動態(tài)
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發(fā)布了文章 2023-05-16 08:16
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SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
作者簡介作者:FriedrichsPeter翻譯:趙佳碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)都會非常關(guān)注導(dǎo)通電阻,將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而,工程師們必須在主要性能指標(biāo)(如電阻和開關(guān)損耗),與實(shí)際應(yīng)用需考慮的其他因素(如足夠的可靠性)之間找到適當(dāng)?shù)钠胶?。?yōu) -
發(fā)布了文章 2023-04-07 06:38
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發(fā)布了文章 2023-04-03 16:52
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