存儲(chǔ)企業(yè)在中國的發(fā)展情況的話，那么對(duì)于中國自主存儲(chǔ)芯片企業(yè)而言則是突破口。正如長江存儲(chǔ)CEO楊士寧指出，“選擇3D NAND是企業(yè)需求、外部機(jī)遇和市場動(dòng)力的吻合。這是個(gè)技術(shù)的問題，更是個(gè)經(jīng)濟(jì)的問題?！?/p>

在全球存儲(chǔ)器市場需求的不斷驅(qū)動(dòng)下，國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)也奮起直追，即是當(dāng)下正努力擴(kuò)大產(chǎn)能的武漢長江存儲(chǔ)、合肥長鑫、福建晉華三股新勢力。

在剛剛舉行的第六屆中國電子信息博覽會(huì)上，紫光董事長趙偉國宣布國內(nèi)首款自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層3D NAND閃存芯片將在2018年年底前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；64層3D NAND芯片將會(huì)在2019年進(jìn)入規(guī)模研發(fā)階段，并同步研發(fā)128層256G存儲(chǔ)芯片。這將有望使中國進(jìn)入全球存儲(chǔ)芯片第一梯隊(duì)。

除了武漢長江存儲(chǔ)的32層3D NAND閃存值得關(guān)注，致力于利基型內(nèi)存的福建晉華早已在2016年7月宣布于福建省晉江市建設(shè)12吋廠，投資金額約53億美元，以目前進(jìn)度來看，其利基型內(nèi)存的試產(chǎn)延后至2018年第三季度，量產(chǎn)時(shí)程也將落在2019年上半年。

反觀專注于移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長鑫其廠房已于2017年6月封頂完工，并開始移入測試用機(jī)臺(tái)。進(jìn)度方面，合肥長鑫則與福建晉華大致相同，量產(chǎn)則暫定在2019年的上半年。此外，合肥長鑫還則直攻三大DRAM廠最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb。

總而言之，以目前三家廠商的進(jìn)度來看，隨著三大陣營的量產(chǎn)關(guān)鍵時(shí)間點(diǎn)皆落在2019年上半年，同時(shí)自主研發(fā)技術(shù)也終將進(jìn)入量產(chǎn)的“深水區(qū)”。

根據(jù)市場分析指出，隨著中國存儲(chǔ)器產(chǎn)品逐步成熟，預(yù)計(jì)2020-2021年合肥長鑫則與福建晉華現(xiàn)有工廠將逐步滿載，在最樂觀的預(yù)估下，屆時(shí)兩家合計(jì)約有每月25萬片的投片規(guī)模，可能將開始影響全球DRAM市場的供給。

另一方面，長江存儲(chǔ)計(jì)劃設(shè)有的三座廠房總產(chǎn)能可能高達(dá)每月30萬片，不排除長江存儲(chǔ)完成64層產(chǎn)品開發(fā)后，可能將進(jìn)行大規(guī)模的投片，進(jìn)而在未來三到五年對(duì)NAND Flash的供給產(chǎn)生重大影響。

另外，值得一提的是，已連續(xù)兩年走高的存儲(chǔ)芯片市場由于供過于求之勢已開始掉頭，DRAM價(jià)格儼然已下跌20-30%，業(yè)內(nèi)人士分析，甚至可能引發(fā)預(yù)期性的價(jià)格崩跌。然而，不管此下行趨勢如何，對(duì)于國內(nèi)存儲(chǔ)業(yè)者而言，唯有義無反顧前行。