由于現(xiàn)行射頻前端器件制造商因手機(jī)通訊器件的功能需求，逐漸以GaAs晶圓作為器件的制造材料，加上隨著5G建設(shè)逐步展開(kāi)，射頻器件使用量較4G時(shí)代倍增，預(yù)料將帶動(dòng)GaAs射頻器件市場(chǎng)于2020年起進(jìn)入新一波成長(zhǎng)期。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，由于射頻前端器件特性，包含耐高電壓、耐高溫與高頻使用等，在4G與5G時(shí)代有高度需求，傳統(tǒng)如HBT和CMOS的Si器件已無(wú)法滿(mǎn)足，廠(chǎng)商便逐漸將目光轉(zhuǎn)移至GaAs化合物半導(dǎo)體。而GaAs化合物半導(dǎo)體憑借本身電子遷移率較Si器件快速，且具有抗干擾、低噪聲與耐高電壓等特性，因此特別適合應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)通訊中的高頻傳輸領(lǐng)域。

由于4G時(shí)代的手機(jī)通訊頻率使用范圍已進(jìn)展至1.8～2.7GHz，傳統(tǒng)3G的Si射頻前端器件已不夠使用，加上5G通市場(chǎng)正步入高速成長(zhǎng)期，其使用頻段也將更廣泛(包含3～5GHz、20～30GHz)，因此無(wú)論是4G或5G通訊應(yīng)用，現(xiàn)行射頻器件都將逐漸被GaAs取代。

若以目前市場(chǎng)發(fā)展來(lái)看，2018年下半年受到手機(jī)銷(xiāo)量下滑、中美貿(mào)易戰(zhàn)影響，沖擊GaAs通訊器件IDM廠(chǎng)營(yíng)收表現(xiàn)，預(yù)估2019年IDM廠(chǎng)總營(yíng)收將下滑至58.35億美元，年減8.9%。

然而，隨著5G通訊持續(xù)發(fā)展，射頻前端器件使用數(shù)量將明顯提升，如功率放大器(PA)使用量，由3G時(shí)代的2顆、4G的5-7顆，提升至5G時(shí)代的16顆，將帶動(dòng)2020年整體營(yíng)收成長(zhǎng)，預(yù)估GaAs射頻前端器件總營(yíng)收將達(dá)64.92億美元，年增11.3%。

整體而言，隨著各國(guó)持續(xù)投入建設(shè)5G基站等基礎(chǔ)設(shè)施，預(yù)估在2021、2022年將達(dá)到高峰，加上射頻前端器件使用數(shù)量較4G時(shí)代翻倍，將可望帶動(dòng)IDM大廠(chǎng)Skyworks(思佳訊)、Qorvo(威訊)新一波營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能，而臺(tái)廠(chǎng)射頻代工制造業(yè)穩(wěn)懋、宏捷科及環(huán)宇等，也將隨著IDM廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)而取得訂單，逐漸擺脫營(yíng)收衰退的陰霾。