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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號(hào)致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺(tái),包括工程師應(yīng)用知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)分享,在線課程、研討會(huì)視頻集錦。

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2023-01-11 15:09

    SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎?

    眾所周知,“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙嚒T诠杌a(chǎn)品時(shí)代,英飛凌的溝槽型IGBT(例如TRENCHSTOP系列)和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時(shí)代,市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞,而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”,就不會(huì)干別的了嗎?非也。因?yàn)镾iC材料獨(dú)有的特性,Si
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  • 發(fā)布了文章 2023-01-11 15:09

    探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性

    探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
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  • 發(fā)布了文章 2023-01-11 15:09

    新品 | 采用IPM IM323 1500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)的評估板

    新品采用IPMIM3231500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)的評估板評估板EVAL-M1-IM323是用于IM323系列CIPOSIPM的評估,它的目標(biāo)應(yīng)用為三相電機(jī)驅(qū)動(dòng),大家電,如空調(diào)、泵、風(fēng)扇和其他變頻驅(qū)動(dòng)器。產(chǎn)品型號(hào):EVAL-M1-IM323產(chǎn)品特點(diǎn)輸入電壓165Vac至265Vac165Vac時(shí)最大12A的輸入電流220V
  • 發(fā)布了文章 2023-01-11 15:08

    通過柵極驅(qū)動(dòng)器提高開關(guān)電源功率密度

    作者:HubertBaierl,英飛凌科技市場總監(jiān)校對:柯春山英飛凌科技高級主任工程師像許多電子領(lǐng)域一樣,進(jìn)步持續(xù)發(fā)生。目前,在3.3kW開關(guān)電源(SMPS)中,產(chǎn)品效率高達(dá)98%,1U結(jié)構(gòu)尺寸,其功率密度可達(dá)100W/in3。這之所以可以實(shí)現(xiàn)是因?yàn)槲覀冊趫D騰柱PFC級中明智地選擇了超結(jié)(SJ)功率MOSFET(例如CoolMOS),碳化硅(SiC)MOSF
  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-01-04 10:01

    新品 | 采用IPM IM323 1500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)的評估板

    產(chǎn)品型號(hào):EVAL-M1-IM323
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  • 發(fā)布了文章 2023-01-04 09:45

    探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性

    SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同,這是因?yàn)镾iC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說,輸出電容的影響較大,而PN二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨(dú)有特性以及影響體二極管關(guān)斷特性的多個(gè)影響因素,并且闡明了快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET的反向恢復(fù)損耗概
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  • 發(fā)布了文章 2022-05-27 01:47

    魚與熊掌皆可得?當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC

    引言事物皆有兩面:SiCMOSFET以更快的開關(guān)速度,相比IGBT可明顯降低器件開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率和功率密度;但是高速的開關(guān)切換,也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt,對一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計(jì)都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應(yīng)用痛點(diǎn)氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機(jī)控制器功率35kW上下,轉(zhuǎn)速高達(dá)10萬轉(zhuǎn)以上,輸出頻率可達(dá)2000Hz,調(diào)制頻率50kHz以上是
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  • 發(fā)布了文章 2022-05-26 02:14

    IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀

    什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān),從門級信號(hào)到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),時(shí)常會(huì)無奈發(fā)生,占空比越小越容易輸出窄脈沖,且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)流時(shí)反向恢復(fù)特性也會(huì)變快。以1700V/1000A
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  • 發(fā)布了文章 2022-05-24 05:30

    Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)溫

    ///在IGBT應(yīng)用中,結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個(gè)參數(shù),大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個(gè)概念,但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢?我想先請大家考慮一個(gè)問題:IGBT結(jié)溫到底是指具體哪兒的溫度?。。。你們是不是已經(jīng)開始上百度搜索答案了?我在百度百科以及維基百科搜索出結(jié)溫的解釋大概是這樣的:晶體管結(jié)溫,簡稱結(jié)溫,是指半導(dǎo)體芯片內(nèi)的最高工作溫度,通常芯片的結(jié)溫會(huì)比芯片的外殼高。。。原
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  • 發(fā)布了文章 2022-05-24 05:26

    新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT

    新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關(guān)器件:P2000DL45X1682000A4500V帶續(xù)流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續(xù)流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴(kuò)展了其高
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