動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-08-19 11:31

  提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊

  

  近年來，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計師的真正替代方案。到目前為止，大多數(shù)SiCMOSFET的設(shè)計成功主要發(fā)生在低功率到20kW范圍內(nèi)的電力轉(zhuǎn)換器中，這些通常是全新設(shè)計，這一趨勢主要是由于提高光伏逆變器和其他工業(yè)電源應(yīng)用的效率的需求。圖1設(shè)計師們現(xiàn)在正在使用市面上可用的高功率全SiC電力模塊和驅(qū)動器

  IGBT IGBT模塊 SiC 電力轉(zhuǎn)換器

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• 發(fā)布了文章 2024-08-16 11:18

  SemiQ將S7封裝添加至其QSiC™高性能功率模塊系列

  

  SemiQ公司在其QSiC?系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝，該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設(shè)計靈活性，能夠?yàn)樾略O(shè)計提供緊湊、高效和高性能的選擇。同時，它們也便于無縫替換那些需要提升效率的舊系統(tǒng)。此次公告包括四個新電子模塊的發(fā)布：一個529AMOSFET模塊(GCMX003A120S7B1

  SemiQ SiC 功率模塊

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• 發(fā)布了文章 2024-08-16 11:13

  反向?qū)щ奍GBT的控制方法

  

  當(dāng)IGBT和二極管的功能結(jié)合在單個硅片上時，就產(chǎn)生了反向?qū)щ奍GBT(RC-IGBT)。這使得標(biāo)準(zhǔn)的IGBT/二極管模塊可以在單個硅芯片上構(gòu)建，從而增強(qiáng)了電流承載能力，而無需增加模塊的占地面積。此外，根據(jù)器件技術(shù)的不同，二極管的電氣性能可以受到IGBT柵極控制狀態(tài)的影響。然而，為了管理復(fù)合RC-IGBT中的損耗，需要考慮特殊的控制方法。器件介紹反向?qū)щ奍GB

  IGBT 二極管 電氣性能

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• 發(fā)布了文章 2024-08-15 10:39

  GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮，預(yù)估2030年市場規(guī)模將突破43億美元

  

  隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加，氮化鎵(GaN)技術(shù)正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點(diǎn)。近期，英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對GaN技術(shù)的投入不斷加大，標(biāo)志著功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展即將迎來新一輪的快速增長。根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的《2024全球GaNPowerDevice市場分析報告》，2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約為2.71億美元，

  GaN 功率元件 功率電子 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2024-08-15 10:38

  利用人工智能改變 PCB 設(shè)計

  

  人工智能在PCB設(shè)計中展現(xiàn)出不可否認(rèn)的潛力，但是工程師們自然對其影響有所顧慮。關(guān)于工作保障和責(zé)任的等問題常常浮現(xiàn)：人工智能會奪走我的工作嗎?如果人工智能出錯，我會被指責(zé)嗎?然而，人工智能助手不僅不是威脅，反而可以成為可靠的合作伙伴，它能夠解釋自己的決策并提供有價值的見解。它的選擇理由能力促進(jìn)了一個協(xié)作的環(huán)境，使經(jīng)驗(yàn)較少的工程師能夠在不感到威脅的情況下學(xué)習(xí)和成

  PCB設(shè)計 人工智能 數(shù)據(jù)

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• 發(fā)布了文章 2024-08-14 10:59

  光伏產(chǎn)業(yè)鏈2024年上半年強(qiáng)勁增長，引領(lǐng)全球綠色能源轉(zhuǎn)型

  

  隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮某掷m(xù)攀升，中國光伏產(chǎn)業(yè)在2024年上半年展現(xiàn)出了前所未有的強(qiáng)勁增長態(tài)勢，各環(huán)節(jié)數(shù)據(jù)均創(chuàng)歷史新高，不僅鞏固了中國在全球光伏領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也為全球綠色能源轉(zhuǎn)型注入了強(qiáng)大動力。據(jù)最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)原材料，在2024年上半年實(shí)現(xiàn)了驚人的產(chǎn)量飛躍，全國總產(chǎn)量達(dá)到了106萬噸，較去年同期大幅增長74.9%。這一成績的

  光伏 光伏產(chǎn)業(yè) 多晶硅 終端

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• 發(fā)布了文章 2024-08-14 10:58

  寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體封裝與測試解決方案

  

  隨著科技的不斷進(jìn)步，電子設(shè)備對性能和效率的要求日益提高，為了滿足這些需求，寬禁帶(WideBandgap,WBG)半導(dǎo)體材料如氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)逐漸成為研究和應(yīng)用的重點(diǎn)。這些材料不僅具備較高的擊穿電壓和熱導(dǎo)率，還能在高溫、高頻及高功率環(huán)境下穩(wěn)定工作。然而，WBG半導(dǎo)體的封裝和測試面臨著一系列挑戰(zhàn)。電力半導(dǎo)體市場與寬禁帶材料全球電力半導(dǎo)體市場包

  半導(dǎo)體 寬禁帶 測試

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• 發(fā)布了文章 2024-08-13 12:02

  我國集成電路進(jìn)出口持續(xù)向好 貨物貿(mào)易呈現(xiàn)增長態(tài)勢

  

  根據(jù)關(guān)總署于8月7日發(fā)布的數(shù)據(jù)，2024年前7個月，我國貨物貿(mào)易進(jìn)出口總值達(dá)24.83萬億元，顯示出我國在全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇過程中，貿(mào)易活力逐步增強(qiáng)。特別是在集成電路這一關(guān)鍵領(lǐng)域，無論是出口還是進(jìn)口，都呈現(xiàn)出可喜的增長態(tài)勢。數(shù)據(jù)顯示，今年7月，我國集成電路出口數(shù)量達(dá)到273.4億個，出口額為985.6億元，較去年同期分別增長了26.77%。這一增幅不僅在各類商品中

  功率器件 機(jī)電 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2024-08-13 12:00

  創(chuàng)新型儲能系統(tǒng)：混凝土電池能否為未來提供動力

  

  目前，世界各國都設(shè)定了在未來幾十年內(nèi)達(dá)到零碳排放的目標(biāo)。然而，可再生能源資源往往不穩(wěn)定，太陽照射的時間不固定，風(fēng)速也并不總是在需要時增強(qiáng)。隨著可再生能源的快速增長，一個基本問題隨之而來：如何將這些能源存儲以便日常使用?最近，麻省理工學(xué)院的研究團(tuán)隊正在開發(fā)一種混凝土電池儲能系統(tǒng)，這種系統(tǒng)由三種簡單的成分構(gòu)成：炭黑、水和水泥。聽起來像科幻小說，但該團(tuán)隊正在實(shí)現(xiàn)捕

  儲能系統(tǒng) 混凝土 電池

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• 發(fā)布了文章 2024-08-09 11:51

  英飛凌在馬來西亞啟動全球最大碳化硅電力半導(dǎo)體制造廠

  

  近日，英飛凌科技股份公司在馬來西亞隆重揭幕了一座新的制造設(shè)施，標(biāo)志著全球最大、最具競爭力的200毫米碳化硅(SiC)電力半導(dǎo)體制造廠的初步建成。這項(xiàng)投資是針對全球日益增長的電力半導(dǎo)體需求，尤其是因脫碳活動而推動的市場需求。此次新的200毫米SiC電力制造廠以其卓越的生產(chǎn)效率著稱，將進(jìn)一步鞏固英飛凌在全球電力半導(dǎo)體市場的主導(dǎo)地位。初始階段的投資額達(dá)20億歐元，

  半導(dǎo)體 碳化硅 英飛凌

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