動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-06-30 10:08

  搶占席位｜2023英飛凌寬禁帶應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇

  

  主辦單位：英飛凌科技（中國）有限公司協(xié)辦單位：慕尼黑展覽（上海）有限公司合作媒體：世紀(jì)電源網(wǎng)、電源網(wǎng)：7月11日：上海國家會展中心伴隨科技高速發(fā)展，隨之帶來的氣候和能源挑戰(zhàn)愈演愈烈。以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶功率半導(dǎo)體在光伏風(fēng)能發(fā)電、儲能、大數(shù)據(jù)、5G通信、新能源汽車等領(lǐng)域或?qū)⒂瓉砬八从械狞S金發(fā)展期。如何促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體在集成電路領(lǐng)域的融合創(chuàng)新？如何提

  寬禁帶 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-06-22 10:14

  英飛凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模塊助力推動節(jié)能電氣化列車低碳化

  

  為了實(shí)現(xiàn)全球氣候目標(biāo)，交通運(yùn)輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運(yùn)行有苛刻的運(yùn)行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當(dāng)長的使用壽命內(nèi)可靠運(yùn)行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應(yīng)用。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其CoolSiC功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款

  電氣 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-06-08 08:16

  采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

  

  /引言/近年來，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiCMOSFET1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。文：英飛凌科技高級應(yīng)用工程師JorgeCerezo逆變焊機(jī)通常是通過IGBT功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來實(shí)

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2023-05-27 08:16

  提升新能源車電驅(qū)方案中單管封裝的散熱性能

  

  經(jīng)典單管TO直插封裝有兩類TO-220和TO-247，其使逆變器系統(tǒng)并聯(lián)擴(kuò)容靈活，器件成本優(yōu)勢明顯，且標(biāo)準(zhǔn)封裝容易找替代品，廣泛應(yīng)用于中小功率范圍。在單管電驅(qū)應(yīng)用方案中可以覆蓋30kW到180kW功率范圍，最多需要6-8個單管的并聯(lián)來實(shí)現(xiàn)方案。用于最新汽車級EDT2芯片的器件參數(shù)Vcesat/Vth分布比較集中，器件之間電氣參數(shù)差異小，并聯(lián)降額比例小，可以有

  封裝 新能源

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• 發(fā)布了文章 2023-05-26 08:17

  1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用

  

  /引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EVcharger、焊機(jī)等應(yīng)用進(jìn)行了專門的優(yōu)化，并配備了全電流EC7rapid二極管。憑借極低的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和豐富的產(chǎn)品系列，H7單管正在成為光伏和儲能應(yīng)用的新星?！爱a(chǎn)品特點(diǎn)按照應(yīng)用需求去定義產(chǎn)

  IGBT 電壓

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• 發(fā)布了文章 2023-05-19 08:16

  凌云院IPAC | 2023年度英飛凌碳化硅直播季，重磅來襲！

  

  如果要說當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)最熱的話題是什么，無疑是第三代半導(dǎo)體，而這其中SiC毋庸置疑是最引人注目的當(dāng)紅“炸子雞”。英飛凌自1992開始著手于碳化硅的研究，在長達(dá)30年的時(shí)間里，英飛凌不斷地進(jìn)行技術(shù)打磨和沉淀，幫助新材料在新應(yīng)用中快速成長。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年，未來CoolSiC碳化硅器件除了光伏和儲能、充電設(shè)施以及各類電源應(yīng)用以外，還會

  半導(dǎo)體 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-05-18 08:16

  英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

  

  近兩年新能源汽車和光伏儲能市場的火熱，讓半導(dǎo)體供應(yīng)上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應(yīng)更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經(jīng)驗(yàn)，逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn)，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個市場的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端”，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴(yán)重的

  硅晶 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-05-17 08:16

  新品 | 帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅(qū)動器2ED132xS12x系列

  

  新品帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅(qū)動器2ED132xS12x系列帶有集成自舉二極管和過流保護(hù)OCP的1200VSOI半橋柵極驅(qū)動器2ED132xS12x系列產(chǎn)品型號：2ED1321S12M2ED1322S12M2ED1323S12P2ED1324S12PEiceDRIVERSOI系列誕生了首批1200VSOI半橋產(chǎn)品，用于高功率應(yīng)用，如商用

  二極管 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2023-05-17 08:16

  新品 | 120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用TO-247PLUS SMD封裝

  

  新品120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產(chǎn)品型號：IKQB120N75CP2IKQB160N75CP2IKQB200N75CP2采用750VEDT2IGBT技術(shù)，具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達(dá)到450Vdc。高可

  IGBT 封裝

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• 發(fā)布了文章 2023-05-16 08:16

  新品 | 采用iMOTION™ IPM IMI111T-026H高效風(fēng)機(jī)控制參考板

  

  新品采用iMOTIONIPMIMI111T-026H高效風(fēng)機(jī)控制參考板iMOTIONIPM---一個緊湊的DSO封裝中實(shí)現(xiàn)完整的三相逆變器，包括電機(jī)控制器、三相柵極驅(qū)動器和基于IGBT的功率級，用于50W以下的電機(jī)驅(qū)動。產(chǎn)品型號：REF-MHA50WIMI111T評估板相關(guān)產(chǎn)品：IMI111T-iMOTION帶有微控制器、門驅(qū)動器和IGBT的IPM智能功率模

  控制 逆變器

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