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華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地一期建設項目首批三臺光刻機搬入 預計將于9月進行試生產(chǎn)

半導體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-06-06 17:29 ? 次閱讀
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2019年6月6日,華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地(一期)12 英寸生產(chǎn)線建設項目首批三臺***搬入儀式舉行。光刻設備的搬入標志著華虹無錫基地項目建設進入新的里程,整個項目也隨即達到新高度。

華虹半導體新任總裁唐均君表示,目前,有關12英寸的工藝研發(fā)、工程、銷售和市場團隊正在緊鑼密鼓開發(fā)新產(chǎn)產(chǎn)品,為12英寸晶圓生產(chǎn)線的初始量產(chǎn)做好準備。華虹無錫基礎一期截止6月5日已經(jīng)搬入35臺設備,其中25臺已經(jīng)完成安裝調(diào)試,預計將于9月進行試生產(chǎn),12月形成量產(chǎn)能力。

根據(jù)此前官方介紹,華虹無錫項目占地約700畝,總投資100億美元,一期投資25億美元,新建一條工藝等級90~65納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線,支持5G物聯(lián)網(wǎng)等新興領域的應用。

該項目于2018年3月正式開工建設,計劃將于2019年上半年完成土建施工,下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝、通線并逐步實現(xiàn)達產(chǎn)。自開建以來,華虹無錫項目一直加速前進,主要工程節(jié)點均提前完成。

今年3月,華虹半導體在其年報上表示,華虹無錫已于2018年底主體結構全面封頂,預計將于2019年第二季度末完成廠房和潔凈室的建設,下半年開始搬入設備,并于2019年第四季度開始300mm晶圓的量產(chǎn)。

據(jù)悉,為加快實現(xiàn)華虹無錫的順利投產(chǎn)、風險量產(chǎn)和上量,華虹半導體在2018年啟動了55nm邏輯工藝及相關IP的研發(fā),預計2019年下半年開始導入客戶,同時開始研發(fā)55納米嵌入式閃存工藝的存儲單元,功能驗證已通過,為未來55納米嵌入式閃存技術量產(chǎn)打下堅實的基礎。

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