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      新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

      英飛凌工業(yè)半導體 ? 2024-11-29 01:03 ? 次閱讀
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      新品

      第二代CoolSiC 34mΩ 1200V

      SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

      a1b6d326-adaa-11ef-8084-92fbcf53809c.png

      采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代 CoolSiC G2 1200V MOSFET系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設計和可靠性。

      第二代產(chǎn)品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。

      產(chǎn)品型號：

      ■IMBG120R034M2H

      產(chǎn)品特點

      開關損耗極低

      過載運行溫度最高可達Tvj=200°C

      短路耐受時間2μs

      基準柵極閾值電壓，VGS(th)=4.2V

      抗寄生開通能力強，可用0V柵極關斷電壓

      用于硬換流的堅固體二極管

      .XT互聯(lián)技術(shù)可實現(xiàn)同類最佳的散熱性能

      應用價值

      更高的能源效率

      優(yōu)化散熱

      更高的功率密度

      新的穩(wěn)健性性能

      高可靠性

      競爭優(yōu)勢

      最低RDS(on），最高輸出能力

      市場上最精細的產(chǎn)品系列

      過載運行溫度最高可達Tvj=200°C

      強大的短路額定值

      雪崩穩(wěn)健性

      應用領域

      電動汽車充電

      組串逆變器

      光伏優(yōu)化器

      在線式UPS/工業(yè)UPS

      通用變頻器（GPD）

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