如何使用Soatherm進行MOSFET熱模型的設(shè)計
在高功率水平下，驗證熱插拔設(shè)計是否不超過MOSFET的能力是一個挑戰(zhàn)。幸運的是，熱行為和SOA可以在LTSPICE IV?等電路模擬器中建模。LTSPICE中包含的SoathermNMOS符號包含由線性技術(shù)開發(fā)的MOSFET熱模型集合，以簡化此任務(wù)。這些熱模型可用于驗證MOSFET的最大模具溫度沒有超過，即使在斯普里托區(qū)域，允許電流在高漏源電壓下呈指數(shù)下降。理論上，Soatherm報告了MOSFET芯片上最熱點的溫度。Soatherm模型預(yù)測了MOSFET的溫度，而不影響電路模擬的電氣行為。本視頻介紹如何使用Soatherm
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