前段時(shí)間國(guó)內(nèi)研發(fā)成功紫外超分辨SP光刻機(jī)的消息刷屏了，使用365nm波長(zhǎng)就能實(shí)現(xiàn)單次曝光最高線寬分辨力達(dá)到22nm，它打破了傳統(tǒng)光學(xué)光刻分辨力受限于光源波長(zhǎng)及鏡頭數(shù)值孔徑的傳統(tǒng)路線格局，而且這套設(shè)備的價(jià)格只要1000-2000萬元，不到EUV光刻機(jī)的2%。

不過這套SP光刻機(jī)技術(shù)突破意義雖大，但并不能取代現(xiàn)有的光刻機(jī)，只適合特種工藝，不適合大規(guī)模量產(chǎn)。除了光刻機(jī)之外，半導(dǎo)體生產(chǎn)還需要其他設(shè)備，比如刻蝕機(jī)，國(guó)內(nèi)的中微電子已經(jīng)研發(fā)成功5nm等離子刻蝕機(jī)，并通過了臺(tái)積電的認(rèn)證，將用于全球首條5nm工藝。

在半導(dǎo)體制造過程中，光刻機(jī)是決定工藝水平的關(guān)鍵，所以光刻機(jī)在媒體上的曝光率很高，不過現(xiàn)在的的半導(dǎo)體工藝涉及數(shù)百道工序，除了最核心的光刻之外，刻蝕也是很重要的一個(gè)過程——將晶圓浸入內(nèi)含蝕刻藥劑的特制刻蝕槽內(nèi)，可以溶解掉暴露出來的晶圓部分，而剩下的光刻膠保護(hù)著不需要蝕刻的部分。

刻蝕機(jī)就是處理這部分工藝的，與光刻機(jī)相比，刻蝕機(jī)的價(jià)格就要低多了，通常在500萬美元以內(nèi)，不過需要的數(shù)量比光刻機(jī)更多，所以也是非常重要的半導(dǎo)體制造裝備，全球領(lǐng)先的刻蝕機(jī)設(shè)備公司主要還是LAM、AMAT應(yīng)用材料等半導(dǎo)體設(shè)備巨頭，國(guó)內(nèi)主要是中微電子AMEC及北方華創(chuàng)兩家。

說完背景知識(shí)，現(xiàn)在報(bào)道的這個(gè)5nm等離子刻蝕機(jī)就是中微電子生產(chǎn)的，實(shí)際上這件事已經(jīng)是舊聞了，2017年3月11日中微電子就通過央視CCTV2頻道宣布研發(fā)成功5nm等離子刻蝕機(jī)，現(xiàn)在則是刻蝕機(jī)通過了大客戶臺(tái)積電的驗(yàn)證，可以用于5nm生產(chǎn)線了，只不過臺(tái)積電的5nm工藝還在研發(fā)中，明年才會(huì)試產(chǎn)，量產(chǎn)至少是2020年的事了。

考慮到它帶有5nm這樣的先進(jìn)工藝字眼，估計(jì)今天這篇新聞?dòng)忠凰⑵亮?，不過了解下基本知識(shí)的話就不用激動(dòng)了，這個(gè)5nm其實(shí)跟刻蝕機(jī)無關(guān)，刻蝕機(jī)并不決定半導(dǎo)體的制造工藝。

當(dāng)然，技術(shù)進(jìn)步還是值得表揚(yáng)的，畢竟也是全球第一個(gè)5nm刻蝕機(jī)，能打進(jìn)臺(tái)積電的供應(yīng)鏈也不容易，中微電子在刻蝕機(jī)以及其他半導(dǎo)體設(shè)備上的進(jìn)展也有助于提升國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體技術(shù)水平。