場效應晶體管（FETs）是電子世界的基本組成單元。人們生活中使用的電腦、手機等電子設備都由場效應晶體管組成。為了進一步提高場效應晶體管的運行速度和微型化程度，并保證器件高性能的同時降低其能耗，研究人員付出了巨大的努力。但是，當溝道長度不斷縮短至幾納米時，硅基晶體管器件的性能開始顯著下降，顯然已經進入了研究的瓶頸期。

二維半導體包括過渡金屬二硫屬化合物（TMDs）和黑磷等，具有豐富的價帶結構和可調的厚度，展現出作為下一代溝道材料的巨大潛力。與傳統(tǒng)的硅半導體相比，二維半導體在物理性質、電學性質和光學性質上具有巨大的優(yōu)勢。目前為止，有很多關于多種二維半導體的合成與應用等方面的報道。但是，影響二維半導體場效應晶體管性能的主要因素——界面需要得到更多的關注。

近日，哈爾濱工業(yè)大學的胡平安教授團隊在綜述性論文”Interfacial Engineering for Fabricating High‐Performance Field‐Effect Transistors Based on 2D Materials”中系統(tǒng)地總結了二維半導體場效應晶體管的構筑技術和方法。該綜述總結了關于電極與半導體接觸和介電層與半導體的界面的優(yōu)化策略，介紹了二維半導體場效應晶體管在柔性晶體管、生物傳感器和集成電路等方面的應用。最后，作者對二維半導體器件的發(fā)展方向進行了總結和展望，包括如何制備理想的界面接觸、合成高質量高產量的二維半導體及其異質結構等。