英飛凌工業(yè)半導體文章

• 柵極驅(qū)動器環(huán)路設計對SiC MOSFET開關(guān)性能的影響2025-08-22 17:19

  

  摘要每個功率開關(guān)都需要一個驅(qū)動電路，這是必要的，但容易被忽視。柵極驅(qū)動電路對功率器件的開關(guān)過程有著非常重要的影響，本文分析了驅(qū)動電路的輸出能力和雜散參數(shù)這兩個參數(shù)。本文以SiCMOSFET關(guān)斷過程為基礎，分析了與驅(qū)動電路輸出能力和雜散參數(shù)相關(guān)的影響因素，并通過理論分析和仿真結(jié)果進行驗證。此外，還列

  MOSFET SiC 柵極驅(qū)動器 860瀏覽量

• 西安濟南人氣爆棚，四站蓄勢待發(fā)丨2025 IPAC英飛凌零碳工業(yè)應用技術(shù)大會邀您共赴！2025-08-21 17:04

  

  本周二，2025年IPAC英飛凌零碳工業(yè)應用技術(shù)大會盛大啟幕！西安站與濟南站的活動現(xiàn)場熱鬧非凡、人氣高漲。英飛凌科技高級技術(shù)總監(jiān)、工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)技術(shù)負責人陳立烽先生，攜手英飛凌碳化硅FellowPeterFriedrichs博士共同發(fā)表開場致辭，深入分享了英飛凌在工業(yè)與基礎設施應用領域的優(yōu)勢與布局，以及碳化硅技術(shù)和產(chǎn)品的未來規(guī)劃。會議期間，Coo

  工業(yè) 英飛凌 零碳城市 1049瀏覽量

• PCIM2025論文摘要 | 1200V CoolSiC™ MOSFET G2分立器件的開關(guān)行為調(diào)查2025-08-20 17:04

  

  完整版內(nèi)容請關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布摘要英飛凌CoolSiCMOSFETG2通過單元間距縮小和結(jié)構(gòu)優(yōu)化實現(xiàn)了更高的性能。本研究通過在不同負載電流和柵極電阻條件下進行雙脈沖測試，對其動態(tài)特性進行了分析。結(jié)果表明，在保持低導通損耗的同時，開關(guān)損耗比G1降低了40%。本文針對高頻應用提出了柵極電阻和負電

  MOSFET SiC 分立器件 832瀏覽量

• 淺談制氫電源及英飛凌解決方案2025-08-18 17:05

  

  大家對氫元素肯定都不陌生，認識它基本都是從背元素周期表開始的。近年來我們身邊多了很多氫的身影，從北京冬奧會的氫燃料電池大巴，再到廣州南沙小虎島電氫智慧能源站，氫也越來越被大家熟知。工業(yè)上，氫的使用可是一點都不少，自1975年以來，需求量增長了三倍，而且還在繼續(xù)增長。然而，氫氣生產(chǎn)目前幾乎全部由化石燃料供應，消耗了全球約6%的天然氣和2%的煤炭。據(jù)估計，目前全

  智慧能源 電源 英飛凌 849瀏覽量

• 釋放電力的自由：無線電能傳輸大揭秘2025-08-16 08:33

  

  作者簡介本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自香港科技大學劉昶的投稿。在電子產(chǎn)品深刻改變?nèi)祟惿a(chǎn)生活方式的今天，大家對于無線充電技術(shù)早已不陌生，日常可以接觸到的消費類電子產(chǎn)品諸如手機、電動牙刷都可以使用，但你有沒有想過為什么這項技術(shù)現(xiàn)在才開始流行，它背后有哪些原理與奇妙的現(xiàn)象，已經(jīng)被用在了哪些你可能不太熟悉的場景，未來又會怎樣改變我們的生活呢？本文

  無線電能 電力 電磁 1900瀏覽量

• PCIM2025論文摘要 | 針對儲能系統(tǒng)應用(ESS)的優(yōu)化驅(qū)動器設計策略2025-08-15 17:34

  

  本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布1簡介本文介紹了一種用于儲能系統(tǒng)（ESS）的自適應驅(qū)動器優(yōu)化策略，以應對過載可靠性和運行效率方面的挑戰(zhàn)。通過根據(jù)實時負載條件動態(tài)調(diào)整柵極電阻（Rgon/Rgoff），該策略在正常運行期間實現(xiàn)了開關(guān)損耗最小化，同時在過載條件下（額定電流的1.5至3倍）抑制了電壓應力并提高了可靠性。所提出的方法已在215

  ess 儲能系統(tǒng) 驅(qū)動器設計 876瀏覽量

• 數(shù)據(jù)為王，硬核開講丨2025 IPAC英飛凌零碳工業(yè)應用技術(shù)大會倒計時4天！2025-08-14 17:03

  

  一年一度的英飛凌零碳工業(yè)應用技術(shù)大會（IPAC）下周二震撼啟幕！用數(shù)據(jù)說話，以硬核案例破解行業(yè)難題！核心亮點搶先劇透CoolSiCMOSFETG2設計全攻略光儲應用：選型黃金標準+結(jié)溫&EMI關(guān)鍵設計參數(shù)充電模塊：功率段精準匹配+效率提升技巧：實戰(zhàn)技巧：死區(qū)時間與驅(qū)動電阻如何優(yōu)化最新產(chǎn)品解決方案首發(fā)最新EasyHD封裝方案優(yōu)勢對比開關(guān)損耗銳減秘籍逆變工況下仿

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• 新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴展2025-08-11 17:04

  

  新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴展CoolSiC1200VMOSFET（頂部散熱Q-DPAK單管封裝）專為工業(yè)應用設計，適用于電動汽車充電、光伏、不間斷電源（UPS）、固態(tài)斷路器（SSCB）、工業(yè)驅(qū)動、人工智能（AI）及網(wǎng)聯(lián)自動駕駛汽車（CAV）等領域。Q-DPAK封裝通過簡化組裝流程并保持卓越的散熱性能，幫助客戶

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• 手機的200W快充是如何實現(xiàn)的？2025-08-09 08:33

  

  來自上海科技大學李澤暉的投稿。你是否還記得你的第一部手機？我的第一部手機功能不多，反應遲鈍，樣子也不太好看，各方面都不如現(xiàn)在手邊的這位。無線通信技術(shù)的快速發(fā)展推動了智能手機的更新?lián)Q代，電力電子技術(shù)也在這一進程中扮演了極重要的角色。當我們回顧手機的發(fā)展歷程時，充電速度無疑是其中一項令人矚目的進步。從最初的“5V1A”到

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• 新品 | 英飛凌CoolSiC™ 第五代1200 V碳化硅肖特基二極管2025-08-07 17:06

  

  新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二極管1200VCoolSiC1200V肖特基二極管采用TO-247-2封裝，可實現(xiàn)高效緊湊設計，具有增強的魯棒性和可靠性。該產(chǎn)品通過了雪崩測試驗證，電流等級高達150A，采用.XT擴散焊技術(shù)，擁有豐富的產(chǎn)品組合。產(chǎn)品型號：■IDWD50G120C5■IDWD60G120C5■IDWD75G120C5■IDWD150G12

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