chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

半導(dǎo)體導(dǎo)電原理

工程師 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:h1654155205.5246 ? 2018-11-02 16:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理

不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體硅和鍺的最外層電子有四個(gè),故而稱它為四價(jià)元素,每一個(gè)外層電子稱為價(jià)電子。為了處于穩(wěn)定狀態(tài),單晶硅和單晶鍺中的每個(gè)原子的四個(gè)價(jià)電子都要和相鄰原子的價(jià)電子配對(duì),形成所謂的共價(jià)鍵,如圖所示。

但是共價(jià)鍵中的電子并不像絕緣體中的電子結(jié)合的那樣緊,由于能量激發(fā)(如光照、溫度變化),一些電子就能掙脫原有的束縛而成為自由電子。與此同時(shí),某處共價(jià)鍵中失去一個(gè)電子,相應(yīng)地就留下一個(gè)空位,稱為空穴。自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)的。

如果在本征半導(dǎo)體兩端加以電壓,則會(huì)有兩種數(shù)量相等的運(yùn)載電荷的粒子(稱作載流子)產(chǎn)生電流。一種是由自由電子向正極移動(dòng),形成的電子電流;另一種是空穴向負(fù)極移動(dòng)形成的空穴電流。

如圖所示??昭娏鞯男纬珊孟耠娪皥鲋?,前排座位空著,由后排人逐個(gè)往前填補(bǔ)人,人向前運(yùn)動(dòng),空位向后運(yùn)動(dòng)一樣。因此,在半導(dǎo)體中同時(shí)存在著電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電,但由于這兩種載流子數(shù)量很少,所以本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力遠(yuǎn)不如金屬中的自由電子。

半導(dǎo)體導(dǎo)電原理

p型半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理

半導(dǎo)體中有兩種載流子:導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴。 如果某一類型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性主要依靠價(jià)帶中的空穴,則該類型的半導(dǎo)體就稱為P型半導(dǎo)體。 “P”表示正電的意思,取自英文Positive的第一個(gè)字母。在這類半導(dǎo)體中,參與導(dǎo)電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴,這些空穴來自半導(dǎo)體中的受主。因此凡摻有受主雜質(zhì)或受主

數(shù)量多于施主的半導(dǎo)體都是p型半導(dǎo)體。例如,含有適量三價(jià)元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導(dǎo)體就是P型半導(dǎo)體。

由于P型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等,故P型半導(dǎo)體呈電中性。空穴主要由雜質(zhì)原子提供,自由電子由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多,多子(空穴)的濃度就越高,導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    四探針法校正因子的全面綜述:基于實(shí)驗(yàn)與數(shù)值模擬的電阻率測量誤差修正

    四探針法(4PP)作為一種非破壞性評(píng)估技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體導(dǎo)電材料的電阻率和電導(dǎo)率測量。其非破壞性特點(diǎn)使其適用于從宏觀到納米尺度的多種材料。然而,傳統(tǒng)解析模型在校正因子的計(jì)算中存在近似誤差
    的頭像 發(fā)表于 09-29 13:46 ?221次閱讀
    四探針法校正因子的全面綜述:基于實(shí)驗(yàn)與數(shù)值模擬的電阻率測量誤差修正

    現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

    目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
    發(fā)表于 07-12 16:18

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。 書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
    發(fā)表于 07-11 14:49

    半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)

    半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動(dòng)方式有很多種,比如熱運(yùn)動(dòng)引起的布朗運(yùn)動(dòng)、電場作用下的漂移運(yùn)動(dòng)和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)等等。它們都對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性造成不同的影響,但最終在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電流的只有漂
    的頭像 發(fā)表于 06-23 16:41 ?1215次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中載流子的運(yùn)動(dòng)

    電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極

    摻雜的半導(dǎo)體材料可以滿足要求。本文不介紹駐極體材料,重點(diǎn)介紹P型摻雜的半導(dǎo)體材料。材料可以是P型摻雜的硅,也可以是P型摻雜的聚苯胺(有機(jī)半導(dǎo)體)。因?yàn)镻型摻雜的半導(dǎo)體是通過空穴
    發(fā)表于 05-10 22:32

    《電子技術(shù)基礎(chǔ)》(模電+數(shù)電)教材配套課件PPT

    一、半導(dǎo)體的概念  金屬導(dǎo)體內(nèi)的載流子只有一種,就是自由電子,而且數(shù)目很多,所以具有良好的導(dǎo)電性能。 絕緣體中載流子的數(shù)目很少,因而導(dǎo)電性能很差,幾乎不
    發(fā)表于 03-25 16:21

    化合積電推出硼摻雜單晶金剛石,推動(dòng)金剛石器件前沿應(yīng)用與開發(fā)

    電力電子和射頻電子。事實(shí)上,金剛石材料本身屬于絕緣體,摻雜是實(shí)現(xiàn)金剛石電性能的重要途經(jīng)。硼摻雜單晶金剛石兼具p型半導(dǎo)體導(dǎo)電特性和金剛石自身優(yōu)良的物理和化學(xué)性能,是制備高溫、大功率半導(dǎo)體元器件的優(yōu)選材料。 ? 硼
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:43 ?1043次閱讀
    化合積電推出硼摻雜單晶金剛石,推動(dòng)金剛石器件前沿應(yīng)用與開發(fā)

    第四代半導(dǎo)體新進(jìn)展:4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進(jìn)展。今年1月,鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的導(dǎo)電型摻雜。本次
    發(fā)表于 02-17 09:13 ?1116次閱讀

    鎵仁半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電摻雜

    VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶
    的頭像 發(fā)表于 02-14 10:52 ?703次閱讀
    鎵仁<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>成功實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶<b class='flag-5'>導(dǎo)電</b>摻雜

    半導(dǎo)體的作用

    半導(dǎo)體是一類具有特殊電學(xué)性質(zhì)的材料,其導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間。半導(dǎo)體在現(xiàn)代科技和工業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色,以下是半導(dǎo)體的一些主要作用:
    的頭像 發(fā)表于 01-02 16:31 ?3234次閱讀

    一些半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

    我們身邊的材料可以按導(dǎo)電性分為導(dǎo)體(Conductor)、絕緣體(Insulator)和半導(dǎo)體(Semiconductor)。金屬、石墨、人體等具有良好的導(dǎo)電能力,被稱為
    的頭像 發(fā)表于 11-27 10:14 ?2130次閱讀
    一些<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的基礎(chǔ)知識(shí)

    想了解半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造

    如何從人、產(chǎn)品、資金和產(chǎn)業(yè)的角度全面理解半導(dǎo)體芯片?甚是好奇,望求解。
    發(fā)表于 11-07 10:02

    中國半導(dǎo)體的鏡鑒之路

    今天非常高興能在這里圍繞我跟蓋添怡女士的一本半導(dǎo)體專業(yè)著作《芯鏡》來展開介紹日本半導(dǎo)體的得失,以及對(duì)咱們中國半導(dǎo)體發(fā)展的啟發(fā)。 一芯片強(qiáng)國的初、興、盛、衰 首先,大家可以先了解一下日本半導(dǎo)體
    發(fā)表于 11-04 12:00

    第三代半導(dǎo)體半導(dǎo)體區(qū)別

    半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì),是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一代到第三代的演變。 一、材料特性的區(qū)
    的頭像 發(fā)表于 10-17 15:26 ?3658次閱讀