8月26日上午，英飛凌科技憑借第二代CoolSiC MOSFET G2 1400V分立器件以及全新封裝的1200V Easy C系列碳化硅模塊，以其卓越的產品性能和創(chuàng)新的技術設計，榮獲2025年半導體市場創(chuàng)新表現(xiàn)獎——“年度優(yōu)秀功率器件產品獎”。英飛凌工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)市場總監(jiān)王丹代表公司出席了頒獎典禮并領獎。目前兩款產品均已上市，可通過英飛凌官網申請樣品試用。

1400V CoolSiC MOSFET G2系列

針對高母線電壓應用場景，1400V CoolSiC MOSFET G2系列經過優(yōu)化設計，可輕松適配母線電壓超過1000V的工況。該系列產品通過將功率管腳加粗至2mm，顯著提升了器件的電流承載能力；同時采用背板回流焊工藝，進一步增強了產品的可靠性，為高壓電力電子系統(tǒng)提供了堅實的技術保障。目前，該系列已推出TO-247及TO-247 Plus Reflow兩種封裝形式，其最低導通電阻（Rdson）低至6毫歐，性能指標達到行業(yè)領先水平。

CoolSiC MOSFET G2 Easy C系列

1200V碳化硅模塊

最新推出的CoolSiC MOSFET G2 Easy C系列1200V碳化硅模塊全新封裝，在業(yè)內首次發(fā)布就引起廣泛關注。該產品集多項創(chuàng)新技術于一身。在芯片技術上，憑借先進的G2芯片技術，實現(xiàn)了RDS(on)*A降低25%、輸出功率提高約30%，效率更是達到行業(yè)頂尖水準。創(chuàng)新耐高溫材料，賦予產品卓越的耐高溫性能，不僅能在175°C的正常工作溫度下穩(wěn)定運行，在200°C過載條件下也能可靠工作。全新PressFIT引腳使電流承載能力翻倍，有效降低PCB溫度，且優(yōu)化了安裝流程。為滿足多樣化需求，產品還配備兩種不同的Pin腳連接技術供選擇。