韓國研究團隊開發(fā)出了通過將數萬個納米大小的像素組合，改善OLED效率和壽命的技術。

根據10月7日消息，韓國研究財團Ju Byungkwon高麗大學教授，Park Youngwook鮮文大學教授研究團隊通過納米大小的像素，開發(fā)出了即使在高亮度狀態(tài)下也能展現出較高發(fā)光效率的OLED技術。

OLED具備卓越的色彩再現性，較高的對比度和可彎曲的特性等優(yōu)點，在顯示和照明市場上很受歡迎。但是因OLED內部生產的光在通往外部過程中造成光損失，發(fā)光效率較低。在高亮度下效率急劇下降產生的Roll-off(效率滾降)現象，使得OLED存在使用壽命短的問題。

研究團隊將數百納米大小的無數多的納米OLED聚集在一起，形成一個個像素的結構，開發(fā)出了即使在高亮度條件下也能展現出較高發(fā)光效率的OLED。

調節(jié)像素大小和像素間的距離，實現發(fā)光效率的最大化，并改善Roll-off現象。對比之前，能量轉換效率提高了137%，高亮度條件下的效率也改善了2~3倍。

納米像素Array OLED的制作工程圖及激光干涉光刻裝置

在基板上面涂布光敏抗蝕劑后，通過激光干涉光刻，進行納米Patterning。將Patterning后的光敏抗蝕劑作為界定納米像素區(qū)域的PDL使用。PDL上面蒸鍍有機物和金屬，制作出OLED元器件。在激光干涉蝕刻裝置上根據洛埃鏡的角度可以調節(jié)納米像素間的間距，可以通過控制曝光強度和顯像時間，調節(jié)納米像素的大小。

本次研究利用激光的干涉現象，采用了形成納米規(guī)模的Pattern激光干涉光刻技術。不需要Mask便可制作Pattern，并且可制作出更大的面積，也可以應用到顯示、照明用大尺寸OLED上。

Ju Byungkwon教授稱”本次研究通過超高分辨率的納米像素，將能大幅改善在高亮度條件下的OLED發(fā)光效率”，并稱“可作為需要高亮度的OLED照明市場的核心技術而應用，使用壽命將能延長”。

本次的研究成果刊登在9月1日版的納米材料領域國際學術雜志《NanoScale》上。