chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

如何確認(rèn)P管的開關(guān)速度

Elecfans學(xué)院推薦 ? 2019-05-19 09:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

課程介紹

詳解“如何提高P管的開關(guān)速度”主要涉及的幾個(gè)問題

第一個(gè)問題是如何使電容放電速度加快?

第二個(gè)問題就是根據(jù)三極管和各元件的特性如何設(shè)計(jì)開關(guān)電路?

第三部分是為什么電感導(dǎo)通之后為什么電流會(huì)變成一個(gè)漸變量?

整個(gè)系列的課程流程是這樣的:

首先,我們了解如何讓電路放電速度加快?可以采取什么樣的措施;然后,我們利用電路中元件的特性去優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。當(dāng)完成這一步之后,就可以觀察電流的改變以確認(rèn)P管的開關(guān)速度。

我們?cè)谡麄€(gè)課程中,不僅僅是一個(gè)學(xué)習(xí)提高P管的開關(guān)速度設(shè)計(jì)的過程。我們同樣注重如何通過思考來(lái)采取合適的方案達(dá)到實(shí)驗(yàn)?zāi)康模粋€(gè)系統(tǒng)的學(xué)習(xí)方式能梳理出每個(gè)設(shè)計(jì)學(xué)習(xí)的重點(diǎn)難點(diǎn),這對(duì)于每個(gè)進(jìn)行電路設(shè)計(jì)的學(xué)習(xí)者都是十分受用的。

學(xué)習(xí)獲得:

通過這個(gè)課程你可以:

掌握開關(guān)管的原理;

快速高效學(xué)會(huì)設(shè)計(jì)溫度開關(guān)控制電路;

學(xué)習(xí)到提高P管的開關(guān)速度的技巧;

提升技術(shù),升職加薪。

專欄課程 27個(gè)課時(shí)(點(diǎn)擊教程即可觀看)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    145

    文章

    3672

    瀏覽量

    126144
  • 電路設(shè)計(jì)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6726

    文章

    2561

    瀏覽量

    216963
  • C語(yǔ)言
    +關(guān)注

    關(guān)注

    183

    文章

    7634

    瀏覽量

    143940
  • PNP管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    28

    瀏覽量

    8039
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    影響三極開關(guān)電路的導(dǎo)通速度的因素是什么

    掌握優(yōu)化設(shè)計(jì)三極開關(guān)電路的導(dǎo)通速度的方法;快速高效學(xué)會(huì)調(diào)控三極開關(guān)電路電流大小。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 07:28 ?1.1w次閱讀
    影響三極<b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>電路的導(dǎo)通<b class='flag-5'>速度</b>的因素是什么

    三極和MOS開關(guān)速度誰(shuí)快呀

    ` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 編輯 MOS管上有等效電容的存在,所以開關(guān)時(shí)間比三極長(zhǎng),三極速度最快。 但也有的說三極
    發(fā)表于 07-09 17:13

    P型MOS開關(guān)電路圖資料推薦

    P型MOS開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS。P溝道MOS
    發(fā)表于 10-28 10:07

    MOS開關(guān)速度的相關(guān)參數(shù)有哪些

    1、首先看一個(gè)普通SOT-23封裝mos開關(guān)參數(shù)Qg表示MOS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極需要的總的電荷量,這個(gè)參數(shù)直接反應(yīng)mos
    發(fā)表于 10-29 08:10

    有什么方法可以提高晶體開關(guān)速度呢?

    等效的提高開關(guān)速度的方法,較小R1值也會(huì)加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體開關(guān)
    發(fā)表于 02-09 15:48

    P型MOS開關(guān)電路及工作原理詳解-KIA MOS

    P型MOS開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS。P溝道MOS
    發(fā)表于 10-21 19:36 ?58次下載
    <b class='flag-5'>P</b>型MOS<b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>電路及工作原理詳解-KIA MOS<b class='flag-5'>管</b>

    MOS開關(guān)速度相關(guān)參數(shù)

    1、首先看一個(gè)普通SOT-23封裝mos開關(guān)參數(shù)Qg表示MOS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極需要的總的電荷量,這個(gè)參數(shù)直接反應(yīng)mos
    發(fā)表于 10-22 13:36 ?37次下載
    MOS<b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b><b class='flag-5'>速度</b>相關(guān)參數(shù)

    提高晶體開關(guān)速度的方法

    提高晶體開關(guān)速度的方法可以通過減少晶體的輸入電容來(lái)提高晶體開關(guān)
    發(fā)表于 02-24 15:54 ?2159次閱讀
    提高晶體<b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b><b class='flag-5'>速度</b>的方法

    影響二極開關(guān)速度的主要因素是什么

    影響二極開關(guān)速度的主要因素是什么? 二極開關(guān)是電子設(shè)備領(lǐng)域中不可或缺的一種元件,它具有快速切換衰減電壓的特性。二極
    的頭像 發(fā)表于 09-02 10:13 ?2707次閱讀

    提高三極開關(guān)速度的幾種方法

    提高三極開關(guān)速度的幾種方法 三極是一種常用的電子器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。在電子電路中,三極通常起到
    的頭像 發(fā)表于 10-31 14:43 ?2937次閱讀

    如何提高晶體開關(guān)速度

    如何提高晶體開關(guān)速度?
    的頭像 發(fā)表于 11-27 14:23 ?1656次閱讀
    如何提高晶體<b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>開關(guān)</b><b class='flag-5'>速度</b>?

    有什么方法可以提高晶體開關(guān)速度呢?

    有什么方法可以提高晶體開關(guān)速度呢? 電子行業(yè)一直在尋求提高晶體速度的方法,以滿足高速和高性能計(jì)算需求。下面將詳細(xì)介紹幾種可以提高晶體
    的頭像 發(fā)表于 01-12 11:18 ?1977次閱讀

    如何提高晶體開關(guān)速度,讓晶體快如閃電

    咱們今天講講電子世界的跑步選手——晶體。這小東西在電子產(chǎn)品里就像是繼電賽跑的選手,開關(guān)速度決定了電子設(shè)備的快慢。那么,如何才能提高晶體開關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 04-03 11:54 ?1316次閱讀
    如何提高晶體<b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>開關(guān)</b><b class='flag-5'>速度</b>,讓晶體<b class='flag-5'>管</b>快如閃電

    影響MOS開關(guān)速度的因素有哪些

    MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體)的開關(guān)速度是指其從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)(或反之)所需的時(shí)間,這個(gè)時(shí)間包括上升時(shí)間和下降時(shí)間,分別對(duì)應(yīng)輸出電壓從低電平上升到高電平(或從高電平下
    的頭像 發(fā)表于 10-09 11:38 ?6329次閱讀

    如何測(cè)量MOS開關(guān)速度

    MOS開關(guān)速度是其重要性能指標(biāo)之一,可以通過以下方法進(jìn)行測(cè)量: 一、使用示波器測(cè)量 連接電路 : 將MOS接入測(cè)試電路,確保柵極、漏極和源極正確連接。 使用信號(hào)發(fā)生器向MOS
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:11 ?2966次閱讀