動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-03-05 13:56

  三星電子成功研發(fā)量子耐性安全芯片S3SSE2A 應(yīng)對未來網(wǎng)絡(luò)安全挑戰(zhàn)

  

  近日，三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部宣布成功研發(fā)出一款名為S3SSE2A的安全芯片，以應(yīng)對不斷發(fā)展的量子電腦技術(shù)所帶來的網(wǎng)絡(luò)安全威脅。這款芯片不僅已完成樣品出貨準備，更在行業(yè)內(nèi)率先采用了量子耐性口令(PQC)技術(shù)，標志著三星在移動產(chǎn)品安全領(lǐng)域的又一重要進展。量子計算機的快速發(fā)展正在對傳統(tǒng)的公鑰加密(PKC)技術(shù)構(gòu)成嚴重威脅?，F(xiàn)有的加密算法，如RSA和ECC等，在面

  三星電子 網(wǎng)絡(luò)安全 量子芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-03-05 13:53

  詳解晶閘管工作原理，全面掌握開關(guān)控制技術(shù)

  

  晶閘管是具有雙穩(wěn)態(tài)行為的三端電子元件。控制端稱為“門極”(G)。另外兩個端子，陽極(A)和陰極(K)，與負載串聯(lián)導(dǎo)通電流，并且能夠承受高電壓。這些元件被用作電子開關(guān)。簡介晶閘管用于直流和交流電路中的開關(guān)和功率控制電路。與晶體管不同，大多數(shù)晶閘管的門極信號可以移除，它們?nèi)詴３謱?dǎo)通狀態(tài)。晶閘管設(shè)計用于處理高電流和高電壓，甚至超過1kV或100A。它們是具有四個

  二極管 控制電路 晶閘管 電子元件

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• 發(fā)布了文章 2025-03-04 11:44

  浮思特 | 直流(DC)電源的基礎(chǔ)知識與應(yīng)用解析

  

  直流(DC)電源是電氣和電子電路中的基本組件，提供恒定的電位差，驅(qū)動單向電流流動。與周期性變化極性的交流電(AC)源不同，直流電壓源保持穩(wěn)定的輸出，這使其在廣泛的應(yīng)用中不可或缺。常見的例子包括電池、太陽能電池和直流電源，它們?yōu)閺男⌒碗娮釉O(shè)備到大型工業(yè)系統(tǒng)的各種設(shè)備提供能量。這些電源在為設(shè)備供電方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，確保在需要穩(wěn)定電壓的電路中可靠運行。除了

  電子設(shè)備 直流電源

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• 發(fā)布了文章 2025-03-04 11:42

  全球化合物半導(dǎo)體市場預(yù)計到2030年將達250億美元！

  

  根據(jù)YoleGroup最近公布的市場預(yù)測，全球化合物半導(dǎo)體市場到2030年的市場規(guī)模有望達到約250億美元。這一預(yù)測顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)在未來幾年的快速擴張潛力，特別是在汽車和移動出行領(lǐng)域的應(yīng)用。YoleGroup指出，化合物半導(dǎo)體市場將在2024年至2030年間以接近13%的復(fù)合年增長率迅速增長。這一增長主要得益于多個因素的驅(qū)動，包括電動汽車的普及、智能

  SiC 化合物半導(dǎo)體 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-03-03 11:43

  SemiQ第三代SiC MOSFET：車充與工業(yè)應(yīng)用新突破

  

  SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實現(xiàn)突破性升級，芯片面積縮小20%，開關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)電源及電機驅(qū)動等場景打造，在熱管理性能和系統(tǒng)集成便利性方面均有顯著提升。圖1核心性能亮點：?總開關(guān)損耗降低至1646微焦耳?爬電距離擴展至9毫米?柵極驅(qū)動電壓優(yōu)化

  MOSFET SiC 車充

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• 發(fā)布了文章 2025-03-03 11:41

  氮化鎵技術(shù)推動電動汽車電源設(shè)計革新！

  

  電動汽車設(shè)計師致力于通過提升功率、縮小系統(tǒng)尺寸并減少散熱需求，使電動汽車更輕量化、自動化，并配備更小電池。借助氮化鎵(GaN)汽車級功率器件在功率轉(zhuǎn)換、高頻開關(guān)和熱管理領(lǐng)域的突破性進展，電動汽車的能效、可持續(xù)性和經(jīng)濟性正不斷提升。這些器件具備抗振動、耐高溫及適應(yīng)嚴苛環(huán)境的能力，助力動力系統(tǒng)設(shè)計更緊湊，車身更輕量化。GaN的卓越熱管理能力降低了對龐大散熱器和冷

  GaN器件 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2025-01-24 11:27

  臺積電兩工廠受地震影響，預(yù)計1至2萬片晶圓報廢

  

  近日，臺灣半導(dǎo)體制造業(yè)巨頭臺積電遭遇了一次突發(fā)事件。據(jù)臺灣媒體報道，臺積電位于臺南的Fab14和Fab18工廠在近期發(fā)生的地震中受損，初步估計將有1至2萬片晶圓報廢。本月21日零時17分，臺灣嘉義縣發(fā)生了一場里氏6.4級的地震。這場地震對臺積電造成了不小的影響，尤其是其位于臺南的先進制程產(chǎn)線。地震發(fā)生后，為確保人員安全，臺積電迅速啟動了內(nèi)部安全預(yù)防措施，各廠

  半導(dǎo)體 臺積電 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-01-23 11:13

  碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景

  

  隨著飛機、航天和衛(wèi)星系統(tǒng)對功率轉(zhuǎn)換需求的快速發(fā)展，技術(shù)趨勢正朝著更高功率和電壓水平、更小尺寸、更輕重量以及更高效率的轉(zhuǎn)換器方向發(fā)展。寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在功率轉(zhuǎn)換器中具有許多優(yōu)勢，例如提高功率密度和效率，因此可能非常適合于空間應(yīng)用。然而，這些WBG器件的抗輻射性能需要被仔細考慮。本文概述了在飛機和空間功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域使用

  SiC 功率器件 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-01-22 11:03

  SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列，助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

  

  近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。

  MOSFET SemiQ SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-01-22 11:02

  揭示電子行業(yè)中氮化鋁的3個常見誤區(qū)

  

  雖然早在1862年就首次開發(fā)了氮化鋁(AIN)，但直到20世紀80年代，其在電子行業(yè)中的潛力才被真正認識到。經(jīng)過幾年的發(fā)展，氮化鋁憑借其獨特的特性，成為下一代電力電子設(shè)備(如可再生能源系統(tǒng)和電動汽車)理想的材料。根據(jù)BusinessResearchInsights的報告，到2031年，氮化鋁的市場價值預(yù)計將以每年6.9%的復(fù)合年增長率(CAGR)增長。這表明

  氮化鋁基板 電動汽車

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