近日Intel公開了三項(xiàng)全新的封裝技術(shù)：

一、Co-EMIB

利用利用高密度的互連技術(shù)，將EMIB(嵌入式多芯片互連橋接) 2D封裝和Foveros 3D封裝技術(shù)結(jié)合在一起，實(shí)現(xiàn)高帶寬、低功耗，以及相當(dāng)有競(jìng)爭(zhēng)力的I/O密度。

Co-EMIB能連接更高的計(jì)算性能和能力，讓兩個(gè)或多個(gè)Foveros元件互連從而基本達(dá)到SoC性能，還能以非常高的帶寬和非常低的功耗連接模擬器、內(nèi)存和其他模塊。

二、ODI

ODI全稱Omni-Directional Interconnect，為封裝中小芯片之間的全方位互連通信提供了更大的靈活性。

ODI封裝架構(gòu)中，頂部的芯片可以像EMIB下一樣，與其他小芯片進(jìn)行水平通信，還可以像Foveros下一樣，通過TSV與下面的底部裸片進(jìn)行垂直通信。

ODI利用更大的垂直通孔，直接從封裝基板向頂部裸片供電，比傳統(tǒng)硅通孔更大、電阻更低，因而可提供更穩(wěn)定的電力傳輸，同時(shí)通過堆疊實(shí)現(xiàn)更高的帶寬和更低的時(shí)延。此外，這種方法減少了基底芯片所需的硅通孔數(shù)量，為有源晶體管釋放更多的面積，并優(yōu)化了裸片的尺寸。

三、MDIO

基于高級(jí)接口總線(AIB)物理層互連技術(shù)，Intel發(fā)布了這種名為MDIO的全新裸片間接口技術(shù)。

MDIO技術(shù)支持對(duì)小芯片IP模塊庫(kù)的模塊化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能效更高，響應(yīng)速度和帶寬密度可以是AIB技術(shù)的兩倍以上。