采用GaN和SiC先進(jìn)開(kāi)關(guān)技術(shù)的逆變器
新一代逆變器采用GaN和SiC等先進(jìn)開(kāi)關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開(kāi)關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
開(kāi)關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
3298瀏覽量
97011 -
逆變器
+關(guān)注
關(guān)注
298文章
5006瀏覽量
213587 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2277瀏覽量
78588
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
適用于SiC/GaN器件的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)方案SLMi8232BDCG-DG介紹
太陽(yáng)能逆變器的 DC/AC 轉(zhuǎn)換模塊
電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)及車(chē)載電源管理
適用于 MOSFET/IGBT/SiC/GaN 功率器件的隔離驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景
SLMi8232BDCG-DG是一款高隔離耐壓、低延遲的雙通道
發(fā)表于 09-18 08:20
安森美SiC MOSFET模塊在牽引逆變器的應(yīng)用
牽引逆變器被稱(chēng)為電驅(qū)系統(tǒng)的 “心臟”，為車(chē)輛行駛提供必需的扭矩與加速度。當(dāng)前，很多純電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)均采用IGBT技術(shù)。而碳化硅(SiC)技術(shù)
SiLM27531HAC-7G車(chē)規(guī)級(jí)單通道 30V, 5A/5A 高欠壓保護(hù)閾值的高速低邊門(mén)極驅(qū)動(dòng)解析
在追求高效率、高功率密度的開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中（尤其汽車(chē)電子領(lǐng)域），驅(qū)動(dòng)器的性能至關(guān)重要。針對(duì)GaN、SiC等寬帶隙器件對(duì)高速、強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力和高驅(qū)動(dòng)電壓的需求
發(fā)表于 08-09 09:18
Si、SiC與GaN，誰(shuí)更適合上場(chǎng)？| GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)解析
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲系列-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：TMC現(xiàn)場(chǎng)記錄、Horse、Hofer、Vitesco-本篇為節(jié)選
混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動(dòng)汽車(chē)的最優(yōu)解?
工況下表現(xiàn)更為明顯。相比之下，基于SiC的逆變器雖具有更低開(kāi)關(guān)損耗和更高效率，但其制造成本較高且依賴(lài)先進(jìn)工藝。混合SiC/IGBT方案旨在融
交流充電樁負(fù)載能效提升技術(shù)
功率器件與拓?fù)鋬?yōu)化
寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用
傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開(kāi)關(guān)損耗高，限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）器件可顯著降低損耗：
發(fā)表于 05-21 14:38
GaN與SiC功率器件深度解析
本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?；趯?duì)市售
SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊：高效能、超快開(kāi)關(guān)與卓越熱管理
近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封
氮化鎵（GaN）功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量
：Driving-Electric-Motors-with-GaN-Power-ICs.pdf 挑戰(zhàn)與變革 ：使用GaN功率IC的電機(jī)逆變器可降低系統(tǒng)成本，如去除散熱器、提高集成度、實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化裝配，同時(shí)提升效率、降低能耗、改善產(chǎn)
SiC與GaN技術(shù)專(zhuān)利競(jìng)爭(zhēng)：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇
在過(guò)去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢(shì)，如降低功率損耗、更高的開(kāi)關(guān)速度以及能夠在高溫下工作，使其特別適用于電
正弦逆變器方案開(kāi)發(fā)采用了哪些先進(jìn)技術(shù),如何實(shí)現(xiàn)正弦逆變器的高效能量轉(zhuǎn)換？
低于3%，減少對(duì)設(shè)備的干擾和損壞。廣泛適用性：
適用于感性負(fù)載（如電機(jī)）、容性負(fù)載（如電腦）和阻性負(fù)載（如燈泡）。高效率：
采用先進(jìn)的PWM（脈寬調(diào)制）或SPWM（正弦脈寬調(diào)制）技術(shù)，轉(zhuǎn)換效率可達(dá)90
發(fā)表于 02-27 15:52
香港科技大學(xué)陳敬課題組揭示GaN與SiC材料的最新研究進(jìn)展
基于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵，碳化硅的最新研究進(jìn)展。研究成果覆蓋功率器件技術(shù)和新型器件技術(shù)： 高速且具備優(yōu)越開(kāi)關(guān)速度控制能力的3D堆疊式GaN/SiC
電動(dòng)汽車(chē)的SiC演變和GaN革命
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電動(dòng)汽車(chē)的SiC演變和GaN革命.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-24 14:03
?3次下載
SiC和GaN器件的兩大主力應(yīng)用市場(chǎng)
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。
GaN，又有新突破?
PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開(kāi)關(guān)IC，這一技術(shù)突破有哪些亮點(diǎn)?它將如何影響高壓氮化鎵市場(chǎng)? 近日，Power Integrations(以下簡(jiǎn)稱(chēng)PI)宣布推出InnoMux?-2系列單
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論