公元前一世紀(jì)羅馬的前三巨頭龐培是軍神，克拉蘇是首富，而凱撒素有大志，從一個(gè)落魄貴族蟄伏多年苦心經(jīng)營(yíng)建立戰(zhàn)功贏得聲名，并最終成為最后的王者，那么對(duì)比現(xiàn)在的代工三巨頭呢？

不同行業(yè)的從業(yè)者對(duì)于2018年的感受或是冰火兩重天。而在7nm的江湖，有持續(xù)精進(jìn)者，有孜孜以求者，亦有黯然退出者，亦同樣上演了一場(chǎng)悲欣交集的劇情，而2019年會(huì)有新的轉(zhuǎn)折嗎？

三巨頭的得意與失意？

在現(xiàn)在的代工三巨頭中，臺(tái)積電可謂是毫無(wú)懸念的領(lǐng)先者。其第一代7nm FinFET已經(jīng)在2017年第二季度進(jìn)入試產(chǎn)階段，在2018年4月開(kāi)始量產(chǎn)全球最為先進(jìn)的7nm技術(shù)。但需要指出的是，其并非使用EUV技術(shù)，仍采用傳統(tǒng)的DUV。但當(dāng)時(shí)間轉(zhuǎn)到2018年10月，臺(tái)積電又實(shí)現(xiàn)了兩大突破，一是首次完成了7nm EUV工藝的流片工作，二是其5nm工藝將在2019年4月進(jìn)行試產(chǎn)。

據(jù)悉，7nm EUV的應(yīng)用，能繼續(xù)提升并挖掘7nm的潛力，預(yù)計(jì)能提升20%晶體管密度，并降低6%-12%的同頻功耗。而5nm的 EUV的試產(chǎn)，將使晶體管密度將提升80%，同功耗下頻率再度提升15%。臺(tái)積電CEO魏哲家曾表示，預(yù)計(jì)7nm晶圓的營(yíng)收將在2019年占到總營(yíng)收的20%。

與之交相映襯的是2018年約有50多款芯片由臺(tái)積電7nm代工，基于臺(tái)積電7nm打造的蘋(píng)果A12芯片、華為麒麟980等都已經(jīng)商用，而相較之下，三星的光輝相對(duì)黯淡，其7nm的成品仍舊是個(gè)未知數(shù)。

雖然在今年4月，三星就宣布已完成了7nm新工藝的研發(fā)，并成功試產(chǎn)了7nm EUV晶圓，比原進(jìn)度提早了半年。10月三星宣布7nm LPP量產(chǎn)，且導(dǎo)入了EUV光刻技術(shù)，但三星大規(guī)模投產(chǎn)時(shí)間仍為2019年秋季，至少在進(jìn)度、聲勢(shì)、生態(tài)層面已盡落下風(fēng)，對(duì)于三星全產(chǎn)業(yè)鏈打法而言，2019或仍流年不利。

而格羅方德（GF）在2018年8月底宣布退出7nm及以下節(jié)點(diǎn)工藝研發(fā)與投資的重磅消息讓業(yè)界震驚，這是繼臺(tái)聯(lián)電之后第二家放棄10nm以下工藝的半導(dǎo)體公司，也預(yù)示著7nm及以后的工藝中只剩下臺(tái)積電、三星及英特爾三家公司了，而其中英特爾的7nm進(jìn)度還不得知。

雖然不涉足7nm及以下工藝讓人惋惜，不過(guò)GF強(qiáng)調(diào)先進(jìn)工藝不是唯一，22nm FD-SOI工藝以及14/12nm FinFET依然大有市場(chǎng)。格芯未來(lái)將會(huì)聚焦在FinFET、FDX、RF和Analog Mixed Signal等四個(gè)方向的研發(fā)，并建立獨(dú)立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。

相較之下，最委屈的可能還數(shù)英特爾（Intel）了。但其實(shí)，盡管Intel看似還在10nm較勁，但I(xiàn)ntel首席工程官兼技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)和客戶(hù)端產(chǎn)品總裁Murthy Renduchintala曾透露，7nm是獨(dú)立的體系和團(tuán)隊(duì)，在充分吸收10nm的教訓(xùn)后，完全按照內(nèi)部計(jì)劃演進(jìn)，而且Intel的7nm基于EUV光刻技術(shù)。有預(yù)測(cè)說(shuō)Intel或在2020年底實(shí)現(xiàn)7nm量產(chǎn)。

或許單純用代次來(lái)對(duì)比是不準(zhǔn)確的。以業(yè)內(nèi)常用晶體管密度來(lái)衡量制程水平，Intel的10nm工藝晶體管密度達(dá)到了100MTr/mm2，相當(dāng)于7nm工藝，甚至比臺(tái)積電第一批7nm DUV都要更好。或許Intel肯定仍會(huì)持續(xù)深挖10nm制程，趕超7nm EUV亦不是不可能。

EUV的冷暖意？

在7NM節(jié)點(diǎn)上，最為倚重的設(shè)備或是EUV了。目前，業(yè)內(nèi)已達(dá)成共識(shí)，必須使用EUV才能使半導(dǎo)體芯片進(jìn)入7nm甚至5nm時(shí)代。

而EUV的研發(fā)也是兜兜轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)，其始于20世紀(jì)90年代，最早希望在90nm制程節(jié)點(diǎn)投入應(yīng)用，然而EUV***一直達(dá)不到正式生產(chǎn)的要求。無(wú)奈之下，只能通過(guò)沉浸式光刻、多重曝光等手段，將DUV一路推進(jìn)到了10nm階段。但從進(jìn)入7nm時(shí)代開(kāi)始，EUV開(kāi)始反轉(zhuǎn)，成為后摩爾定律的新推手。

而在EUV上，ASML風(fēng)頭無(wú)倆。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2017年全球半導(dǎo)體光刻設(shè)備廠中，ASML以80%以上的市占率穩(wěn)居龍頭，其次是日本廠商尼康和佳能。而在高端EUV***臺(tái)方面，ASML幾乎100%壟斷供應(yīng)，其也被稱(chēng)為“突破摩爾定律的救星”。

據(jù)ASML宣稱(chēng)，2018年下半年ASML已開(kāi)始出貨最先進(jìn)的浸潤(rùn)式***NXT:2000i，符合最新最先進(jìn)的7nm/5nm制程工藝需求。其負(fù)責(zé)人也透露，2019年要出貨30臺(tái)EUV設(shè)備，而且還將在2019年下半年推出效能較前一代EUV提升24%的全新機(jī)款，以逐步滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。

雖然EUV看似要一飛沖天，但業(yè)界專(zhuān)家莫大康卻此還存疑慮，他分析說(shuō)EUV今年恐還不會(huì)全面推行，只能用在幾個(gè)關(guān)鍵層上，主導(dǎo)仍是四次圖形光刻加EUV的混合模式，原因在于EUV是個(gè)新產(chǎn)業(yè)鏈，需要光刻膠、pellicle等的配套，所以仍需要時(shí)間。

而ASML產(chǎn)能能否適應(yīng)今年的需求，以及2018年年底供應(yīng)商廠房起火的事件對(duì)供貨帶來(lái)何種影響，還待觀察。

值得注意的是，ASML近年和中國(guó)市場(chǎng)互動(dòng)頻繁，除了中芯國(guó)際外，其客戶(hù)還有華虹半導(dǎo)體、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、英特爾大連廠、SK海力士西安廠、福建晉華等。在2018年上半年，ASML在中國(guó)市場(chǎng)營(yíng)收已達(dá)約20%。

去年5月中芯國(guó)際完成了12nm工藝突破，以?xún)r(jià)值1.2億美元訂購(gòu)了EUV***，將在2019年交付，從這個(gè)時(shí)間段來(lái)看，國(guó)產(chǎn)芯片將有希望通過(guò)EUV技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高層次的突破。

而為了搶占市場(chǎng)先機(jī)，芯片廠商紛紛熱情推出自己的7nm芯片或處理器。在這些積極的廠商中，蘋(píng)果、華為和高通已是臺(tái)積電7nm的主力客戶(hù)，AMD、NVIDIA、Xilinx（賽靈思）和其它AI芯片客戶(hù)則瓜分其余部分。

2018年的7nm 勝負(fù)已分，2019年的爭(zhēng)奪不僅將成為EUV的另一分水嶺，對(duì)于5G、GPU和AI等芯片廠商而言，更激烈的戰(zhàn)況仍將持續(xù)，而誰(shuí)將在CES展會(huì)上引起新一輪轟動(dòng)呢？