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英特爾「Foveros」3D封裝技術(shù)打造首款異質(zhì)處理器

h1654155973.6121 ? 來(lái)源:YXQ ? 2019-07-08 11:47 ? 次閱讀
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英特爾(Intel)在今年的COMPUTEX終于正式宣布,其10納米的處理器「Ice Lake」開始量產(chǎn),但是另一個(gè)10納米產(chǎn)品「Lakefiled」卻缺席了。

雖然同樣使用10納米制程,但「Lakefiled」是一個(gè)更高階的產(chǎn)品,同時(shí)也將是是英特爾首款使用3D封裝技術(shù)的異質(zhì)整合處理器。

圖四: 英特爾Foveros的堆疊解析圖(source: intel)

根據(jù)英特爾發(fā)布的資料,「Lakefield」處理器,不僅在單一芯片中使用了一個(gè)10nm FinFET制程的「Sunny Cove」架構(gòu)主核心,另外還配置了4個(gè)也以10nm FinFET制程生產(chǎn)的「Tremont」架構(gòu)的小核心。此外,還內(nèi)建LP-DDR4記憶體控制器、L2和L3快取記憶體,以及一個(gè)11代的GPU

而能夠?qū)⑦@么多的處理核心和運(yùn)算單元打包成一個(gè)單芯片,且整體體積僅有12 x 12mm,所仰賴的就是「Foveros」3D封裝技術(shù)。

圖五: 英特爾Foveros的區(qū)塊與架構(gòu)原理(source: intel)

在年初的架構(gòu)日上,英特爾也特別針對(duì)「Foveros」技術(shù)做說(shuō)明。英特爾指出,不同于過(guò)去的3D芯片堆疊技術(shù),F(xiàn)overos能做到邏輯芯片對(duì)邏輯芯片的直接貼合。

英特爾表示,F(xiàn)overos的問(wèn)世,可以為裝置與系統(tǒng)帶來(lái)更高性能、高密度、低功耗的處理芯片技術(shù)。Foveros可以超越目前被動(dòng)中介層(interposers)的芯片堆疊技術(shù),同時(shí)首次把記憶體堆疊到如CPU、繪圖芯片和AI處理器等,這類高性能邏輯芯片之上。

此外,英特爾也強(qiáng)調(diào),新技術(shù)將提供卓越的設(shè)計(jì)彈性,尤其當(dāng)開發(fā)者想在新的裝置外型中,置入不同類型記憶體和I/O元素的混合IP區(qū)塊。它能將產(chǎn)品分拆成更小的「微芯片(chiplets)」結(jié)構(gòu),讓I/O、SRAM電源傳遞電路可以在配建在底層的裸晶上,接著高性能的邏輯微芯片則可進(jìn)一步堆疊在其上。

英特爾甚至強(qiáng)調(diào),F(xiàn)overos技術(shù)的問(wèn)世是該公司在3D封裝上的一大進(jìn)展,是繼EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)2D封裝技術(shù)之后的一大突破。

TSV與μbumps技術(shù)是量產(chǎn)關(guān)鍵

而從英特爾所揭露的技術(shù)資料可看出,F(xiàn)overos本身就是一種3D IC技術(shù),透過(guò)硅穿孔(Through-Silicon Via, TSV)技術(shù)與微凸塊(micro-bumps)搭配,把不同的邏輯芯片堆疊起來(lái)。

其架構(gòu)概念就是在一塊基礎(chǔ)的運(yùn)算微芯片(compute chiplet)上,以TSV加上微凸塊的方式,堆疊其他的運(yùn)算晶粒(die)和微芯片(chiplets),例如GPU和記憶體,甚至是RF元件等,最后再把整個(gè)結(jié)構(gòu)打包封裝。

而英特爾目前所使用的制程已達(dá)到10納米,預(yù)計(jì)也可以順利推進(jìn)至7納米,也此透過(guò)此3D封裝技術(shù),將可在單一芯片中達(dá)成絕佳的運(yùn)算效能,并持續(xù)推進(jìn)摩爾定律。

英特爾更特別把此技術(shù)稱為「臉貼臉(Face-to-Face)」的封裝,強(qiáng)調(diào)它芯片對(duì)芯片封裝的特點(diǎn)。而要達(dá)成此技術(shù),TSV與微凸塊(μbumps)的先進(jìn)制程技術(shù)就是關(guān)鍵,尤其是凸塊接點(diǎn)的間距(pitch)僅有約36微米(micron),如何透過(guò)優(yōu)異的打線流程來(lái)達(dá)成,就非??简?yàn)英特爾的生產(chǎn)技術(shù)了。

圖六: Foveros的TSV與微凸塊疊合示意(source: intel)

但是英特爾也指出,F(xiàn)overos技術(shù)仍存在三個(gè)挑戰(zhàn),分別為散熱、供電、以及良率。由于多芯片的堆疊,勢(shì)必會(huì)大幅加大熱源密度;而上下層邏輯芯片的供電性能也會(huì)受到挑戰(zhàn);而如何克服上述的問(wèn)題,并在合理的成本內(nèi)進(jìn)行量產(chǎn)供貨,則是最后的一道關(guān)卡。

依照英特爾先前發(fā)布的時(shí)程,「Lakefield」處理器應(yīng)該會(huì)在今年稍晚推出,但由于英特爾沒(méi)有在COMPUTEX更新此一產(chǎn)品的進(jìn)度,是否能順利推出仍有待觀察。


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