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• 發(fā)布了文章 2025-06-17 17:58

  2025 OktoberTech™精彩回顧一： CoolSiC™碳化硅新品發(fā)布， 性能指標領(lǐng)跑全行業(yè)

  

  近日，英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會在上海順利落下帷幕。本次活動中，英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產(chǎn)品，憑借卓越的性能指標和創(chuàng)新封裝設(shè)計，繼續(xù)全面領(lǐng)跑半導體行業(yè)，為電力電子系統(tǒng)的高效、可靠運行提供了強有力的支

  SiC 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-16 17:34

  CoolSiC™ MOSFET G2導通特性解析

  

  上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特性（參考文章：CoolSiCMOSFETG2性能綜述）。那么在實際應用中，G2如何進行正確的選型呢？接下來兩篇文章會和大家仔細探討這個問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導通特性上。在MOSFET設(shè)計選型過程中，工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-14 10:00

  探索吉他音色與效果器的奇妙世界（3）- 時延和哇音效果器

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上海科技大學李晨曦的投稿。時延類效果器如果失真類效果器是拿信號的幅值開刀，那么時延類效果器則是在信號的時域特性上做文章。根據(jù)原理的不同，可以將時延類效果器大致分為兩類，混響、延遲。1混響(Reverb)混響效果器旨在模擬大型音樂廳中的混響效果，混響效果器能夠為音頻信號增添情感和氛圍，使得聲音聽起來更加宏大、夢幻

  效果器 時延 電吉他

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• 發(fā)布了文章 2025-06-12 17:33

  新品 | 用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的雙脈沖測試評估板

  

  新品用于CoolSiCMOSFETFF6MR20W2M1H_B70的雙脈沖測試評估板評估板是用于評估采用1ED3890MC12M柵極驅(qū)動器的FF6MR20W2M1H_B70CoolSiCSiCMOSFET模塊。用戶可以通過雙脈沖測試來評估器件性能。目標應用為電動汽車充電，ESSPFC，直流-直流變換器和太陽能等。這是一個用于測試半橋配置的2kVCoolSiC

  MOSFET 測試 評估板

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• 發(fā)布了文章 2025-06-10 17:06

  新品 | 英飛凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模塊

  

  新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊，增強型1代M1H芯片、集成NTC溫度傳感器和PressFIT引腳，還可提供預涂導熱材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪結(jié)構(gòu)，用于直接液體冷卻(FF1MR12

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-09 17:45

  CoolSiC™ MOSFET Gen2性能綜述

  

  英飛凌新發(fā)布了CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進一步提升了MOSFET的主要性能指標，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性價比提高了15%，是各種

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-07 08:34

  探索吉他音色與效果器的奇妙世界（2）- 失真類效果器

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上?？萍即髮W李晨曦的投稿。為了得到失真音色，人們往往需要把音箱的音量開到很大，這樣做不僅擾民，而且得到的聲音也很不穩(wěn)定，那么有沒有一種方法能夠在較小的音量下得到失真音色呢？隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，失真類效果器應運而生。在介紹失真類效果器之前，需要先簡單介紹一下二極管削波電路。二極管削波電路通常由一個或多個二極管、

  效果器 電吉他

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• 發(fā)布了文章 2025-06-05 19:45

  倒計時7天 | OktoberTech™ 2025 高峰論壇嘉賓及議程揭曉

  

  當大規(guī)模AI訓練的能耗在全社會用電量中占比持續(xù)攀升；當全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化、智能化轉(zhuǎn)型；當?shù)谌雽w的應用有效減少了風力發(fā)電傳輸中的能量損耗、提高供電效率……在這場席卷全球的變革浪潮中，科技無疑是助力我們跨越挑戰(zhàn)與把握機遇的關(guān)鍵力量。而我們所憧憬的未來，也將依托于各領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案，如綠色高效的能源、智能安全的物聯(lián)網(wǎng)以及環(huán)保安全的交通出行等，它們將共

  AI 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-04 18:33

  論壇日程發(fā)布丨OktoberTech™英飛凌生態(tài)創(chuàng)新峰會現(xiàn)場高能搶先看

  

  OktoberTech是由英飛凌主辦的年度全球技術(shù)峰會，旨在展示前瞻性的技術(shù)如何推動低碳化和數(shù)字化的發(fā)展。每一年的OktoberTech，都是我們與產(chǎn)業(yè)、客戶、合作伙伴相聚一堂、共話未來的珍貴時刻。在為期一天的活動期間，英飛凌與眾多相關(guān)領(lǐng)域的意見領(lǐng)袖與技術(shù)專家將匯聚一趟，共同探討行業(yè)趨勢、創(chuàng)新合作及不同領(lǐng)域最新的產(chǎn)品及解決方案等議題。2025年恰逢英飛凌在華

  低碳 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-03 17:34

  新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模塊

  

  新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊采用CoolSiCSiCMOSFET增強型1代M1H芯片，集成NTC溫度傳感器，PressFIT觸點技術(shù)和氮化鋁陶瓷DCB。目標應用直流-直流變換器，電動汽車充電，光伏和儲能系統(tǒng)等。產(chǎn)品型號：■FF6MR20

  MOSFET SiC

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