動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-10-25 11:58

  N通道和P通道場效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?

  

  晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先，作為其真空管前身三極管，晶體管可以放大電信號。其次，晶體管可以作為計(jì)算機(jī)的信息處理和存儲的開關(guān)設(shè)備。場效應(yīng)晶體管是控制電流通過電場的半導(dǎo)體器件。晶體管不僅可以放大電信號，還可以作為開關(guān)設(shè)備。計(jì)算機(jī)利用晶體管的開關(guān)能力進(jìn)行算術(shù)和邏輯運(yùn)算以及信息存儲。它們使用二進(jìn)制代碼——以基數(shù)2書寫的

  FET p通道 場效應(yīng)管 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-10-25 11:53

  Wolfspeed暫停德國SiC晶圓廠建設(shè)，德國半導(dǎo)體招商引資再遭重創(chuàng)

  

  近期，美國半導(dǎo)體公司W(wǎng)olfspeed宣布暫停在德國恩斯多夫(Ensdorf)建設(shè)碳化硅(SiC)晶圓廠的計(jì)劃，此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。Wolfspeed的決定恰逢英特爾也因營運(yùn)危機(jī)而擱置馬格德堡建廠案，進(jìn)一步凸顯了當(dāng)前德國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的投資挑戰(zhàn)。Wolfspeed原計(jì)劃在德國投資30億歐元，旨在增強(qiáng)其在碳化硅材料領(lǐng)域的生產(chǎn)能力，以滿足電動(dòng)車和新能源行業(yè)

  SiC Wolfspeed 半導(dǎo)體 場效應(yīng)管

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• 發(fā)布了文章 2024-10-24 11:13

  2024年全球硅晶圓市場回暖：SEMI預(yù)測出貨量將穩(wěn)步增長

  

  近日，半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SEMI)發(fā)布了其最新的年度硅晶圓出貨量預(yù)測報(bào)告，展現(xiàn)出全球硅晶圓市場的積極信號。報(bào)告指出，經(jīng)歷了去年的14.3%跌幅后，今年全球硅晶圓出貨量的下跌幅度將顯著收窄，僅下降2.4%。這一趨勢不僅反映出市場的恢復(fù)力，還顯示出在人工智能(AI)和先進(jìn)制程等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。硅晶圓作為大多數(shù)半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)構(gòu)建材料，扮演著至關(guān)重要的角色。半導(dǎo)體本

  SEMI 半導(dǎo)體 硅晶圓

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• 發(fā)布了文章 2024-10-24 11:11

  BiGaN開關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用

  

  保護(hù)USB端口、為來自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開關(guān)免受浪涌影響，都依賴于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止，設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)N型MOSFET以背靠背的方式連接在共同源極配置中來實(shí)現(xiàn)這一目的。這種方法涉及兩個(gè)組件，并因?qū)娮?RDS(on))、安全工作區(qū)(SOA)及其他特性而受到限制(見圖1)。雙向氮化鎵(BiGaN)開關(guān)是一種創(chuàng)新的解決方案，

  GaN MOSFET 電源管理

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• 發(fā)布了文章 2024-10-23 11:37

  中國新能源汽車與光伏市場推動(dòng)SiC襯底價(jià)格劇烈波動(dòng)

  

  2024年，中國新能源汽車和光伏市場的快速發(fā)展引發(fā)了SiC(碳化硅)襯底價(jià)格的顯著下跌。今年，SiC襯底的價(jià)格已下降近30%，并預(yù)計(jì)到2024年中期將降至500美元以下。這一變化不僅影響了相關(guān)制造商的財(cái)務(wù)狀況，也反映出行業(yè)內(nèi)潛在的供需矛盾。SiC襯底作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要材料，其成本占整個(gè)生產(chǎn)鏈的70%，其中襯底本身幾乎占據(jù)了50%的成本比重。這意味著SiC襯

  SiC 光伏 新能源汽車

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• 發(fā)布了文章 2024-10-23 11:35

  如何通過高壓SiC電池?cái)嚅_開關(guān)提升電氣系統(tǒng)的可靠性與效率

  

  電氣系統(tǒng)的直流母線電壓在400伏特或更高，由單相或三相電網(wǎng)電源或能量存儲系統(tǒng)(ESS)供電，可以通過固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和韌性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嚅_開關(guān)時(shí)，需要考慮多個(gè)基本設(shè)計(jì)決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類型、熱包裝、器件的穩(wěn)健性，以及在電路中斷時(shí)管理感應(yīng)能量。本文將討論在選擇高壓高電流電池?cái)嚅_開關(guān)的功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義半導(dǎo)體封裝時(shí)的設(shè)計(jì)考慮，以

  SiC 電氣系統(tǒng) 電池

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• 發(fā)布了文章 2024-10-22 11:38

  光伏模塊技術(shù)：選擇合適的太陽能電池板

  

  太陽能是最豐富的能源來源。太陽輻射如果得到合理利用，可以作為水加熱器或照明系統(tǒng)使用。1983年，貝爾實(shí)驗(yàn)室成功地利用光伏模塊將太陽輻射轉(zhuǎn)化為電能。從那時(shí)起，許多公司和研究人員開始開發(fā)這項(xiàng)技術(shù)，以更有效地利用太陽能。選擇太陽能電池板：硅的優(yōu)缺點(diǎn)光伏電池包含摻雜硅，這是一種吸光半導(dǎo)體。因此，電池類型是選擇太陽能電池板時(shí)的主要考慮因素。目前主要有三種類型的硅電池：

  光伏模塊 太陽能 電池板

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• 發(fā)布了文章 2024-10-21 12:01

  英飛凌攜手聯(lián)發(fā)科技打造先進(jìn)汽車座艙解決方案

  

  近日，英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)宣布與聯(lián)發(fā)科技(MediaTek)及其他合作伙伴共同研發(fā)了一款基于英飛凌TRAVEOCYT4DN微控制器和聯(lián)發(fā)科技DimensityAutoSoC的創(chuàng)新解決方案。這一合作旨在提升現(xiàn)代汽車的安全性和智能化水平，為汽車制造商提供更為高效和可靠的技術(shù)支持。在此次方案中，英飛凌的CYT4DN微控制器作為

  座艙 聯(lián)發(fā)科技 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-10-21 12:00

  如何通過霍爾效應(yīng)測量半導(dǎo)體中電子和空穴的遷移率?

  

  在半導(dǎo)體中，除了能帶寬度外，一個(gè)重要的物理量是電荷載流子(電子和空穴)的遷移率。在本教程中，我們將研究霍爾效應(yīng)，這使我們能夠?qū)嶒?yàn)性地確定半導(dǎo)體中的這一物理量。電荷載流子遷移率在本篇文章中，我們將采用在早期期刊中探討的德魯?shù)?洛倫茲框架。我們回顧一下，這一模型完全基于經(jīng)典力學(xué)。唯一的“外部”成分是電子的有效質(zhì)量m?;這是一種數(shù)學(xué)手段，使我們能夠?qū)㈦娮右暈椴皇芰?

  半導(dǎo)體 測量 霍爾效應(yīng)

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• 發(fā)布了文章 2024-10-18 10:50

  宇宙輻射如何影響半導(dǎo)體功率器件的故障率?

  

  能量粒子以多種方式影響半導(dǎo)體芯片，例如存儲器、處理器以及模擬和電源設(shè)備。器件的故障率取決于其所暴露的輻射量，這不僅是空間應(yīng)用中至關(guān)重要的因素，在地面電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中也同樣重要。本文討論了宇宙輻射對宇宙設(shè)備故障率的主要影響因素。半導(dǎo)體器件的故障率“浴缸曲線”通常用于圖示半導(dǎo)體器件的使用壽命。這一曲線呈現(xiàn)了故障率與時(shí)間的關(guān)系，其中包括一個(gè)初始的高故障率階段，稱為

  功率器件 半導(dǎo)體 輻射

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