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第二代CoolSiC MOSFET G2 750V -

工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件

第二代750V CoolSiC MOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù)，在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱、有源中性點鉗位（ANPC）、維也納整流器和飛跨電容（FCC）等硬開關(guān)拓?fù)渲斜憩F(xiàn)卓越。更值得注意的是，第二代產(chǎn)品顯著降低了輸出電容（Coss），使其在循環(huán)變流器、CLLC、雙有源橋（DAB）和LLC等軟開關(guān)拓?fù)渲心軐崿F(xiàn)更高頻率的開關(guān)操作。

第二代CoolSiC MOSFET 750V完美適用于對可靠性、功率密度和效率有嚴(yán)格要求的應(yīng)用，包括：車載充電機、DC-DC變換器、DC-AC逆變器，以及人工智能服務(wù)器、光伏逆變器和電動汽車充電設(shè)備。其采用的Q-DPAK封裝既能充分發(fā)揮碳化硅固有的高速開關(guān)特性，同時確保約20W的功率耗散能力。

產(chǎn)品型號：

■AIMDQ75R016M2H

■AIMDQ75R025M2H

■AIMDQ75R060M2H

■IMDQ75R004M2H

■IMDQ75R007M2H

■IMDQ75R016M2H

■IMDQ75R025M2H

■IMDQ75R060M2H

產(chǎn)品特點

100%雪崩測試驗證

業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)× Qfr

優(yōu)異的RDS(on)× Qoss和RDS(on)× QG表現(xiàn)

低Crss/Ciss和高VGS(th)

采用.XT擴散焊

配備驅(qū)動源極引腳

應(yīng)用價值

魯棒性和可靠性提升

硬開關(guān)效率卓越

開關(guān)頻率更高

抗寄生導(dǎo)通能力出色

行業(yè)領(lǐng)先的散熱性能

開關(guān)損耗顯著降低

競爭優(yōu)勢

通過100%雪崩測試，專為汽車與工業(yè)應(yīng)用設(shè)計

擴展負(fù)柵極驅(qū)動電壓范圍（-7V至-11V）

增強型熱性能(高達200℃)

FOM較上一代產(chǎn)品提升20-35%

高VGS(th)+ low Crss/Ciss=0V零伏可靠關(guān)斷

增強型熱性能(高達200℃)

應(yīng)用領(lǐng)域

工業(yè)應(yīng)用場景：

■固態(tài)繼電器與隔離器

■固態(tài)斷路器

■電動汽車充電

■光伏

■不間斷電源系統(tǒng)UPS

■儲能系統(tǒng)ESS

■電池化成

■電信基礎(chǔ)設(shè)施AC-DC電源轉(zhuǎn)換

■服務(wù)器電源單元PSU

汽車電子應(yīng)用：

■高低壓DC-DC變換器

■車載充電OBC

■斷路器

高壓電池開關(guān)

交直流低頻開關(guān)

高壓電子熔斷器