韓國三星首次研發(fā)5納米半導(dǎo)體工藝
韓國《中央日報(bào)》發(fā)布消息稱，三星電子已成功研發(fā)出5納米(nm)半導(dǎo)體工藝，并于4月中正式量產(chǎn)首個(gè)利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對于新一代半導(dǎo)體的精密工藝問題，三星電子與各企業(yè)間的技術(shù)較量也日趨激烈。
三星電子宣布成功開發(fā)的5納米精密工藝采用了比現(xiàn)有的ArF更優(yōu)越的EUV技術(shù)。與ArF工藝相比，EUV短波長，能夠更加準(zhǔn)確地畫出精密半導(dǎo)體的電路。半導(dǎo)體的電路越設(shè)計(jì)越薄，芯片的尺寸變小，耗電量也同時(shí)減小，發(fā)熱也降低，因此精密工藝尤為重要。
三星電子方面表示，此次開發(fā)的“5納米工藝”通過最優(yōu)化的單元儲存設(shè)計(jì)，將比已有的7納米減少25%的面積大小，同時(shí)電量使用率提高20%，性能提高10%。
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