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內(nèi)存ssd價格走勢跌跌不休背后的原因深度分析

uwzt_icxinwensh ? 2018-10-26 16:24 ? 次閱讀
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據(jù)Digitimes報道,產(chǎn)業(yè)鏈消息人士本周透露,NAND Flash閃存的價格在2019年將繼續(xù)下滑,雖然今年已經(jīng)累計榨干50%水分。

此前的一份報道稱,2019年,SSD每GB的單價會跌至0.08美元(約合0.56元)。

報道稱,價格下滑的主要推手是產(chǎn)能“剎不住車”,包括96層堆疊的3D閃存方案將新鮮登場。文章援引威剛科技董事長陳立白(Simon Chen)的話,廠家會繼續(xù)增加存儲設施的生產(chǎn)能力,只不過,閃存類產(chǎn)品的價格會比今年有更大的降幅。

值得一提的是,明年,我國的長江存儲也將量產(chǎn)NAND存儲芯片,入局SSD上游供應鏈。

另外,DRAM芯片的產(chǎn)能由于被三星、SK海力士和美光三巨頭死死卡住,2019又無增產(chǎn)計劃,看起來難有大的價格波動。

從上游供應解讀閃存價格未來走勢

NAND Flash價格在經(jīng)歷2年漲價的時期后,2018年回歸理性,截至到10月初,2018年NAND Flash價格指數(shù)已累積下滑高達57%,NAND Flash每GB價格下探至0.1美金,基本已回到了2016年漲價前的價格水平。

近期,即使在傳統(tǒng)的Q3旺季,也依然未能扭轉(zhuǎn)NAND Flash價格下滑的頹勢,中國閃存市場ChinaFlashMarket預計,受傳統(tǒng)淡季需求減弱的影響,Q4 NAND Flash價格可能依然持續(xù)下滑的趨勢。

2018年以來,由于NAND Flash價格持續(xù)下滑且跌幅超乎預期,相較于2016年和2017年NAND Flash漲價時期,部分存儲產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)營收和獲利均受到一定的影響,再加上國際原廠三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾、SK海力士等不僅3D技術快速迭代,而且加碼投資新建工廠,同時中國三大存儲基地之一的武漢存儲基地已進入投產(chǎn)初期階段。在多方因素影響下,部分市場業(yè)內(nèi)人士紛紛看衰NAND Flash產(chǎn)業(yè)。中國閃存市場ChinaFlashMarket認為,NAND跌價是價格沖高回落的自然現(xiàn)象,不必過于擔憂。

近5年NAND Flash綜合價格指數(shù)走勢

數(shù)據(jù)來源:中國閃存市場www.chinaflashmarket.com,數(shù)據(jù)截止至2018年10月15日

2018年NAND價格“折腰”, 2019年跌勢難改,都是3D技術推進的必然走向

NAND Flash價格走勢是由市場供需決定的,2016年和2017年由于處于原廠2D NAND向3D NAND切換的空窗期,使得NAND Flash供應減少,而需求端智能型手機和SSD容量需求依然在增長,導致市場供不應求,同時NAND Flash價漲一倍多。2018年原廠不斷擴大64層/72層3D NAND產(chǎn)出量,目前三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾等3D NAND占比已達到80%,美光甚至可以達到90%,3D NAND產(chǎn)能增加,導致市場供過于求。

中國閃存市場ChinaFlashMarket進一步分析,以目前主流的64層3D NAND技術為例,一片Wafer晶圓(12英寸)大約可以切割出1000顆256Gbit的Die。相較于1znm工藝2D技術所切割出的600多顆128Gbit的Die,不僅容量翻倍,單顆Die的總數(shù)更是增加了60%,這是導致NAND Flash相關產(chǎn)品價格下滑的主要因素。

展望2019年,在2018下半年三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾、SK海力士等均已發(fā)布了其新一代96層3D NAND技術,且三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光等已開始量產(chǎn)。根據(jù)各原廠技術規(guī)劃,預計96層3D NAND將在2019上半年規(guī)?;慨a(chǎn)。據(jù)了解,96層3D NAND由于初期良率較低,相較于64層3D NAND沒有成本優(yōu)勢,但隨著良率的不斷提高,成本優(yōu)勢將逐漸顯現(xiàn),中國閃存市場ChinaFlashMarket預計2019年NAND Flash價格將會進一步下滑。

Wafer晶圓產(chǎn)能分析

數(shù)據(jù)來源:中國閃存市場www.chinaflashmarket.com

國際原廠NAND拼擴產(chǎn),DRAM保守以待,如何解讀存儲市場行情?

2018年新一輪NAND擴產(chǎn)開始,三星除了FAB18這個大型工廠外,還開始新建西安工廠二期工程,東芝除了新工廠Fab6開始投產(chǎn)96層3D NAND,又新建Fab 7,SK海力士M15和英特爾大連二期工廠都開始投產(chǎn)96層3D NAND,還有美光新建的Fab10三期工廠。另外,長江存儲武漢基地也開始逐步生產(chǎn),滿載產(chǎn)能可達到15萬片/月。

根據(jù)規(guī)劃,各家原廠新工廠都將在2019年陸續(xù)提高生產(chǎn)量。NAND Flash產(chǎn)能大幅度增加,一是填補2016年和2017年市場供應的缺口,二是為了新一代96層3D技術投產(chǎn),滿足智能型手機和SSD對大容量不斷增長的需求。

國際原廠新工廠投產(chǎn)情況

數(shù)據(jù)來源:中國閃存市場www.chinaflashmarket.com

反觀DRAM市場,相較于NAND Flash產(chǎn)業(yè)不斷增加的產(chǎn)能,三星、美光、SK海力士三大原廠對DRAM增產(chǎn)持保守態(tài)度,三星、美光、SK海力士受惠于兩年持續(xù)走高的DRAM價格,營收和獲利持續(xù)走高,所以各家都不急于擴建DRAM工廠,以免產(chǎn)能過剩導致價格慘跌,影響獲利。市場數(shù)據(jù)反饋DRAM在服務器、PC和智能手機的應用沒有太大的增幅,而DRAM工藝從2017年2xnm提升到2018年1xnm,增加40%的產(chǎn)能。三星原定每月增產(chǎn)DRAM計劃已延期,同時為避免DRAM價格下滑,計劃下修2019年2成的DRAM投資額,SK海力士也推遲了DRAM擴產(chǎn)計劃。但是DRAM的壓力還是與日俱增,形成DRAM堰塞湖。

NAND和DRAM兩行情與市場需求有關,首先DRAM在智能型手機上的平均LPDDR容量3.2GB,而NAND Flash平均需求則超過80GB;其次PC出貨持續(xù)萎縮,又遇英特爾處理器缺貨,DRAM標配4GB,高配也僅16GB,而PC搭載的SSD容量則在240GB以上,第三:在服務器市場,IBM、百度、阿里、華為等正在部署英特爾傲騰技術和三星Z-NAND來滿足大數(shù)據(jù)存儲需求,取代部分DRAM的應用。Optane內(nèi)存雖然有“內(nèi)存”之名,但它并非是我們通常理解的DRAM內(nèi)存。它主要作用是作為緩存設備對硬盤(包括HDD和SSD)進行加速。

3D XPoint的優(yōu)勢。按官方數(shù)據(jù),3D XPoint的讀寫速度和壽命均為NAND Flash的1000倍,延遲是NAND Flash的千分之一,DRAM的10倍;存儲密度則是內(nèi)存的10倍。

智能手機和SSD主力市場合計消耗85%以上的產(chǎn)能,未來NAND產(chǎn)業(yè)依然好光景

在國際原廠3D技術和產(chǎn)能增加的推動下,2018年NAND Flash存儲密度預計將較2017年增長42%,達到2300億GB當量。需求端,2018年全球智能型手機出貨將達14.6億臺,高端手機蘋果、三星等旗艦機搭載Flash容量由256GB向512GB提升,華為、OPPO、VIVO、小米等從64GB/128GB向128GB/256GB,甚至512GB容量轉(zhuǎn)移,以手機為主的嵌入式產(chǎn)品消耗了43%的NAND產(chǎn)能。

2018年高端旗艦機容量成倍增加

SSD在消費類、數(shù)據(jù)中心以及行業(yè)應用需求強勁,2018年全球SSD的出貨量將達1.92億臺,相較于2017年增長22%。全球SSD市場所消耗的產(chǎn)能已從2016年的38%上升到43%,尤其是企業(yè)級SSD,2018年平均容量已經(jīng)達到2TB/臺,僅企業(yè)級市場就消耗了25%的NAND Flash產(chǎn)能。2018年SSD與嵌入式產(chǎn)品合計消耗85%以上的NAND Flash產(chǎn)能,2019年仍然是主力需求市場。

全球SSD出貨量增長走勢(百萬/臺)

全球企業(yè)級SSD出貨量增長走勢(百萬/臺)

數(shù)據(jù)來源:中國閃存市場www.chinaflashmarket.com

SSD搶占的是HDD市場,SSD價格下滑是其成長的最大動力,尤其是在消費類市場,2016年和2017年因為NAND Flash缺貨,SSD價格大幅上漲,同時也抑制了市場需求的增長。2018年以來SSD價格持續(xù)下滑,目前價格已跌破2016年所創(chuàng)下的歷史低點,其中240GB和480GB價格在2018年累積跌幅分別達45%、52%,部分240GB價格已跌破30美金,也正因為價格的下滑大大的刺激了市場需求向更大容量的240GB、480GB、960GB普及。

2018年1-10月240GB TLC SSD價格走勢

2018年1-10月480GB TLC SSD價格走勢

數(shù)據(jù)來源:中國閃存市場www.chinaflashmarket.com,數(shù)據(jù)截止至10月9日

在智能型手機和SSD需求帶動下,NAND Flash產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)健康的發(fā)展趨勢,而且隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能汽車電子等領域的崛起,將會產(chǎn)生更多的數(shù)據(jù)量,且要求高速、復雜的處理數(shù)據(jù),對NAND Flash的需求不斷增加。

當下NAND Flash價格下滑,更多的是對企業(yè)綜合實力的考驗,也會加速淘汰沒有競爭力的企業(yè),資源會向有競爭力的公司匯聚,2008年市場惡劣的時候,市場存儲企業(yè)從幾百家淘汰到幾十家,現(xiàn)在的情況也是類似。

“最重要的還是技術創(chuàng)新”這是企業(yè)必須一直具備的精神。中國作為存儲產(chǎn)業(yè)重要的應用市場,需求多樣而多變,通過提高企業(yè)自身自主創(chuàng)新技術,充分理解本土客戶需求,厚積薄發(fā),實現(xiàn)企業(yè)的成長。

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原文標題:閃存價格跌破!從上游供應解讀未來走勢

文章出處:【微信號:icxinwenshe,微信公眾號:芯聞社】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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