。目前廣泛應(yīng)用的是SiO2為絕緣層的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOSFET。以功能類型劃分,MOSFET分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種,其中耗盡型與增強(qiáng)型主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層
發(fā)表于 07-29 06:01
場(chǎng)效應(yīng)管(FET),場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是什么意思
場(chǎng)效應(yīng)管和雙極晶體管不同,僅以電子或空穴中的一種載子動(dòng)作的晶體管。按照結(jié)構(gòu)、原理可以
發(fā)表于 03-01 11:06
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VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS
發(fā)表于 03-04 09:51
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VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS
發(fā)表于 03-05 15:44
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場(chǎng)效應(yīng)管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn),因而也被
發(fā)表于 03-31 10:06
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關(guān)于這兩個(gè)電子器件在很多電路中都會(huì)遇到,比如場(chǎng)效應(yīng)管可以作為電磁爐中的開(kāi)關(guān)振蕩管、電瓶車充電器電路中作為開(kāi)關(guān)管使用,場(chǎng)效應(yīng)管尤其在電腦主板中用的比較多;對(duì)于晶閘管我們俗稱
發(fā)表于 07-19 10:32
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場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅驅(qū)動(dòng)電路是有本質(zhì)上的差異,首要場(chǎng)效應(yīng)管通常分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,可控硅
發(fā)表于 09-26 10:55
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場(chǎng)效應(yīng)管是一種電子元件,它可以控制電流或電壓,通過(guò)改變極化層的電場(chǎng)來(lái)控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分為MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)、JFET(金屬硅場(chǎng)效應(yīng)管)、IGBT
發(fā)表于 02-17 15:44
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場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅有什么區(qū)別?? 場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅都是常見(jiàn)的半導(dǎo)體元件,它們?cè)陔娐窇?yīng)用中廣泛用到,但是它們有不同的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)合。在本篇文
發(fā)表于 08-25 15:41
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場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎?場(chǎng)效應(yīng)管mos管的區(qū)別?場(chǎng)效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方?
發(fā)表于 09-02 11:31
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可控硅與場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別工作原理 可控硅(SCR)和場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是電子領(lǐng)域中兩個(gè)常見(jiàn)的器件,它們?cè)诓煌膽?yīng)用領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將重點(diǎn)介紹SCR和FET的工作原理及它們之間的
發(fā)表于 09-08 11:47
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可控硅(Thyristor,縮寫(xiě)為SCR)和場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,縮寫(xiě)為FET)是兩種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,它們?cè)陔娮与娐分杏兄鴱V泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于半導(dǎo)體器件,但它們之間存在著一些顯著的區(qū)別
發(fā)表于 09-09 16:09
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別是什么?? 場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,利用半導(dǎo)體中電荷分布的特性控制電流的流動(dòng)。常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)管有結(jié)型
發(fā)表于 09-18 18:20
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場(chǎng)效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT管? 場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)和絕緣柵雙極
發(fā)表于 11-22 16:51
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, P-Channel FET)是場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor, FET)的兩種基本類型,它們?cè)趯?dǎo)電機(jī)制、極性、驅(qū)動(dòng)電壓、導(dǎo)通電阻、噪聲特性、溫度特性以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在顯著差異。以下是對(duì)這兩種場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別的詳細(xì)闡述:
發(fā)表于 09-23 16:38
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評(píng)論