新興的寬禁帶(WBG)碳化硅和氮化鎵功率器件越來越廣泛地應(yīng)用在電力電子產(chǎn)品中來提升效率和功率密度. 培訓(xùn)內(nèi)容介紹了WBG功率器件特性, 及應(yīng)用. 并且詳細(xì)的分析了開關(guān)性能,損耗計(jì)算以及測(cè)試,仿真技巧.
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
ti
+關(guān)注
關(guān)注
114文章
8085瀏覽量
220039 -
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
2224瀏覽量
95480 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
67文章
1916瀏覽量
120151
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
功率器件的壽命評(píng)估
功率器件,工業(yè)的CPU,其工業(yè)應(yīng)用非常廣泛,如電源管理(開關(guān)電源、逆變器)、電驅(qū)動(dòng)(變頻器)、醫(yī)療設(shè)備(醫(yī)用電源、醫(yī)用動(dòng)力)、工業(yè)自動(dòng)化、軌道交通,新能源(光伏、風(fēng)電、新能源汽車)、電力傳輸?shù)鹊戎T多
掌握有限元分析:碳化硅三電平逆變器母排寄生電感分布與優(yōu)化指南
在現(xiàn)代電力電子工程與高功率電能變換領(lǐng)域,寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料,尤其是碳化硅(SiC)功率器件的廣泛應(yīng)用,正在引發(fā)一場(chǎng)深刻的技術(shù)變革。
如何釋放功率器件性能的散熱設(shè)計(jì)
以SiC-MOSFET為代表的新一代功率器件,憑借超越傳統(tǒng)器件的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及高速開關(guān)特性,為顯著提升電力轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化作出貢獻(xiàn)。然而,隨著芯片尺寸縮小,“功率密度(單
淺析助焊劑在功率器件封裝焊接中的應(yīng)用匹配要求
本文聚焦助焊劑在功率器件封裝焊接中的應(yīng)用環(huán)節(jié)與匹配要求,其核心作用為清除氧化層、降低焊料表面張力、保護(hù)焊點(diǎn)。應(yīng)用環(huán)節(jié)覆蓋焊接前預(yù)處理、焊接中成型潤(rùn)濕、焊接后防護(hù)。不同功率器件對(duì)助焊劑要
焊材導(dǎo)致的功率器件焊接失效的“破局指南”
本文以焊材廠家工程師視角,科普焊材導(dǎo)致功率器件封裝焊接失效的核心問題,補(bǔ)充了晶閘管等此前未提及的器件類型。不同器件焊材適配邏輯差異顯著:小功率
季豐電子功率器件動(dòng)態(tài)老化測(cè)試能力介紹
DGS & DRB是功率器件可靠性測(cè)試中的關(guān)鍵內(nèi)容。DGS評(píng)估器件檢測(cè)碳化硅功率MOSFET 的柵極開關(guān)不穩(wěn)定性,DRB評(píng)估器件芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
隔離變壓器功率選擇要考慮的 5 個(gè)因素,新手必看
選購隔離變壓器時(shí),功率大小的選擇至關(guān)重要,合適的功率能確保變壓器正常運(yùn)行并延長(zhǎng)其使用壽命,以下是一些考慮因素,幫助你選擇適當(dāng)功率的隔離變壓器。
功率器件測(cè)量系統(tǒng)參數(shù)明細(xì)
在半導(dǎo)體功率器件(如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT)的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中,精準(zhǔn)、高效、可靠的測(cè)量系統(tǒng)是確保器件性能達(dá)標(biāo)、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀功率
發(fā)表于 07-29 16:21
功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和
發(fā)表于 07-11 14:49
電源功率器件篇:線路寄生電感對(duì)開關(guān)器件的影響
、降低線路寄生電感影響的方案
1、優(yōu)化PCB布局設(shè)計(jì)
▍縮短功率回路路徑
? 將功率開關(guān)器件、直流母線電容、驅(qū)動(dòng)電路等盡可能靠近布局,減少功率回路的面積。
? 采用雙面布線的方式,在
發(fā)表于 07-02 11:22
簡(jiǎn)述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效
利用普源示波器進(jìn)行功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的研究
功率器件作為電子系統(tǒng)中的核心元件,其動(dòng)態(tài)特性直接影響著系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。因此,對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)特性的準(zhǔn)確測(cè)試顯得尤為重要。普源示波器作為一種高性能的電子測(cè)量?jī)x器,具有寬帶寬、高
功率器件電鍍的原理和步驟
在功率半導(dǎo)體制程里,電鍍扮演著舉足輕重的角色,從芯片前端制程到后端封裝,均離不開這一關(guān)鍵工序。目前,我國(guó)中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板,而攻克這些技術(shù)難題的關(guān)鍵在于電鍍。借助電鍍實(shí)現(xiàn)
新型功率器件的老化測(cè)試方法
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象,導(dǎo)致性能退化。如何在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確評(píng)估這些
什么是功率器件?特性是什么?包含哪些?
功率器件定義與核心特性 功率器件(Power Semiconductor Device)是電力電子領(lǐng)域的核心組件,特指直接處理電能的主電路器件
WBG功率器件的設(shè)計(jì)考慮
評(píng)論