國內(nèi)自主存儲DRAM技術陣營“福建晉華案”持續(xù)發(fā)酵，美方提出可能最高超過200億美元的罰金，成為全球半導體界的“歷史天案”，也是國產(chǎn)替代業(yè)者發(fā)展存儲器芯片心頭揮之不去的一道陰霾。這樁“歷史天案”于2019年1月10日在舊金山聯(lián)邦法院開庭審理。

福建晉華10日也于官網(wǎng)發(fā)布公告表示，針對其2018年9月在美國加州北部地區(qū)法院受到的指控，已聘請專業(yè)代理機構協(xié)助，并向法院做出“無罪抗辯”。晉華將向法庭陳述案情，證明其業(yè)務的開展始終秉承著最高誠信標準。

值得一提的是，由于案件事實與證據(jù)往往盤根錯節(jié)，被告方所提供的無罪證據(jù)既要準備充足又要能夠在法庭辯論階段，針對公訴人提出的論點進行有利反駁，因此無罪辯護一般情況下成功率可能不高。

所以，本次福建晉華選擇無罪抗辯的解決方式，無疑是有一定的把握與信心。目前，受本次事件影響，聯(lián)電為福建晉華研發(fā)DRAM的約300多人團隊成員當中，已撤回臺灣地區(qū)，后者的量產(chǎn)計劃也遙遙無期。

福建晉華表示，在未來幾個月里，致力于爭取將晉華從美國商務部出口管制實體清單中移除，并說明重建晉華與其美國商業(yè)伙伴之間正常貿(mào)易與合作的重要性。

此外，在此次案件中“關于三名臺灣業(yè)內(nèi)人士被指控涉嫌密謀竊取商業(yè)機密”的部分，則計劃在下個月開庭審理。

晉華、聯(lián)電與美光的“新仇舊恨”

全球第3大晶圓代工廠的聯(lián)電，攜手福建晉華和DRAM巨擘美光公司打起全球訴訟。江湖恩怨，互不相讓。

2017年9月6日與12月5日，美光先后在臺灣地區(qū)和美國加州提起民事訴訟，控告聯(lián)電及福建晉華侵害其知識產(chǎn)權和盜竊商業(yè)機密。作為反擊，2018年1月，聯(lián)電在中國福州市中級人民法院提起訴訟，控告美光侵害聯(lián)電專利；該案至7月時宣布裁定結果，福州市中級法院發(fā)出訴中禁令，禁止美光在中國銷售26個DRAM與FLASH產(chǎn)品，包含相關的固態(tài)硬盤（SSD）與存儲器產(chǎn)品。

此次江湖恩怨的真正導火線，是2016年聯(lián)電和福建省晉華集成電路公司的一紙文件。該文件指出聯(lián)電和晉華協(xié)議，由晉華提供3億美元替聯(lián)電采購研發(fā)設備，再按DRAM 技術的開發(fā)進度支付聯(lián)電4億美元，在此期間聯(lián)電必須開發(fā)出32納米的DRAM相關制程技術，開發(fā)成果將由雙方共同擁有。值得注意的是，本次福建晉華的DRAM計劃負責人正是前美光前臺灣區(qū)總經(jīng)理陳正坤。

2018年10月29日，美國商務部未進入司法流程，并發(fā)布公告稱對福建省晉華集成電路有限公司實施“出口管制”，自10月30日起正式實施。11月2日，美方再次宣布將分別對本次專利糾紛案等相關人等提起刑事與民事訴訟。如果罪名成立，被告人將會面臨最高15年監(jiān)禁和500萬美元的罰款，被告公司可能將會面臨超過200億美元的罰款。同時禁止轉讓被盜技術，并且利用被盜技術的產(chǎn)品將會在美國被禁售。

至此，“福建晉華案”被推向全球半導體產(chǎn)業(yè)的風口浪尖。

2018年11月9日，聯(lián)電發(fā)表聲明，否認相關指控，并稱在聯(lián)電38年來的成長歷程中已積累了近15年制造DRAM產(chǎn)品的經(jīng)驗。

回顧梳理不難發(fā)現(xiàn)，已經(jīng)放棄先進工藝制程的聯(lián)電正在把過去累積的半導體技術實力，拿到新的市場上“變現(xiàn)”。然而聯(lián)電的策略能否成功，晉***產(chǎn)替代能否進一步突圍，除了攻克技術難關外，能不能打贏當前的法律大戰(zhàn)，仍是最重要的關鍵。