動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:40

  SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)

  

  原文標(biāo)題：PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者：ThomasBasler原文發(fā)表在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:40

  新品 | 光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模塊

  

  新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊，采用M1H芯片，導(dǎo)通電阻8-17毫歐五個(gè)規(guī)格，PressFIT壓接針和NTC。產(chǎn)品型號(hào)：DF17MR12W1M1HDF16MR12W1M1HDF14MR12W1M1HDF11MR12W1M1HDF8MR12W1M1H產(chǎn)品特點(diǎn)Best-

  光伏 模塊

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-03-17 13:31

  1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

  

  產(chǎn)品型號(hào)：IKQ140N120CH7 電壓：1200V 電流：140A 封裝：TO-247-3, TO-247-4

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• 發(fā)布了文章 2023-03-15 22:10

  HV SJ MOSFET工作在第三象限時(shí)電流路徑探究

  

  熊康明英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部主任工程師1引言相信各位工程師在日常的電源設(shè)計(jì)中，當(dāng)面對(duì)ZVS的場(chǎng)景時(shí)，經(jīng)常會(huì)有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死區(qū)時(shí)，MOSFET寄生二極管續(xù)流，當(dāng)完成了對(duì)結(jié)電容的充放電之后，再打開MOSFET以降低器件的損耗。細(xì)心的工程師可能就會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)有趣的問題，我們這里拿IPW60R024CFD7舉例說明，假設(shè)死區(qū)時(shí)刻，流過二

  MOSFET 二極管 電流

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• 發(fā)布了文章 2023-03-15 22:10

  新品 | EVAL-IMI111T-026 iMOTION™帶有微控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器的2A 600V IPM評(píng)估板

  

  新品EVAL-IMI111T-026iMOTIONiMOTION集成了電機(jī)控制器、三相柵驅(qū)動(dòng)器2A600VIPM評(píng)估板，目標(biāo)應(yīng)用為家用空調(diào)室內(nèi)風(fēng)機(jī)，吊扇和小電機(jī)驅(qū)動(dòng)。產(chǎn)品型號(hào)：EVAL-IMI111T-026，2A600VIPM的評(píng)估板EVAL-IMI111T-026是一個(gè)用于iMOTIONIMI111T-026HIPM的啟動(dòng)套件。IMI111T-026H器

  控制器 評(píng)估板 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2023-03-15 22:09

  如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)

  

  作者簡(jiǎn)介作者：JanBaurichter翻譯：趙佳尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會(huì)降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計(jì)上，就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中，芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加，進(jìn)而影響性能。但是，由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間，因此有可

  IGBT 芯片

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• 發(fā)布了文章 2023-03-15 22:09

  如何通過優(yōu)化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰(zhàn)

  

  在本文的第一部分——《如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)》，我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)，你不可避免地會(huì)降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對(duì)熱性能的影響，以及如何通過優(yōu)化芯片位置和模塊布局來減輕這種影響?，F(xiàn)在，讓我們來看看我們?nèi)绾文軌蚋纳齐姎庑阅堋Ｍ瑯?，我們將以采用TRENCHSTOPIGBT7技術(shù)

  模塊 電氣 芯片

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• 發(fā)布了文章 2023-03-02 22:05

  如何在最短的時(shí)間內(nèi)得到英飛凌工程師的技術(shù)支持？這份操作指南請(qǐng)收好

  

  在項(xiàng)目開發(fā)過程中，您是不是經(jīng)常：不清楚如何選擇合適規(guī)格的半導(dǎo)體芯片調(diào)試過程中總是出現(xiàn)bug測(cè)試過程中有一些震蕩總是無法消除當(dāng)您有以上困惑，卻苦于無法聯(lián)系到原廠工程師的時(shí)候，就請(qǐng)登錄英飛凌官方開發(fā)者社區(qū)吧。英飛凌官方開發(fā)者社區(qū)在英飛凌開發(fā)者社區(qū)，工程師的技術(shù)問題可以得到快速解答。源于多達(dá)200人組成的英飛凌專業(yè)工程師團(tuán)隊(duì)，每天都到論壇查看用戶的問題，確保24小

  芯片 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-03-02 22:04

  米勒電容、米勒效應(yīng)和器件與系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)策

  

  搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個(gè)詞困擾。米勒效應(yīng)增加開關(guān)延時(shí)不說，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對(duì)呢？我們先來看IGBT開通時(shí)的典型波形：上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍(lán)色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC。在開通過程中，GE的電壓從-10V開始上升，上升至閾值電壓后，IGBT導(dǎo)通，開始流過電流

  器件 系統(tǒng)

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• 發(fā)布了文章 2023-02-21 22:04

  新品 | EiceDRIVER™ 0.35A/0.65A 1200V SOI技術(shù)的三相柵極驅(qū)動(dòng)器

  

  新品EiceDRIVER0.35A/0.65A1200VSOI技術(shù)的三相柵極驅(qū)動(dòng)器EiceDRIVER1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器，典型的0.35A源電流和0.65A灌電流。其采用DSO-24引腳封裝，適用于IGBT（絕緣柵雙極晶體管）/SiC（碳化硅）模塊和分立器件驅(qū)動(dòng)。產(chǎn)品型號(hào)：6ED2231S12TEiceDRIVER1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器，典型的0.3

  電流 驅(qū)動(dòng)器

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