動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-28 17:06

  新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù)，在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱、有源中性點鉗位（ANPC）、維也納整流器和飛跨電容（FCC）等硬開關(guān)拓?fù)渲斜憩F(xiàn)卓越。更值得注意的是，第二代產(chǎn)品顯著降低了輸出電容（Coss），使其在循環(huán)變流器、

  MOSFET SiC 功率器件

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• 發(fā)布了文章 2025-07-26 09:14

  電解電容真的不可靠嗎？

  

  電容的高故障率是電力電子系統(tǒng)可靠性問題的一大來源，其中電解電容短壽命的特點尤為突出。然而，追求可靠性的本質(zhì)是追求產(chǎn)品全壽命周期成本的最優(yōu)，從這一角度出發(fā)，可靠性不高的電解電容也許在某些應(yīng)用中更加“可靠”。不同類型的電容特性差距甚遠，如何根據(jù)需求取舍、權(quán)衡其中的利弊關(guān)系，體現(xiàn)了工程學(xué)科的精

  電子系統(tǒng) 電解電容

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• 發(fā)布了文章 2025-07-23 17:03

  新品 | 面向低功率儲能應(yīng)用的Easy模塊產(chǎn)品擴展

  

  新品面向低功率儲能系統(tǒng)應(yīng)用的產(chǎn)品擴展●采用最新1200VTRENCHSTOPIGBT7和EC7快速二極管技術(shù)的三電平NPC1拓?fù)涞腅asyPACK3B模塊；●采用1200VCoolSiCMOSFET和L7EC7技術(shù)的有源中性點鉗位（ANPC）拓?fù)涞腅asyPACK3B模塊；●采用2000VCoolSiCMOSFET的EasyPACK3B半橋模塊；所有模塊均配

  easy 儲能系統(tǒng)

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• 發(fā)布了文章 2025-07-21 17:26

  新品 | 面向光伏應(yīng)用的Easy模塊產(chǎn)品擴展

  

  新品面向光伏應(yīng)用的Easy模塊產(chǎn)品擴展采用增強型第一代CoolSiCMOSFET的EasyPACK1B半橋升壓拓?fù)?，集成NTC溫度傳感器并配備PressFIT針腳，為太陽能逆變器系統(tǒng)設(shè)計提供理想的一體化解決方案。產(chǎn)品型號：■DF17MR12W1M1HF_B86產(chǎn)品特點Easy系列模塊高度12mm配備增強型第一代溝槽技術(shù)的12kVCoolSiCMOSFET極低

  傳感器 光伏

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• 發(fā)布了文章 2025-07-19 08:34

  AI的盡頭是能源？(2)

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上?？萍即髮W(xué)的諸葛英健投稿。2AI還是個耗水狂魔根據(jù)蘭道爾原理，處理信息是有能量成本的。但這一部分只是AI耗電中的一小部分，更多的能量消耗來自焦耳定律。當(dāng)芯片在進行信息處理時，其中的晶體管會在開關(guān)狀態(tài)中進行切換，而這就產(chǎn)生了電流。又由于電路中電阻的存在，這些能量不可避免地轉(zhuǎn)化成熱能。目前臺積電等芯片巨頭已經(jīng)在積

  AI 能源

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• 發(fā)布了文章 2025-07-15 17:08

  新品 | 面向電動汽車充電應(yīng)用的Easy模塊產(chǎn)品擴展

  

  新品面向電動汽車充電應(yīng)用的Easy模塊產(chǎn)品擴展EasyPACK3B系列2000V/6mΩ、2000V/10mΩ和1200V/11mΩ四單元模塊，采用增強型第一代CoolSiCMOSFET技術(shù)，集成NTC溫度傳感器并配備PressFIT針腳。產(chǎn)品型號：■F4-6MR20W3M1H_B11■F4-10MR20W3M1H_B11■F4-11MR12W3M1H_B1

  easy 充電 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2025-07-14 18:18

  SiC MOSFET在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢

  

  由于第四橋臂的引入，對比三相三橋臂變換器，負(fù)載相電壓的電平數(shù)從五個(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三個(±Udc,0)，因此自然的，相同電路參數(shù)下，輸出電流的諧波畸變度將會更大，下圖所示為相同開關(guān)頻率，相同濾波器參數(shù)以及輸出相同電流有效值情況下，兩種拓?fù)涞呢?fù)載電壓電流波形與電流THD對比，三相四橋臂變換器輸出電流諧波含量明顯更高。（參考鏈接：三相

  SiC MOSFET 變換器 電流

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• 發(fā)布了文章 2025-07-12 08:32

  AI的盡頭是能源？(1)

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上?？萍即髮W(xué)的諸葛英健投稿。據(jù)《華爾街日報》7月1日報道，亞馬遜云服務(wù)正與美國最大的核電廠運營商ConstellationEnergy接近達成一項直接供電協(xié)議。而早在今年3月，亞馬遜以6.5億美元收購了位于賓夕法尼亞州的TalenEnergy旗下的Cumulus數(shù)據(jù)中心園區(qū)

  AI 供電 能源

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• 發(fā)布了文章 2025-07-11 17:08

  IGBT的電流是如何定義的

  

  IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A1200VIGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了，但對于一位設(shè)計工程師是遠遠不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解和流言。流言一：450AIGBT模塊最大輸出電流能力是450A，系統(tǒng)設(shè)計中需要留足夠的余量450A是FS450R12KE4的標(biāo)稱電流。那么什么是標(biāo)稱電流？為了搞清楚這一

  IGBT 電流 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-07-08 17:08

  新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ產(chǎn)品

  

  新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產(chǎn)品線現(xiàn)擴充ThinTOLL8x8封裝的26mΩ和33mΩ型號，將導(dǎo)通電阻(RDS(on))的覆蓋范圍擴展至20mΩ到60mΩ，提供更精細(xì)的選型梯度。ThinTOLL封裝是標(biāo)準(zhǔn)8x8尺寸下發(fā)揮CoolS

  MOSFET SiC

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