柵極驅(qū)動(dòng)器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動(dòng)電壓的影響以及驅(qū)動(dòng)電源的要求。
1柵極電壓設(shè)置
柵極電壓對(duì)SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性有很大影響。如第10講《SiC的加工工藝(2)-柵極絕緣層》所述,為了得到低電阻、特性穩(wěn)定的SiC MOSFET,三菱電機(jī)基于大量的經(jīng)驗(yàn)和數(shù)據(jù),對(duì)制造工藝、柵極結(jié)構(gòu)進(jìn)行最優(yōu)化設(shè)計(jì),生產(chǎn)的工業(yè)SiC模塊可以采用與Si器件相同的柵極電壓(±15V)(除了一件產(chǎn)品)。
1.1 柵極正向電壓影響
柵極正向電壓主要影響SiC MOSFET開(kāi)通特性、二極管關(guān)斷特性和抗短路能力。
當(dāng)柵極正向電壓增加(例如VGS(+)從13.5V增加到16.5V),開(kāi)通速度會(huì)變快,開(kāi)通損耗降低(圖1)。但是,另一方面,對(duì)管二極管關(guān)斷浪涌電壓增大(圖2),dv/dt(max)增大(圖3)。
圖1:柵極正向電壓對(duì)SiC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗影響(FMF600DXZ-24B,Tvj=25℃,VDD=600V,ID=600A)
圖2:柵極正向電壓對(duì)關(guān)斷浪涌電壓影響(FMF600DXZ-24B,Tvj=25℃,VDD=600V,ID=600A)
圖3:柵極正向電壓對(duì)dv/dt影響(FMF600DXZ-24B,Tvj=25℃,VDD=600V,ID=600A)
柵極正向電壓增大,對(duì)應(yīng)的漏源極通態(tài)壓降變小。反之,如果柵極正向電壓低于推薦值,通態(tài)壓降會(huì)增加,通態(tài)損耗就會(huì)增大。但是,另一方面,柵極正向電壓越大,短路電流值也越大,器件短路耐受時(shí)間就會(huì)縮短。因此,柵極正向電壓應(yīng)根據(jù)具體應(yīng)用工況及系統(tǒng)可靠性要求來(lái)確定。
1.2 柵極負(fù)向電壓影響
當(dāng)柵極負(fù)向電壓增大(例如VGS(-)從-7V增加到-15V),開(kāi)關(guān)速度會(huì)變快,開(kāi)關(guān)損耗降低(圖4)。但是,另一方面,SiC MOSFET關(guān)斷浪涌電壓和二極管關(guān)斷浪涌電壓增大(圖5),dv/dt(max)增大(圖6)。
圖4:柵極負(fù)向電壓對(duì)SiC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗影響(FMF600DXZ-24B,Tvj=25℃,VDD=600V,ID=600A)
圖5:柵極負(fù)向電壓對(duì)關(guān)斷浪涌電壓影響(FMF600DXZ-24B,Tvj=25℃,VDD=600V,ID=600A)
圖6:柵極負(fù)向電壓對(duì)dv/dt影響(FMF600DXZ-24B,Tvj=25℃,VDD=600V,ID=600A)
2柵極驅(qū)動(dòng)電源
柵極驅(qū)動(dòng)電源需要提供足夠的柵極電流和驅(qū)動(dòng)功率。圖7為柵極電壓和柵極電流示意圖。如果柵極電壓和柵極電阻RG確定,驅(qū)動(dòng)電路的平均柵極電流由式(1)確定,峰值柵極電流由式(2)確定,所需的平均驅(qū)動(dòng)功率按式(3)計(jì)算。
圖7:柵極電壓和柵極電流示意圖
正文完
<關(guān)于三菱電機(jī)>
三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2024年3月31日的財(cái)年,集團(tuán)營(yíng)收52579億日元(約合美元348億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè),三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專利技術(shù),并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場(chǎng),三菱電機(jī)從事開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有69年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無(wú)線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
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原文標(biāo)題:第20講:SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(2)
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