動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:41

  是時候從Si切換到SiC了嗎？

  

  作者簡介作者：UweJansen翻譯：陳子穎在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關(guān)器件，特別是SiCMOSFET，已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動車（BEV）驅(qū)動系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都必須評估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么

  SiC 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:41

  新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE

  IGBT 分立器件

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• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:41

  新品 | X3 Compact POLARIS 1ED314x - 6.5A, 3kVrms單通道隔離柵極驅(qū)動器

  

  新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)單通道隔離柵極驅(qū)動器X3Compact(1ED31xx)隔離柵極驅(qū)動器系列，容易使用，最近發(fā)布的柵極驅(qū)動器系列又增加了一個新的產(chǎn)品系列，DSO-8150mil窄體封裝（1ED314x），帶一個米勒鉗位選項(xiàng)。相關(guān)器件：1ED3140MU12F1ED3141MU12F1ED3142

  柵極 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:40

  SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)

  

  原文標(biāo)題：PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者：ThomasBasler原文發(fā)表在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:40

  新品 | 光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模塊

  

  新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊，采用M1H芯片，導(dǎo)通電阻8-17毫歐五個規(guī)格，PressFIT壓接針和NTC。產(chǎn)品型號：DF17MR12W1M1HDF16MR12W1M1HDF14MR12W1M1HDF11MR12W1M1HDF8MR12W1M1H產(chǎn)品特點(diǎn)Best-

  光伏 模塊

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-03-17 13:31

  1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

  

  產(chǎn)品型號：IKQ140N120CH7 電壓：1200V 電流：140A 封裝：TO-247-3, TO-247-4

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• 發(fā)布了文章 2023-03-15 22:10

  HV SJ MOSFET工作在第三象限時電流路徑探究

  

  熊康明英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部主任工程師1引言相信各位工程師在日常的電源設(shè)計(jì)中，當(dāng)面對ZVS的場景時，經(jīng)常會有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死區(qū)時，MOSFET寄生二極管續(xù)流，當(dāng)完成了對結(jié)電容的充放電之后，再打開MOSFET以降低器件的損耗。細(xì)心的工程師可能就會發(fā)現(xiàn)一個有趣的問題，我們這里拿IPW60R024CFD7舉例說明，假設(shè)死區(qū)時刻，流過二

  MOSFET 二極管 電流

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• 發(fā)布了文章 2023-03-15 22:10

  新品 | EVAL-IMI111T-026 iMOTION™帶有微控制器、柵極驅(qū)動器的2A 600V IPM評估板

  

  新品EVAL-IMI111T-026iMOTIONiMOTION集成了電機(jī)控制器、三相柵驅(qū)動器2A600VIPM評估板，目標(biāo)應(yīng)用為家用空調(diào)室內(nèi)風(fēng)機(jī)，吊扇和小電機(jī)驅(qū)動。產(chǎn)品型號：EVAL-IMI111T-026，2A600VIPM的評估板EVAL-IMI111T-026是一個用于iMOTIONIMI111T-026HIPM的啟動套件。IMI111T-026H器

  控制器 評估板 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2023-03-15 22:09

  如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)

  

  作者簡介作者：JanBaurichter翻譯：趙佳尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計(jì)上，就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中，芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加，進(jìn)而影響性能。但是，由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間，因此有可

  IGBT 芯片

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• 發(fā)布了文章 2023-03-15 22:09

  如何通過優(yōu)化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰(zhàn)

  

  在本文的第一部分——《如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)》，我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時，你不可避免地會降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對熱性能的影響，以及如何通過優(yōu)化芯片位置和模塊布局來減輕這種影響?，F(xiàn)在，讓我們來看看我們?nèi)绾文軌蚋纳齐姎庑阅?。同樣，我們將以采用TRENCHSTOPIGBT7技術(shù)

  模塊 電氣 芯片

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