視頻簡(jiǎn)介:目前,市場(chǎng)對(duì)低能耗和節(jié)能型電子產(chǎn)品的需求極大,從而符合及超越政府及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織的節(jié)能要求。功率MOSFET由于開關(guān)損耗低,已經(jīng)成為主要開關(guān)器件的標(biāo)準(zhǔn)選擇。功率MOSFET在高速開關(guān)、高擊穿電壓、大電流及低功率損耗方面提供極佳性能。它們?cè)诟咚佟⒏哳l工作方面極為出色。功率MSOFET廣泛用于開關(guān)穩(wěn)壓器,如AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機(jī)控制器。這視頻討論功率MOSFET,特別是安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的纖薄ATPAK封裝功率MOSFET。
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功率MOSFET管的應(yīng)用問題分析
采用 QFN 封裝的 0.1 至 3.8 GHz SPDT 高功率天線調(diào)諧開關(guān) skyworksinc
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采用 WLCSP 封裝的 0.1 – 3.0 GHz SPDT 高功率開關(guān)(單位控制) skyworksinc
MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
電源功率器件篇:線路寄生電感對(duì)開關(guān)器件的影響
從開關(guān)速度看MOSFET在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)
初級(jí)元器件知識(shí)之功率MOSFET
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麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用
MOSFET與IGBT的區(qū)別
MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算
圣邦微電子推出超小封裝MOSFET器件SGMNQ32430
安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

采用ATPAK封裝功率MOSFET在開關(guān)器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
評(píng)論