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企業(yè)號(hào)介紹

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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號(hào)致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺(tái),包括工程師應(yīng)用知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)分享,在線課程、研討會(huì)視頻集錦。

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2023-07-31 16:57

    新品 | 用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET

    新品用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強(qiáng)型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。產(chǎn)品型號(hào):FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低
  • 發(fā)布了文章 2023-07-06 10:07

    零碳故事丨新能源“東風(fēng)”下的第三代半導(dǎo)體

    來(lái)源:內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號(hào)21tech(News-21),作者:李強(qiáng)。于代輝英飛凌科技高級(jí)副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人減碳趨勢(shì)下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場(chǎng)搭好了舞臺(tái)。過(guò)去一段時(shí)間,盡管全球消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)低迷,存儲(chǔ)芯片等各類(lèi)半導(dǎo)體零部件的需求明顯減少,但廣泛用于光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)卻異常熱鬧。特別是在能源轉(zhuǎn)型的巨大需求
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  • 發(fā)布了文章 2023-07-01 10:10

    晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算

    功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器,UPS旁路等場(chǎng)合。本文通過(guò)公式計(jì)算和在線IPOSIM仿真兩種方式,對(duì)晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算和結(jié)溫預(yù)估進(jìn)行說(shuō)明,給廣大工程師在晶閘管選型時(shí)提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應(yīng)用中的損耗計(jì)算,請(qǐng)參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計(jì)算》。晶閘管是半控型電力電子器件,可通過(guò)門(mén)極在晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),控制晶閘管
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  • 發(fā)布了文章 2023-06-30 10:08

    搶占席位|2023英飛凌寬禁帶應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇

    主辦單位:英飛凌科技(中國(guó))有限公司協(xié)辦單位:慕尼黑展覽(上海)有限公司合作媒體:世紀(jì)電源網(wǎng)、電源網(wǎng):7月11日:上海國(guó)家會(huì)展中心伴隨科技高速發(fā)展,隨之帶來(lái)的氣候和能源挑戰(zhàn)愈演愈烈。以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶功率半導(dǎo)體在光伏風(fēng)能發(fā)電、儲(chǔ)能、大數(shù)據(jù)、5G通信、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域或?qū)⒂瓉?lái)前所未有的黃金發(fā)展期。如何促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體在集成電路領(lǐng)域的融合創(chuàng)新?如何提
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  • 發(fā)布了文章 2023-06-22 10:14

    英飛凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模塊助力推動(dòng)節(jié)能電氣化列車(chē)低碳化

    為了實(shí)現(xiàn)全球氣候目標(biāo),交通運(yùn)輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車(chē)輛,比如節(jié)能的電氣化列車(chē)。然而,列車(chē)運(yùn)行有苛刻的運(yùn)行條件,需要頻繁加速和制動(dòng),且要在相當(dāng)長(zhǎng)的使用壽命內(nèi)可靠運(yùn)行。因此,它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應(yīng)用。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)為了滿足上述需求,在其CoolSiC功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款
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  • 發(fā)布了文章 2023-06-08 08:16

    采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    /引言/近年來(lái),為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用,需要更多節(jié)能產(chǎn)品,因此,關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiCMOSFET1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過(guò)改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。文:英飛凌科技高級(jí)應(yīng)用工程師JorgeCerezo逆變焊機(jī)通常是通過(guò)IGBT功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)
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  • 發(fā)布了文章 2023-05-27 08:16

    提升新能源車(chē)電驅(qū)方案中單管封裝的散熱性能

    經(jīng)典單管TO直插封裝有兩類(lèi)TO-220和TO-247,其使逆變器系統(tǒng)并聯(lián)擴(kuò)容靈活,器件成本優(yōu)勢(shì)明顯,且標(biāo)準(zhǔn)封裝容易找替代品,廣泛應(yīng)用于中小功率范圍。在單管電驅(qū)應(yīng)用方案中可以覆蓋30kW到180kW功率范圍,最多需要6-8個(gè)單管的并聯(lián)來(lái)實(shí)現(xiàn)方案。用于最新汽車(chē)級(jí)EDT2芯片的器件參數(shù)Vcesat/Vth分布比較集中,器件之間電氣參數(shù)差異小,并聯(lián)降額比例小,可以有
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  • 發(fā)布了文章 2023-05-26 08:17

    1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用

    /引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)(650V&1200V)和三個(gè)系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EVcharger、焊機(jī)等應(yīng)用進(jìn)行了專(zhuān)門(mén)的優(yōu)化,并配備了全電流EC7rapid二極管。憑借極低的開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和豐富的產(chǎn)品系列,H7單管正在成為光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用的新星。“產(chǎn)品特點(diǎn)按照應(yīng)用需求去定義產(chǎn)
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  • 發(fā)布了文章 2023-05-19 08:16

    凌云院IPAC | 2023年度英飛凌碳化硅直播季,重磅來(lái)襲!

    如果要說(shuō)當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)最熱的話題是什么,無(wú)疑是第三代半導(dǎo)體,而這其中SiC毋庸置疑是最引人注目的當(dāng)紅“炸子雞”。英飛凌自1992開(kāi)始著手于碳化硅的研究,在長(zhǎng)達(dá)30年的時(shí)間里,英飛凌不斷地進(jìn)行技術(shù)打磨和沉淀,幫助新材料在新應(yīng)用中快速成長(zhǎng)。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年,未來(lái)CoolSiC碳化硅器件除了光伏和儲(chǔ)能、充電設(shè)施以及各類(lèi)電源應(yīng)用以外,還會(huì)
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  • 發(fā)布了文章 2023-05-18 08:16

    英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

    近兩年新能源汽車(chē)和光伏儲(chǔ)能市場(chǎng)的火熱,讓半導(dǎo)體供應(yīng)上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應(yīng)更加緊俏。最近幾年用戶對(duì)SiC的使用更有經(jīng)驗(yàn),逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn),正在SiC使用量增大的階段,卻面臨了整個(gè)市場(chǎng)的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素,目前前道是最大的瓶頸,特別是前道的“最前端”,SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴(yán)重的
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認(rèn)證信息: 英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

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