IC Insights預(yù)測，今年半導(dǎo)體行業(yè)的資本支出總額將增長15％至1071億美元，這是該行業(yè)首次實現(xiàn)年度資本支出達到1000億美元。

根據(jù)11月IC Insights發(fā)布的半導(dǎo)體行業(yè)總資本支出數(shù)據(jù)顯示，三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域資本投入驚人，繼2017年投入242億美元后，2018年仍保持226億美元的強勁水平。該數(shù)據(jù)幾乎與英特爾和臺積電兩年資本支出總和484億美元相媲美。

來源：IC Insights

如圖所示，從2010年開始，三星半導(dǎo)體資本支出首超100億美元，到2016年平均每年為120億美元。而且，在2016年支出113億美元后，該公司在2017年資本支出預(yù)算增加了一倍以上。三星在2018年繼續(xù)保持強勁的資本支出，這一驚人結(jié)果令業(yè)界印象深刻。

IC Insights認為，三星2017年和2018年的大規(guī)模支出將在未來產(chǎn)生影響。首當其沖的是3D NAND閃存市場產(chǎn)能過剩，該現(xiàn)象不僅歸因于三星對3D NAND閃存的巨額支出，還來自競爭對手（例如SK海力士，美光，東芝，英特爾等）的支出，這些競爭對手試圖跟上這個細分市場的步伐。

隨著DRAM和NAND閃存市場在2018年前三季度出現(xiàn)強勁增長，SK海力士今年的資本支出增加。在1Q18，SK海力士表示，它計劃今年將其資本支出開支增加“至少30％”。在11月的數(shù)據(jù)更新中，ICInsights預(yù)測SK海力士的半導(dǎo)體資本支出將增長58％。SK海力士今年增加的開支主要集中在兩個大型存儲晶圓廠，韓國清州的3DNAND閃存晶圓廠，以及中國無錫的大型DRAM工廠的擴建。

新聞源：IC Insights；Allen Yin/編譯