動態(tài)
-
發(fā)布了文章 2025-05-08 17:05
-
發(fā)布了文章 2025-05-07 17:03
-
發(fā)布了文章 2025-05-06 17:04
-
發(fā)布了文章 2025-04-30 18:21
-
發(fā)布了文章 2025-04-30 18:21
碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價(jià)的真相
在碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對SiC的性能評價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相(誤區(qū)一見:碳化硅何以英飛凌?——溝槽柵技術(shù)可靠性真相),并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2:“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp,電阻215瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-26 08:33
-
發(fā)布了文章 2025-04-25 17:05
-
發(fā)布了文章 2025-04-23 17:05
碳化硅何以英飛凌?—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相
全社會都在積極推動低碳化轉(zhuǎn)型,而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu)中,相比于從前,一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費(fèi)的,但是這種多層級的能源轉(zhuǎn)換,每一步都會帶來一定的能耗損失,因此追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要。SiC正是功率半導(dǎo)體的能效提升技術(shù),它的出現(xiàn)滿足了低碳化時(shí)代兩大全新的市場需求:1能效創(chuàng)新:SiC技術(shù)在光伏、儲451瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-19 08:34
-
發(fā)布了文章 2025-04-17 17:05