英飛凌工業(yè)半導體文章

• 功率器件熱設計基礎(chǔ)（十四）----熱成像儀測溫度概述2025-09-12 17:05

  

  摘要功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiC高功率密度設計的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設計基礎(chǔ)知識和測試的基本技能，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎(chǔ)系列文章已經(jīng)比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎(chǔ)知識、相關(guān)標準和工程測量方法，本篇的話題是《使用熱成像儀測溫度的注意事項》。用熱成像儀測溫度，在電力電子系統(tǒng)設計和

  功率器件 熱成像儀 熱設計 542瀏覽量

• 海上風電高壓直流集成經(jīng)濟型方案與性能比較2025-09-09 17:19

  

  完整版內(nèi)容請關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要隨著海上風電場容量的增加和選址向深遠海進一步延伸，高壓直流(HVDC)技術(shù)成為遠距離電力傳輸?shù)年P(guān)鍵。本文介紹三種海上高壓直流輸電方案，包括兩種完全基于模塊化多電平變流器（MMC）的柔性直流輸電方案，以及一種基于二極管整流的海上風電集成方案，然后詳細說明可

  二極管 變流器 風電場 859瀏覽量

• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝2025-09-08 17:06

  

  新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO247-4引腳IMZA封裝，確保安裝兼容性并可輕松替換現(xiàn)有系統(tǒng)設計，為更經(jīng)濟高效、緊湊、易設計且可靠的系統(tǒng)提供領(lǐng)先的解決方案。該器件在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓撲中均能表現(xiàn)出更優(yōu)異的性能，適用于所有常見的AC-DC、DC-DC

  SiC 分立器件 封裝 700瀏覽量

• 第十三屆第三代半導體器件技術(shù)與應用高級研修班暨國際功率半導體技術(shù)與應用臨港高峰論壇報名（論壇免費）2025-09-06 08:04

  

  01組織機構(gòu)主辦單位：中國電源學會承辦單位：英飛凌-上海海事大學功率器件應用培訓和實驗中心、上海臨港電力電子研究院、中國電源學會教育與培訓工作委員會02培訓時間地點2025年10月17-19日中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)03培訓安排本次課程由兩部分組成：110月17日國際功率半導體技術(shù)與應用臨港高峰論壇（免費）特邀出席嘉賓：上海臨港管委會相關(guān)領(lǐng)導；劉

  功率器件 半導體器件 電源 336瀏覽量

• 一種全工作范圍實現(xiàn)零電壓開通的高效反激電源控制策略2025-09-03 17:03

  

  /摘要/反激拓撲廣泛應用于中小功率開關(guān)電源中，為了提高反激拓撲的轉(zhuǎn)換效率，本文提出了一種全輸入電壓及負載范圍內(nèi)可以實現(xiàn)原邊MOSFET零電壓開通（ZVS）的控制策略，從而提高了轉(zhuǎn)換效率。本文通過理論分析給出其中所涉及的參數(shù)的計算方法，并通過仿真與實際電源的測試驗證了該策略的有效性。01背景反激（Flyback）拓撲因其結(jié)構(gòu)簡潔，控制策略簡單，適合多路輸出，可

  電壓 電源控制 零電壓 3226瀏覽量

• PCIM2025論文摘要 | 基于英飛凌S-cell產(chǎn)品的嵌入式PCB方案在主驅(qū)逆變器應用的優(yōu)勢分析與研究2025-09-02 18:42

  

  完整版內(nèi)容請關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要本文介紹了一種基于英飛凌S-cell產(chǎn)品(1.2kV/SiC)的嵌入式PCB方案的新型功率模塊概念。利用Ansys和SPICE仿真，在熱阻（Rth、Zth、熱耦合等）和電氣特性（系統(tǒng)雜散電感、電壓尖峰、開關(guān)損耗等）等方面進行和傳統(tǒng)封裝的SiC模塊的對比。

  pcb PCB 嵌入式 英飛凌 逆變器 3099瀏覽量

• 首次線上直播 | 2025 英飛凌零碳工業(yè)應用技術(shù)大會（IPAC）直播報名通道正式開啟2025-09-01 17:07

  

  英飛凌零碳工業(yè)應用技術(shù)大會（IPAC）作為行業(yè)風向標，一直以技術(shù)的深度剖析與應用設計的專業(yè)解讀，精準把握熱門領(lǐng)域與應用趨勢，收獲了行業(yè)的廣泛認可與高度贊譽。今年，大會首次以六城聯(lián)動的模式盛大舉行，精心籌備了15個前沿話題。內(nèi)容豐富多元，不僅涵蓋了英飛凌最新的G2CoolSiCMOSFET、氮化鎵，從分立器件到中大功率模塊等前沿產(chǎn)品，應用場景更是廣泛延伸至風、

  測試 英飛凌 零碳城市 955瀏覽量

• 鋰離子電池管理：建模、狀態(tài)估計與故障診斷2025-08-30 09:25

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自付詩意的投稿。在當今的科技時代，鋰離子電池作為一種高效、輕便的能量存儲設備，廣泛應用于電動汽車、便攜式電子設備、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域。為了確保鋰離子電池的安全、可靠和高效運行，電池管理系統(tǒng)（BatteryManagementSystem，BMS）起著至關(guān)重要的作用。本文將深入探討鋰離子電池管理中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，包括電池建

  電池管理 電池管理系統(tǒng) 鋰離子電池 374瀏覽量

• CoolSiC™ 2000V SiC 溝槽柵MOSFET定義新能源應用中功率密度增強的新基準2025-08-29 17:10

  

  本文為2024年P(guān)CIM論文更多精彩內(nèi)容請關(guān)注2025PCIM本文介紹了新的CoolSiC2000VSiC溝槽柵MOSFET系列。該系列單管產(chǎn)品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封裝，具有加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術(shù)。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產(chǎn)品的性能提高了系統(tǒng)功率密度，可靠性和效

  MOSFET SiC 新能源 1019瀏覽量

• 英飛凌CoolSiC™ MOSFET G2最新產(chǎn)品榮獲2025年度半導體市場創(chuàng)新表現(xiàn)獎2025-08-27 17:06

  

  8月26日上午，英飛凌科技憑借第二代CoolSiCMOSFETG21400V分立器件以及全新封裝的1200VEasyC系列碳化硅模塊，以其卓越的產(chǎn)品性能和創(chuàng)新的技術(shù)設計，榮獲2025年半導體市場創(chuàng)新表現(xiàn)獎——“年度優(yōu)秀功率器件產(chǎn)品獎”。英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設施業(yè)務大中華區(qū)市場總監(jiān)王丹代表公司出席了頒獎典禮并領(lǐng)獎。目前兩款產(chǎn)品均已上市，可通過英飛凌官網(wǎng)申請樣品試用

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