四探針理想配置

在四探針的標(biāo)準(zhǔn)線性配置中，電流通過(guò)外側(cè)兩個(gè)探針注入樣品，電壓則由內(nèi)側(cè)兩個(gè)探針測(cè)量。對(duì)于無(wú)限厚的均勻材料，電阻率（ρ?）的計(jì)算公式為：其中，(s)為探針間距，(V/I)為電壓-電流比值。該方法的顯著優(yōu)勢(shì)包括：

• 非破壞性測(cè)量（NDE）
• 可測(cè)量電阻率范圍廣（10-4 - 104 Ω·cm）
• 適用于各向異性材料

當(dāng)樣品厚度有限或直徑較小時(shí)，需引入幾何校正因子以修正電阻率計(jì)算。

幾何校正因子的分析

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• 厚度校正因子G(w/s)

對(duì)于有限厚度的樣品，電阻率計(jì)算需引入：當(dāng)(w/su≈1)時(shí)，G的表達(dá)式為：

• 直徑校正因子CF(d/s)

圓形樣品四探針配置

對(duì)于圓形樣品，當(dāng)電極位于中心時(shí)，CF的表達(dá)式為：當(dāng)直徑(d > 30s)時(shí)，CF趨近于1，校正可忽略。

實(shí)驗(yàn)與數(shù)值模擬

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實(shí)驗(yàn)設(shè)置

實(shí)驗(yàn)采用間距為1.118 mm的探頭，通過(guò)自動(dòng)化測(cè)量系統(tǒng)，對(duì)兩種不同尺寸的N型鍺樣品（GeR2和GeR3）進(jìn)行測(cè)量。樣品參數(shù)及校正因子：測(cè)量結(jié)果顯示，未經(jīng)修正的模型在GeR3樣品上產(chǎn)生7.2%的系統(tǒng)偏差，驗(yàn)證了理論誤差分析的結(jié)論。

• 數(shù)值模擬

樣品GeR2的COMSOL模擬結(jié)果 樣品GeR3的COMSOL模擬結(jié)果虛構(gòu)樣品GeF2的COMSOL模擬結(jié)果通過(guò)COMSOL有限元模擬（FEM）分析電勢(shì)分布和電流密度，發(fā)現(xiàn)GeR2和GeR3的模擬電阻率與實(shí)驗(yàn)值存在偏差：模擬表明，GeR3的電流密度和電場(chǎng)線更接近邊緣，導(dǎo)致電勢(shì)等高線平行于邊緣，而GeR2的場(chǎng)分布更均勻。

誤差分析與修正模型

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• 厚度校正因子G的誤差

厚度校正因子G的相對(duì)近似誤差

對(duì)GeR3(w/s=1.34)，原始G模型的相對(duì)誤差達(dá)6.92%。通過(guò)擬合四次多項(xiàng)式修正G：顯著降低誤差。

• 直徑校正因子CF的誤差

直徑校正因子CF的解析值與修正值相對(duì)偏差（ΔCF/CF’）

修正后的直徑校正因子CF’與解析CF的關(guān)系通過(guò)線性擬合修正CF：修正后，GeR2和GeR3的電阻率誤差分別降至1.1%和2.0%，修正后結(jié)果：本研究通過(guò)整合數(shù)值模擬、實(shí)驗(yàn)測(cè)量與理論分析，提出了一種改進(jìn)的四探針?lè)娮杪视?jì)算模型。主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)包括：

• 建立了厚度-直徑校正因子的耦合修正模型
• 驗(yàn)證了數(shù)值模擬指導(dǎo)實(shí)驗(yàn)測(cè)量的方法論
• 開(kāi)發(fā)了適用于1特殊工況的測(cè)量規(guī)范

通過(guò)數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，修正后的模型將測(cè)量誤差從7.4%降低至2%以內(nèi)，顯著提高了電阻率測(cè)量的精度。優(yōu)化了四探針?lè)?/strong>中的幾何校正因子，為半導(dǎo)體和納米材料的電學(xué)表征提供了更可靠的工具。

Xfilm埃利四探針?lè)阶鑳x

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Xfilm埃利四探針?lè)阶鑳x用于測(cè)量薄層電阻（方阻）或電阻率，可以對(duì)最大230mm 樣品進(jìn)行快速、自動(dòng)的掃描， 獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息。

• 超高測(cè)量范圍，測(cè)量1mΩ~100MΩ
• 高精密測(cè)量，動(dòng)態(tài)重復(fù)性可達(dá)0.2%
• 全自動(dòng)多點(diǎn)掃描，多種預(yù)設(shè)方案亦可自定義調(diào)節(jié)
  
• 快速材料表征，可自動(dòng)執(zhí)行校正因子計(jì)算

Xfilm埃利四探針?lè)阶鑳x提供的高精度測(cè)量功能，極大地增強(qiáng)了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可信度，為各類材料的電學(xué)特性表征提供了強(qiáng)有力的支持。

原文出處：《Broad review of four-point probe correction factors: Enhanced analytical model using advanced numerical and experimental cross-examination》

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