2019年6月6日，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地（一期）12 英寸生產(chǎn)線建設項目首批三臺***搬入儀式舉行。光刻設備的搬入標志著華虹無錫基地項目建設進入新的里程，整個項目也隨即達到新高度。

華虹半導體新任總裁唐均君表示，目前，有關12英寸的工藝研發(fā)、工程、銷售和市場團隊正在緊鑼密鼓開發(fā)新產(chǎn)產(chǎn)品，為12英寸晶圓生產(chǎn)線的初始量產(chǎn)做好準備。華虹無錫基礎一期截止6月5日已經(jīng)搬入35臺設備，其中25臺已經(jīng)完成安裝調(diào)試，預計將于9月進行試生產(chǎn)，12月形成量產(chǎn)能力。

根據(jù)此前官方介紹，華虹無錫項目占地約700畝，總投資100億美元，一期投資25億美元，新建一條工藝等級90～65納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領域的應用。

該項目于2018年3月正式開工建設，計劃將于2019年上半年完成土建施工，下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝、通線并逐步實現(xiàn)達產(chǎn)。自開建以來，華虹無錫項目一直加速前進，主要工程節(jié)點均提前完成。

今年3月，華虹半導體在其年報上表示，華虹無錫已于2018年底主體結構全面封頂，預計將于2019年第二季度末完成廠房和潔凈室的建設，下半年開始搬入設備，并于2019年第四季度開始300mm晶圓的量產(chǎn)。

據(jù)悉，為加快實現(xiàn)華虹無錫的順利投產(chǎn)、風險量產(chǎn)和上量，華虹半導體在2018年啟動了55nm邏輯工藝及相關IP的研發(fā)，預計2019年下半年開始導入客戶，同時開始研發(fā)55納米嵌入式閃存工藝的存儲單元，功能驗證已通過，為未來55納米嵌入式閃存技術量產(chǎn)打下堅實的基礎。