國(guó)內(nèi)自主存儲(chǔ)DRAM技術(shù)陣營(yíng)“福建晉華案”持續(xù)發(fā)酵，美方提出可能最高超過(guò)200億美元的罰金，成為全球半導(dǎo)體界的“歷史天案”，也是國(guó)產(chǎn)替代業(yè)者發(fā)展存儲(chǔ)器芯片心頭揮之不去的一道陰霾。這樁“歷史天案”于2019年1月10日在舊金山聯(lián)邦法院開(kāi)庭審理。

福建晉華10日也于官網(wǎng)發(fā)布公告表示，針對(duì)其2018年9月在美國(guó)加州北部地區(qū)法院受到的指控，已聘請(qǐng)專(zhuān)業(yè)代理機(jī)構(gòu)協(xié)助，并向法院做出“無(wú)罪抗辯”。晉華將向法庭陳述案情，證明其業(yè)務(wù)的開(kāi)展始終秉承著最高誠(chéng)信標(biāo)準(zhǔn)。

值得一提的是，由于案件事實(shí)與證據(jù)往往盤(pán)根錯(cuò)節(jié)，被告方所提供的無(wú)罪證據(jù)既要準(zhǔn)備充足又要能夠在法庭辯論階段，針對(duì)公訴人提出的論點(diǎn)進(jìn)行有利反駁，因此無(wú)罪辯護(hù)一般情況下成功率可能不高。

所以，本次福建晉華選擇無(wú)罪抗辯的解決方式，無(wú)疑是有一定的把握與信心。目前，受本次事件影響，聯(lián)電為福建晉華研發(fā)DRAM的約300多人團(tuán)隊(duì)成員當(dāng)中，已撤回臺(tái)灣地區(qū)，后者的量產(chǎn)計(jì)劃也遙遙無(wú)期。

福建晉華表示，在未來(lái)幾個(gè)月里，致力于爭(zhēng)取將晉華從美國(guó)商務(wù)部出口管制實(shí)體清單中移除，并說(shuō)明重建晉華與其美國(guó)商業(yè)伙伴之間正常貿(mào)易與合作的重要性。

此外，在此次案件中“關(guān)于三名臺(tái)灣業(yè)內(nèi)人士被指控涉嫌密謀竊取商業(yè)機(jī)密”的部分，則計(jì)劃在下個(gè)月開(kāi)庭審理。

晉華、聯(lián)電與美光的“新仇舊恨”

全球第3大晶圓代工廠的聯(lián)電，攜手福建晉華和DRAM巨擘美光公司打起全球訴訟。江湖恩怨，互不相讓。

2017年9月6日與12月5日，美光先后在臺(tái)灣地區(qū)和美國(guó)加州提起民事訴訟，控告聯(lián)電及福建晉華侵害其知識(shí)產(chǎn)權(quán)和盜竊商業(yè)機(jī)密。作為反擊，2018年1月，聯(lián)電在中國(guó)福州市中級(jí)人民法院提起訴訟，控告美光侵害聯(lián)電專(zhuān)利；該案至7月時(shí)宣布裁定結(jié)果，福州市中級(jí)法院發(fā)出訴中禁令，禁止美光在中國(guó)銷(xiāo)售26個(gè)DRAM與FLASH產(chǎn)品，包含相關(guān)的固態(tài)硬盤(pán)（SSD）與存儲(chǔ)器產(chǎn)品。

此次江湖恩怨的真正導(dǎo)火線，是2016年聯(lián)電和福建省晉華集成電路公司的一紙文件。該文件指出聯(lián)電和晉華協(xié)議，由晉華提供3億美元替聯(lián)電采購(gòu)研發(fā)設(shè)備，再按DRAM 技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)度支付聯(lián)電4億美元，在此期間聯(lián)電必須開(kāi)發(fā)出32納米的DRAM相關(guān)制程技術(shù)，開(kāi)發(fā)成果將由雙方共同擁有。值得注意的是，本次福建晉華的DRAM計(jì)劃負(fù)責(zé)人正是前美光前臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理陳正坤。

2018年10月29日，美國(guó)商務(wù)部未進(jìn)入司法流程，并發(fā)布公告稱(chēng)對(duì)福建省晉華集成電路有限公司實(shí)施“出口管制”，自10月30日起正式實(shí)施。11月2日，美方再次宣布將分別對(duì)本次專(zhuān)利糾紛案等相關(guān)人等提起刑事與民事訴訟。如果罪名成立，被告人將會(huì)面臨最高15年監(jiān)禁和500萬(wàn)美元的罰款，被告公司可能將會(huì)面臨超過(guò)200億美元的罰款。同時(shí)禁止轉(zhuǎn)讓被盜技術(shù)，并且利用被盜技術(shù)的產(chǎn)品將會(huì)在美國(guó)被禁售。

至此，“福建晉華案”被推向全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)口浪尖。

2018年11月9日，聯(lián)電發(fā)表聲明，否認(rèn)相關(guān)指控，并稱(chēng)在聯(lián)電38年來(lái)的成長(zhǎng)歷程中已積累了近15年制造DRAM產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)。

回顧梳理不難發(fā)現(xiàn)，已經(jīng)放棄先進(jìn)工藝制程的聯(lián)電正在把過(guò)去累積的半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力，拿到新的市場(chǎng)上“變現(xiàn)”。然而聯(lián)電的策略能否成功，晉***產(chǎn)替代能否進(jìn)一步突圍，除了攻克技術(shù)難關(guān)外，能不能打贏當(dāng)前的法律大戰(zhàn)，仍是最重要的關(guān)鍵。