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      主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動調(diào)整電路

      羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 2019-07-02 15:06 ? 次閱讀
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      本文將對電源IC BD7682FJ的外置MOSFET的開關(guān)調(diào)整部件和調(diào)整方法進(jìn)行介紹。
      MOSFET柵極驅(qū)動調(diào)整電路：R16、R17、R18、D17


      "
      為了優(yōu)化外置MOSFET Q1的開關(guān)工作，由R16、R17、R18、D17組成一個調(diào)整電路，用來調(diào)節(jié)來自BD7682FJ的OUT引腳的柵極驅(qū)動信號（參見電路圖）。這個電路會對MOSFET的損耗和噪聲產(chǎn)生影響，因此需要邊確認(rèn)MOSFET的開關(guān)波形和損耗邊優(yōu)化。
      "


      開關(guān)導(dǎo)通時的速度由串聯(lián)插入柵極驅(qū)動信號線的R16和R17來調(diào)整。


      開關(guān)關(guān)斷時的速度由用來抽取電荷的二極管D17和R16的組合來調(diào)整。


      通過減小各電阻值，可提高開關(guān)速度（上升/下降時間）。


      在此次的電路示例中，R16＝10Ω/0.25W，R17＝150Ω，D17＝肖特基勢壘二極管RB160L-60（60V/1A）。


      準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗基本上不會在導(dǎo)通時產(chǎn)生，關(guān)斷時的損耗占主導(dǎo)地位。



      要想降低開關(guān)關(guān)斷時的開關(guān)損耗，需要減小R16，提高開關(guān)關(guān)斷速度。但這會產(chǎn)生急劇的電流變化，開關(guān)噪聲會變大。


      開關(guān)損耗和噪聲之間存在著此起彼消（Trade-off）的制約關(guān)系。所以需要在裝入實(shí)際產(chǎn)品的狀態(tài)下測量MOSFET的溫度上升（＝損耗）和噪聲情況，并確認(rèn)溫度上升和噪聲水平在容許范圍內(nèi)。請根據(jù)需要將上述常數(shù)作為起始線進(jìn)行調(diào)整。


      另外，由于R16中會流過脈沖電流，因此需要確認(rèn)所用電阻的抗脈沖特性。


      R18是MOSFET柵極的下拉電阻，請以10kΩ～100kΩ為大致標(biāo)準(zhǔn)。

      關(guān)鍵要點(diǎn):

      • 調(diào)整柵極驅(qū)動信號，并優(yōu)化開關(guān)晶體管的損耗和噪聲。

      • 加快開關(guān)的上升/下降時間可減少損耗，但開關(guān)噪聲會變大。


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      原文標(biāo)題：主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動調(diào)整電路

      文章出處：【微信公眾號：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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