三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片
3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
第三代10nm級工藝即1z nm（在內(nèi)存制造中，用x/y/z指代際，工藝區(qū)間是10~20nm），整合了EUV極紫外光刻技術，單芯片容量8Gb（1GB）。
三星表示，1z nm是業(yè)內(nèi)目前最頂尖的工藝，生產(chǎn)效率較1y nm提升了20%，可以更好地滿足日益增長的市場需求。
量產(chǎn)時間敲定在今年下半年，成品的8GB DDR4模組也在驗證中，目標領域是下一代企業(yè)級服務器和2020年的高端PC產(chǎn)品。
三星還表示，將在平澤市（Pyeongtaek）提高DRAM芯片的產(chǎn)能，同時上述先進技術還將應用于未來的DDR5、LPDDR5、GDDR6產(chǎn)品上。
不過，就在昨天（3月20日），三星電子聯(lián)席CEO金基南（Kim Ki-nam）還指出，由于智能機市場增長乏力，數(shù)據(jù)中心公司削減投資，公司的存儲芯片等零部件業(yè)務預計將面臨艱難一年。
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