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IPAC直播間丨與作者暢聊，解鎖PCIM論文技術(shù)深意2025-08-26 17:04
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電力系統(tǒng)的“無(wú)名醫(yī)生”：電力電子無(wú)功補(bǔ)償裝置2025-08-23 08:34
本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品，來(lái)自彭宇維的投稿。“別有幽愁暗恨生，此時(shí)無(wú)聲勝有聲”。——唐.白居易一首《琵琶行》，道出“有”和“無(wú)”的辯證關(guān)系，于人們的日常生活中無(wú)處不在，它們共同譜寫了生命的樂(lè)章。就拿我們都經(jīng)歷過(guò)的“體檢”來(lái)說(shuō)，人體最基礎(chǔ)、最核心的兩大指標(biāo)無(wú)疑是心率和血壓。心率是指心臟跳動(dòng)的頻率，正常人的心率一般在每分鐘60~100次，而心率 -
柵極驅(qū)動(dòng)器環(huán)路設(shè)計(jì)對(duì)SiC MOSFET開(kāi)關(guān)性能的影響2025-08-22 17:19
摘要每個(gè)功率開(kāi)關(guān)都需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，這是必要的，但容易被忽視。柵極驅(qū)動(dòng)電路對(duì)功率器件的開(kāi)關(guān)過(guò)程有著非常重要的影響，本文分析了驅(qū)動(dòng)電路的輸出能力和雜散參數(shù)這兩個(gè)參數(shù)。本文以SiCMOSFET關(guān)斷過(guò)程為基礎(chǔ)，分析了與驅(qū)動(dòng)電路輸出能力和雜散參數(shù)相關(guān)的影響因素，并通過(guò)理論分析和仿真結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證。此外，還列 -
西安濟(jì)南人氣爆棚，四站蓄勢(shì)待發(fā)丨2025 IPAC英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)邀您共赴！2025-08-21 17:04
本周二，2025年IPAC英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)盛大啟幕！西安站與濟(jì)南站的活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)熱鬧非凡、人氣高漲。英飛凌科技高級(jí)技術(shù)總監(jiān)、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)負(fù)責(zé)人陳立烽先生，攜手英飛凌碳化硅FellowPeterFriedrichs博士共同發(fā)表開(kāi)場(chǎng)致辭，深入分享了英飛凌在工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)與布局，以及碳化硅技術(shù)和產(chǎn)品的未來(lái)規(guī)劃。會(huì)議期間，Coo -
PCIM2025論文摘要 | 1200V CoolSiC™ MOSFET G2分立器件的開(kāi)關(guān)行為調(diào)查2025-08-20 17:04
完整版內(nèi)容請(qǐng)關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來(lái)更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布摘要英飛凌CoolSiCMOSFETG2通過(guò)單元間距縮小和結(jié)構(gòu)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了更高的性能。本研究通過(guò)在不同負(fù)載電流和柵極電阻條件下進(jìn)行雙脈沖測(cè)試，對(duì)其動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行了分析。結(jié)果表明，在保持低導(dǎo)通損耗的同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗比G1降低了40%。本文針對(duì)高頻應(yīng)用提出了柵極電阻和負(fù)電 -
淺談制氫電源及英飛凌解決方案2025-08-18 17:05
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釋放電力的自由：無(wú)線電能傳輸大揭秘2025-08-16 08:33
作者簡(jiǎn)介本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品，來(lái)自香港科技大學(xué)劉昶的投稿。在電子產(chǎn)品深刻改變?nèi)祟惿a(chǎn)生活方式的今天，大家對(duì)于無(wú)線充電技術(shù)早已不陌生，日?？梢越佑|到的消費(fèi)類電子產(chǎn)品諸如手機(jī)、電動(dòng)牙刷都可以使用，但你有沒(méi)有想過(guò)為什么這項(xiàng)技術(shù)現(xiàn)在才開(kāi)始流行，它背后有哪些原理與奇妙的現(xiàn)象，已經(jīng)被用在了哪些你可能不太熟悉的場(chǎng)景，未來(lái)又會(huì)怎樣改變我們的生活呢？本文 -
PCIM2025論文摘要 | 針對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)應(yīng)用(ESS)的優(yōu)化驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)策略2025-08-15 17:34
本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布1簡(jiǎn)介本文介紹了一種用于儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）的自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化策略，以應(yīng)對(duì)過(guò)載可靠性和運(yùn)行效率方面的挑戰(zhàn)。通過(guò)根據(jù)實(shí)時(shí)負(fù)載條件動(dòng)態(tài)調(diào)整柵極電阻（Rgon/Rgoff），該策略在正常運(yùn)行期間實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)損耗最小化，同時(shí)在過(guò)載條件下（額定電流的1.5至3倍）抑制了電壓應(yīng)力并提高了可靠性。所提出的方法已在215 -
數(shù)據(jù)為王，硬核開(kāi)講丨2025 IPAC英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)倒計(jì)時(shí)4天！2025-08-14 17:03
一年一度的英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)（IPAC）下周二震撼啟幕！用數(shù)據(jù)說(shuō)話，以硬核案例破解行業(yè)難題！核心亮點(diǎn)搶先劇透CoolSiCMOSFETG2設(shè)計(jì)全攻略光儲(chǔ)應(yīng)用：選型黃金標(biāo)準(zhǔn)+結(jié)溫&EMI關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)充電模塊：功率段精準(zhǔn)匹配+效率提升技巧：實(shí)戰(zhàn)技巧：死區(qū)時(shí)間與驅(qū)動(dòng)電阻如何優(yōu)化最新產(chǎn)品解決方案首發(fā)最新EasyHD封裝方案優(yōu)勢(shì)對(duì)比開(kāi)關(guān)損耗銳減秘籍逆變工況下仿 -
新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展2025-08-11 17:04
