動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-05-19 11:29
浮思特 | 電子電路下拉電阻詳解：原理、計(jì)算與應(yīng)用指南
下拉電阻是電子電路設(shè)計(jì)中的重要組成部分，尤其在處理數(shù)字邏輯、晶體管和通信接口時(shí)。本教程將系統(tǒng)講解其基本原理、計(jì)算方式、應(yīng)用場(chǎng)景、選型要點(diǎn)、功耗考量，以及在晶體管和串行通信線路中的實(shí)際應(yīng)用。什么是下拉電阻?下拉電阻是連接在信號(hào)線(如微控制器輸入引腳或晶體管柵極)與地(GND)之間的電阻元件。其主要功能是確保當(dāng)信號(hào)線無(wú)主動(dòng)驅(qū)動(dòng)時(shí)，能穩(wěn)定維持在確定的低邏輯電平(通1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-05-16 11:09
AI驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長(zhǎng) 2030年全球產(chǎn)值或突破萬(wàn)億美元大關(guān)
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)周期。臺(tái)積電全球業(yè)務(wù)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)近日透露，在人工智能(AI)技術(shù)的強(qiáng)勁推動(dòng)下，2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將超過(guò)10%。更值得關(guān)注的是，到2030年，全球半導(dǎo)體行業(yè)總產(chǎn)值有望達(dá)到1萬(wàn)億美元規(guī)模，其中AI相關(guān)應(yīng)用將貢獻(xiàn)近半壁江山。2024年被業(yè)界普遍視為"AI元年"，生成式AI技術(shù)的爆發(fā)性發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn) -
發(fā)布了文章 2025-05-16 11:08
浮思特 | 從IGBT到超結(jié)MOSFET：超結(jié)MOSFET成冰箱變頻技術(shù)新寵
目前全球每年銷售約2.2億臺(tái)冰箱和冰柜，2024年市場(chǎng)規(guī)模約為750億美元。預(yù)計(jì)該市場(chǎng)將以6.27%的年復(fù)合增長(zhǎng)率持續(xù)增長(zhǎng)，到2032年將達(dá)到約1200億美元。當(dāng)前冰箱壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)主要采用兩種硅基技術(shù)：一種是IGBT，另一種是高壓(HV)MOSFET。在這兩種技術(shù)中，高壓MOSFET的采用正在加速，這主要得益于兩大趨勢(shì)。第一個(gè)趨勢(shì)是冰箱壓縮機(jī)系統(tǒng)的變頻化，通過(guò) -
發(fā)布了文章 2025-05-14 11:20
PCIM 2025：面向電動(dòng)汽車與工業(yè)系統(tǒng)的新型SiC功率器件
隨著全球電氣化進(jìn)程加速，工程師們面臨著一個(gè)核心難題：如何在更緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高功率密度，同時(shí)不犧牲散熱性能與長(zhǎng)期可靠性。無(wú)論是電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)還是先進(jìn)工業(yè)設(shè)備，傳統(tǒng)硅基功率器件已逼近物理極限。不斷提升的開(kāi)關(guān)速度、更嚴(yán)苛的能效要求以及日益復(fù)雜的應(yīng)用場(chǎng)景，都在呼喚性能更強(qiáng)的功率半導(dǎo)體解決方案。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，SemiQ、英飛凌、安世半導(dǎo)體和納微半導(dǎo)體四1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-05-14 11:18
SiC賦能IGBT：突破硅基極限,開(kāi)啟高壓高效新時(shí)代
自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來(lái)，基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過(guò)去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖然GE最早實(shí)現(xiàn)了IGBT的商業(yè)化，但東芝公司通過(guò)解決閂鎖效應(yīng)問(wèn)題，大幅拓展了這一功率器件的商業(yè)應(yīng)用版圖。隨后，眾多廠商的加入推動(dòng)該器件在電力轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。時(shí)至今日，全球已有約20家主要供應(yīng)商，市場(chǎng)規(guī)模從最初的數(shù)百萬(wàn)美元擴(kuò)展 -
發(fā)布了文章 2025-05-13 11:23
全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)?？s減 比亞迪半導(dǎo)體首進(jìn)前十
2025財(cái)年第二季度，英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日發(fā)布了最新財(cái)報(bào)，顯示全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模已縮減至323億美元，這一變化標(biāo)志著市場(chǎng)格局的顯著調(diào)整。在這份財(cái)報(bào)中，英飛凌盡管依然穩(wěn)坐市場(chǎng)首位，但其市場(chǎng)份額同比下降了2.9個(gè)百分點(diǎn)，降至17.7%。這一趨勢(shì)引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注，尤其是在全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境不確定性加大的背景下。根據(jù)1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-05-13 11:21
半導(dǎo)體芯片的ESD靜電防護(hù)：原理、測(cè)試方法與保護(hù)電路設(shè)計(jì)
半導(dǎo)體芯片易受大電流與高電壓現(xiàn)象影響。為實(shí)現(xiàn)元件級(jí)保護(hù)，我們采用片上ESD保護(hù)電路來(lái)提供安全的靜電放電電流泄放路徑。靜電放電(ESD)是電子設(shè)備面臨的常見(jiàn)威脅。當(dāng)ESD事件發(fā)生時(shí)，一定量的電荷會(huì)在兩個(gè)物體間轉(zhuǎn)移(例如從人體到集成電路)。這種電荷轉(zhuǎn)移可能導(dǎo)致極高電流在極短時(shí)間內(nèi)流經(jīng)芯片，若器件無(wú)法快速耗散能量就會(huì)造成損壞。ESD威脅貫穿產(chǎn)品全生命周期：在制造組3.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-05-08 11:09
Nexperia推出新款汽車級(jí)SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩(wěn)定性
近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅(jiān)固的汽車級(jí)碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標(biāo)(FoM)上處于行業(yè)領(lǐng)先水平，之前僅提供工業(yè)級(jí)版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，這些MOSFET現(xiàn)已適合用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括車載充電器(OBC)、電動(dòng)車632瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-05-08 11:08
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動(dòng)器
對(duì)于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開(kāi)關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過(guò)沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問(wèn)題，而驅(qū)動(dòng)電路在這些方面都起著關(guān)鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵諧振柵極驅(qū)動(dòng)器。該方案不僅能實(shí)現(xiàn)高效率，還能在高開(kāi)關(guān)頻率下保持良好控制的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換特性。諧振柵極驅(qū)動(dòng)器原理轉(zhuǎn)換器1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-05-07 11:15
