DIGITIMES Research觀察，磁阻式隨機存取存儲器(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)在新興非揮發(fā)存儲器中發(fā)展較為成熟，2018年主要供應商Everspin營收可望年增36%，2019~2020年以后，隨GlobalFoundries、臺積電、三星、聯電等晶圓代工廠商逐步投入嵌入式(embedded) MRAM生產，有助強化嵌入式MRAM技術發(fā)展，有利開拓多元需求及帶動市場起飛。

在商品化方面，目前MRAM已發(fā)展到第三代，具有非揮發(fā)性、讀寫速度快、能耗低、制程仍有持續(xù)微縮空間等優(yōu)點。就產品發(fā)展上，MRAM可分為獨立式(stand-alone)及嵌入式兩大類，目前獨立式占MRAM市場規(guī)模達95%以上。

未來幾年MRAM市場成長速度以嵌入式應用較為看好，主要想取代的產品是嵌入式Flash及SRAM，尤以替代前者較為優(yōu)先。嵌入式Flash制程微縮已遇瓶頸，各廠商產品組合介于40nm~35μm，相對地，MRAM目前已可達到22nm，且未來制程微縮仍有許多發(fā)展空間，時間站在對MRAM有利的一方。

隨著車用及物聯網(IoT)芯片需求已朝40/28/22nm發(fā)展，未來邊緣運算AI芯片也需更快速、耗電更低的嵌入式存儲器，預期嵌入式MRAM今后市場成長速度將優(yōu)于獨立式MRAM，2023~2024年產值可望超越獨立式MRAM。