動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-06-10 17:06

  新品 | 英飛凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模塊

  

  新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊，增強(qiáng)型1代M1H芯片、集成NTC溫度傳感器和PressFIT引腳，還可提供預(yù)涂導(dǎo)熱材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪結(jié)構(gòu)，用于直接液體冷卻(FF1MR12

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-09 17:45

  CoolSiC™ MOSFET Gen2性能綜述

  

  英飛凌新發(fā)布了CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進(jìn)一步提升了MOSFET的主要性能指標(biāo)，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性價(jià)比提高了15%，是各種

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-07 08:34

  探索吉他音色與效果器的奇妙世界（2）- 失真類效果器

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上?？萍即髮W(xué)李晨曦的投稿。為了得到失真音色，人們往往需要把音箱的音量開到很大，這樣做不僅擾民，而且得到的聲音也很不穩(wěn)定，那么有沒有一種方法能夠在較小的音量下得到失真音色呢？隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，失真類效果器應(yīng)運(yùn)而生。在介紹失真類效果器之前，需要先簡單介紹一下二極管削波電路。二極管削波電路通常由一個(gè)或多個(gè)二極管、

  效果器 電吉他

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• 發(fā)布了文章 2025-06-05 19:45

  倒計(jì)時(shí)7天 | OktoberTech™ 2025 高峰論壇嘉賓及議程揭曉

  

  當(dāng)大規(guī)模AI訓(xùn)練的能耗在全社會用電量中占比持續(xù)攀升；當(dāng)全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化、智能化轉(zhuǎn)型；當(dāng)?shù)谌雽?dǎo)體的應(yīng)用有效減少了風(fēng)力發(fā)電傳輸中的能量損耗、提高供電效率……在這場席卷全球的變革浪潮中，科技無疑是助力我們跨越挑戰(zhàn)與把握機(jī)遇的關(guān)鍵力量。而我們所憧憬的未來，也將依托于各領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案，如綠色高效的能源、智能安全的物聯(lián)網(wǎng)以及環(huán)保安全的交通出行等，它們將共

  AI 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-04 18:33

  論壇日程發(fā)布丨OktoberTech™英飛凌生態(tài)創(chuàng)新峰會現(xiàn)場高能搶先看

  

  OktoberTech是由英飛凌主辦的年度全球技術(shù)峰會，旨在展示前瞻性的技術(shù)如何推動低碳化和數(shù)字化的發(fā)展。每一年的OktoberTech，都是我們與產(chǎn)業(yè)、客戶、合作伙伴相聚一堂、共話未來的珍貴時(shí)刻。在為期一天的活動期間，英飛凌與眾多相關(guān)領(lǐng)域的意見領(lǐng)袖與技術(shù)專家將匯聚一趟，共同探討行業(yè)趨勢、創(chuàng)新合作及不同領(lǐng)域最新的產(chǎn)品及解決方案等議題。2025年恰逢英飛凌在華

  低碳 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-03 17:34

  新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模塊

  

  新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊采用CoolSiCSiCMOSFET增強(qiáng)型1代M1H芯片，集成NTC溫度傳感器，PressFIT觸點(diǎn)技術(shù)和氮化鋁陶瓷DCB。目標(biāo)應(yīng)用直流-直流變換器，電動汽車充電，光伏和儲能系統(tǒng)等。產(chǎn)品型號：■FF6MR20

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-05-31 08:37

  探索吉他音色與效果器的奇妙世界（1）- 缺陷創(chuàng)造的美

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上?？萍即髮W(xué)李晨曦的投稿。如果你是一位音樂愛好者，當(dāng)你戴上耳機(jī)，聆聽著美妙的音樂時(shí)，吉他那多變的音色一定能夠吸引你的注意。它時(shí)而清脆明亮，仿佛陽光燦爛；時(shí)而沉穩(wěn)厚重，帶著歲月的厚重感；時(shí)而又尖銳狂放，如同沖破束縛的熱情。而這些獨(dú)特的音色，如今大多數(shù)都是由數(shù)字芯片經(jīng)特定算法采樣處理所生成的。為什么音樂人們要用數(shù)字

  效果器 數(shù)字芯片 電吉他

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• 發(fā)布了文章 2025-05-29 17:04

  新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

  

  新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動、電動汽車充電、太陽能，SSCB，人工智能，不間斷電源和CAV等。頂部散熱Q-DPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-05-27 17:03

  新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

  

  新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動、電動汽車充電、太陽能和不間斷電源等。頂部散熱QDPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱器件可實(shí)現(xiàn)更

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-05-26 18:07

  柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用

  

  碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個(gè)難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計(jì)。比導(dǎo)通電阻是衡量SiCMOSFET技術(shù)先進(jìn)性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標(biāo)準(zhǔn)，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器

  MOSFET SiC 半導(dǎo)體

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